PL
|
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na
https://bibliotekanauki.pl
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O nas
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
Vol. 31, Special Issue
Czasopismo
Opto-Electronics Review
Wydawca
Rocznik
2023
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
Vol. 31, Special Issue
artykuł:
Two-step etch in n-on-p type-II superlattices for surface leakage reduction in mid-wave infrared megapixel detectors
(
Ramos D.
,
Delmas M.
,
Ivanov R.
,
Žurauskaitė L.
,
Evans D.
,
Almqvist S.
,
Becanovic S.
,
Hellström P.-E.
,
Costard E.
,
Höglund L.
), s. art. no. e144556
artykuł:
Quantum simulations of band-to-band tunnelling in a type-II broken-gap superlattice diode
(
Makowiec M.
,
Kolek A.
), s. art. no. e144558
artykuł:
Multi-technique characterisation of InAs-on-GaAs wafers with circular defect pattern
(
Boguski J.
,
Wróbel J.
,
Złotnik S.
,
Budner B.
,
Liszewska M.
,
Kubiszyn Ł.
,
Michałowski P. P.
,
Ciura Ł.
,
Moszczyński P.
,
Odrzywolski S.
,
Jankiewicz B.
,
Wróbel J.
), s. art. no. e144564
artykuł:
MCT heterostructures for higher operating temperature infrared detectors designed in Poland
(
Madejczyk P.
,
Gawron W.
,
Sobieski J.
,
Martyniuk P.
,
Rutkowski J.
), s. art. no. e144551
artykuł:
InAs/InAsSb superlattice infrared detectors
(
Ting D. Z.
,
Soibel A.
,
Khoshakhlagh A.
,
Keo S. A.
,
Rafol S. B.
,
Fisher A. M.
,
Hill C. J.
,
Pepper B. J.
,
Maruyama Y.
,
Gunapala S. D.
), s. art. no. e144565
artykuł:
Fabrication and characterisation of the PiN Ge photodiode with poly-crystalline Si:P as n-type region
(
Durlin Q.
,
Aliane A.
,
André L.
,
Kaya H.
,
Cocq le M.
,
Goudon V.
,
Vialle C.
,
Veillerot M.
,
Hartmann J.-M.
), s. art. no. e144550
artykuł:
Discussion around IR material and structure issues to go toward high performance small pixel pitch IR HOT FPAs
(
Gravrand O.
,
Baier N.
,
Ferron A.
,
Rochette F.
,
Lobre C.
,
Bertoz J.
,
Rubaldo L.
), s. art. no. e144561
artykuł:
Dark current behaviour of type-II superlattice longwave infrared photodetectors under proton irradiation
(
Bataillon C.
,
Perez J.-P.
,
Alchaar R.
,
Michez A.
,
Gilard O.
,
Saint-Pé O.
,
Christol P.
), s. art. no. e144552
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.