Czasopismo
2013
|
R. 89, nr 10
|
103-104
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
Selective metallization of silicon solar cell
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawiono nowatorski sposób selektywnej metalizacji powierzchni krzemowych na strukturze ogniwa fotowoltaicznego. Przedstawiona technologia umożliwia wytworzenie metalizacji o dowolnie wybranym kształcie na powierzchni ogniwa. Technologia jest prowadzona w temperaturze pokojowej oraz może być w prosty sposób aplikowana do produkcji seryjnej.
This paper presents a novel method for selectively plating on the surface of silicon solar cell structure. The presented technology allows production of metallization of any given shape on the surface of cells. The technology is carried out at room temperature and can be easily applied to mass production.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
103-104
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., rys.
Twórcy
autor
- Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, pkowalik@polsl.pl
autor
- Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, wrobel@polsl.pl
Bibliografia
- [1] Lee E.K. at all, Self-Aligned Ni-P Ohmic Contact Scheme for Silicon Solar Cells by Electroless Deposition, Electronic Materials Letters, Vol. 8, No. 4 (2012), 391-395
- [2] Pruszowski Z., Kowalik P., Waczyński K., Types of Resistive Layers Basing an Alloys of Transition Metals and Semiconductors Produced Using Chemical Reduction Method and Applied for the Production of Fixed Film Resistors, Proc. Of European Microelectronics Packaging and Interconnection Symposium, Cracow, Poland, 16-18 June 2002, 324-327
- [3] Bielinski J., Wybrane zagadnienia procesów bezprądowego osadzania warstw Ni-P, praca habilitacyjna, Politechnika Warszawska 1985
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-6ac90e12-c150-4b86-b38b-16ad1fde018d