Wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów typu MOSFET na pracę jednofazowego szeregowego falownika napięcia

• Autorzy: Szychta, E.

Warianty tytułu

EN

The influence of the output MOSFET's capacitances the voltage-source one-phase series inverter performance

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiony jest jednofazowy rezonansowy falownik napięcia z tranzystorami MOSFET. Omówiony jest wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów na pracę falownika przy różnych częstotliwościach sterowania. Podane są wyniki badań symulacyjnych w oparciu o program Simplorer.

EN

The article presents a voltage-source one-phase resonant inverter using MOSFET's. The influence of the output MOSFET's capacitances the inverter performance at different operating frequencies is considered. Results of Simplorer-based simulation tests are presented.

Słowa kluczowe

PL

falownik rezonansowy; wysoka częstotliwość; pojemność wyjściowa; tranzystor MOSFET

EN

resonant inverter; capacitance; MOSFET transistor

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2005
• Tom: R. 81, nr 4
• Strony: 79-85
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Szychta, E.

• Politechnika Radomska, Instytut Systemów Transportowych, Zakład Maszyn i Urządzeń Elektrycznych

Bibliografia

• [1] Kazimierczuk M.K., Czarkowski D., Resonant Power Converters A Wiley-Intersience Publication. John Wiley and Sons. Inc. New York, Toronto, Singapure, 1995
• [2] Januszewski S., Świątek H., Zymmer K., Półprzewodnikowe przyrządy mocy WKŁ, Warszawa, 1999
• [3] www.dialelec.com
• [4] Citko T., Tunia H., Winiarski B., Układy rezonansowe w energoelektronice Wydawnictwa Politechniki Białostockiej, Białystok 2001
• [5] Tunia H., Smirnow A., Nowak M., Barlik R., Układy energoelektroniczne, obliczanie, modelowanie, projektowanie WNT, Warszawa 1982
• [6] Akagi H. , The State of the Art of Power Electronics in Japan IEEE Transactions on Power Electronics, vol.13, 1998, no.2
• [7] Fujita H., Akagi H., Shinohara S., A 2-MHz 6-kVA Voltage-Source Inverter Using Low-Profile MOSFET Module for Low-Temperature Plasma Generators IEEE Transactions on Power Electronics, vol.14, 1999, no.6