Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu

• Autorzy: Zarębski, J. , Bisewski, D. , Patrzyk, J.

Warianty tytułu

EN

Comparison of characteristics of bipolar transistors made of silicon and silicon carbide

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy porównano podstawowe charakterystyki statyczne bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu. Oceniono wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na charakterystyki i parametry rozważanych przyrządów półprzewodnikowych.

EN

In the paper a comparison of static characteristics of bipolar power transistors made of silicon and silicon carbide, is presented. The influence of selfheating phenomenon on the characteristics and parameters of considered transistors is examined.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor bipolarny; węglik krzemu; samonagrzewanie

EN

bipolar transistor; silicon carbide; selfheating

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 10
• Strony: 114-117
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski, J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki

autor

Bisewski, D.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki

autor

Patrzyk, J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki

Bibliografia

• [1] Seyezhai R., Development of SiC BJT based PWM Inverter for renewable energy sources, International Journal of Scientific & Engeneering Research, Vol. 2, pp. 1–8, 2011.
• [2] Hiroki M., 21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension, IEEE Electron Device Letters, Vol. 33, pp. 1598–1600, 2012.
• [3] Zarębski J., Właściwości cieplne elementów półprzewodnikowych i układów elektronicznych, Wydawnictwo Tekst Sp. z o. o., Bydgoszcz, 2010.
• [4] Zarębski J., Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
• [5] Bisewski D., Zarębski J., Laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych, Electrical Engineering, Academic Journals, Poznan University of Technology, Issue 76, 2013, pp. 251–258.
• [6] TranSiC, http://www.transic.com.
• [7] Infineon Technologies, http://www.infineon.com.
• [8] Cree, Inc., http://www.cree.com.
• [9] ST Microelectronics, http://www.st.com.
• [10] Semisouth, http://www.semisouth.com.
• [11] Panasonic Semiconductors, http://www.panasonic.com.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-184