Wpływ dawki prekursora procesu ALD w na jakość warstw AR i AS wykorzystywanych technologiach fotowoltaicznych

• Autorzy: Kwaśnicki, Paweł

Warianty tytułu

EN

Influence of the ALD process precursor dose on the quality of AR and AS layers used in photovoltaic technologies

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy skupiono się na optymalizacji kluczowych parametrów procesu ALD w wielkoskalowym reaktorze produkcyjnym o rozmiarze 2200 × 1200 mm pozwalającym na jednoczesne pokrywanie warstwą tlenkową 10 tafli szklanych o grubości 4 mm. Optymalizacji poddano procesy wzrostu warstwy Al₂O₃ oraz TiO₂ jako materiałów charakteryzujących się wysoką odpornością na czynniki środowiskowo klimatyczne.

EN

The influence of the precursor dose of the ALD process on the quality of AR and AS layers used in photovoltaic technologies. The focus of the work was on optimizing key parameters of the ALD process in a large-scale production reactor measuring 2200 × 1200 mm, allowing simultaneous coating of 10 glass sheets, each with a thickness of 4 mm, with an oxide layer. The optimization involved the growth processes of Al₂O₃ and TiO₂ layers as materials characterized by high resistance to environmental factors.

Słowa kluczowe

PL

moduł fotowoltaiczny; warstwa zapobiegająca zabrudzeniom; ALD; Al2O3-TiO2

EN

photovoltaic module; anti- soiling layer; ALD Atomic Layer Deposition; Al2O3-TiO2

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2024
• Tom: Vol. 65, Nr 7
• Strony: 30--33
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., tab.

Twórcy

autor

Kwaśnicki, Paweł

• Faculty of Natural and Technical Sciences, John Paul II Catholic University of Lublin,
• Research & Development Centre for Photovoltaics ML System S.A.

Bibliografia

• [1] D. F. Zambrano, R. Villarroel, R. Espinoza-Gonzalez, N. Carvajal , A. Rosenkranz , A. G. Montano-Figueroa, M. J. Arellano Jim´enez , M. Quevedo-Lopez , P. Valenzuela, W. Gacitúa, „Mechanical and microstructural properties of broadband anti reflective TiO2/SiO2 coatings for photovoltaic applications fabricated by magnetron sputtering" Solar Energy Materials and Solar Cells, vol 220, 2021.
• [2] Travis Sarver, Ali Al-Qaraghuli, and Lawrence L. Kazmerski, “A Comprehensive Review of the Impact of Dust on the Use of Solar Energy: History, Investigations, Results, Literature, and Mitigation Approaches,” Renew. Sust. Energy Rev. 22 (2013): 698-733.
• [3] Właściwości optyczne pokryć antyrefleksyjnych dla zastosowań fotowoltaicznych.
• [4] Tomasz Stapiński, Konstanty Marszałek , Janusz Jaglarz, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 90 NR 9/2014.
• [5] V. Edlmayr, M. Moser, C. Walter, C. Mitterer “Thermal stability of sputtered Al2O3 coatings”, Surface and Coatings Technology, Volume 204, Issues 9-10, 25 January 2010, Pages 1576-1581.
• [6] Maria Luisa Grilli,* Daniele Valerini, Antonella Rizzo, Mehmet Yilmaz, Chen Song, Guohang Hu, Alexey Mikhaylov, Rosa Chierchia, and Antonio Rinald, “A Comparative Study of the Mechanical and Tribological Properties of Thin Al2O3 Coatings Fabricated by Atomic Layer Deposition and Radio Frequency Sputtering” Physica status solidi (a) Volume 219, Issue 1 Jan 2022.
• [7] Y. Huang, G. Pandraud, P. M. Sarro: Characterization of low temperature deposited atomic layer deposition TiO2 for MEMS applications J. Vac. Sci. Technol. A, 31 (2013), p. 01A148.
• [8] G. S. Sveshnikova, S. I. Kol'tsov, V. B. Aleskovskii: Interaction of titanium tetrachloride with hydroxylated silicon surfaces J. Appl. Chem. USSR, 43 (1970), pp. 432-434.
• [9] R. L. Puurunen A Short history of atomic layer deposition: Tuomo Suntola's atomic layer epitaxy Chem. Vap. Depos., 20 (2014), pp. 332-344.

Uwagi

1. Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa nr SONP/SP/546092/2022 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2024).

2. Prace zrealizowane w ramach projektu: QDrive - innovative active glass for the automative industry (01.01.01-00-1156/20).

3. w artykule źle jest podany nr ORCID Pana Pawła Kwaśnickiego.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2024.7.7