Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs

• Autorzy: Dawidowski, W. , Ściana, B. , Zborowska-Lindert, I. , Mikolášek, M. , Pucicki, D. , Radziewicz, D. , Bielak, K. , Badura, M. , Kováč, J. , Tłaczała, M.

Warianty tytułu

EN

Technology and characterization of InGaAsN p-i-n structure for InGaAsN/GaAs tandem solar cell

• Konferencja: Sympozjum "Fotowoltaika i Transparentna Elektronika : Perspektywy Rozwoju" (5 ; 24-27.04.2014 ; Świeradów Zdrój ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AIIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Sprawność konwersji takich ogniw przekracza 40% przy zastosowaniu skoncentrowanego promieniowania słonecznego. Ważnymi elementami w konstrukcji takiego przyrządu są poszczególne podogniwa wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy przedstawiono technologię AP-MOVPE dolnego podogniwa na bazie InGaAsN oraz wyniki charakteryzacji otrzymanej struktury epitaksjalnej. Ponadto zaprezentowano wyniki pomiarów J-V wytworzonych ogniw słonecznych typu p-i-n.

EN

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. Efficiency of the MJSC devices exceeds 40% under concentrated sunlight. Individual subcells based on different semiconductors are crucial components of tandem solar cell. In this papers we describe AP-MOVPE technology of the bottom InGaAsN subcell and characterization of its epitaxial structure. Moreover, the fabrication process of the test solar cell structure and J-V measurement results are presented and discussed.

Słowa kluczowe

PL

ogniwo słoneczne p-i-n; ogniwo tandemowe; technologia AP-MOVPE

EN

p-i-n solar cell; tandem solar cell; AP-MOVPE technology

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 8
• Strony: 40-42
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Dawidowski, W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Ściana, B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Zborowska-Lindert, I.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Mikolášek, M.

• Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Department of Microelectronics, Bratislava, Slovakia

autor

Pucicki, D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Radziewicz, D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Bielak, K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Badura, M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kováč, J.

• Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Department of Microelectronics, Bratislava, Slovakia

autor

Tłaczała, M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Shockley W., Queisser H.: Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells, J. Appl. Phys. 32, 1961, 510–519.
• [2] Glunz S.: Photonics for High-efficiency Crystalline Silicon Solar Cells, EU-PESEC, Paris 2013.
• [3] Tanabe K.:A Review of Ultrahigh Efficiency III-V Semiconductor Compound Solar Cells: Multijunction Tandem, Lower Dimensional, Photonic Up/Down Conversion and Plasmonic Nanometallic Structures, Energies 2(3), 2009, 503–530.
• [4] Ściana B. i in.: Influence of the AP MOVPE process parameters on properties of (In, Ga)(As, N)/GaAs heterostructures for photovoltaic applications, Proc. of SPIE Vol. 8902, 89020J, 1–8.
• [5] Luque A., Hegedus S. (eds): Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, 2nd Edition, John Wiley & Sons, 2011.

Uwagi

PL

Praca była współfinansowana przez Politechnikę Wrocławską w ramach badań statutowych oraz Słowacko-Polski Program Współpracy Międzynarodowej SK-PL-0005-12.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-102