Wpływ długoterminowych wymuszeń optycznych na charakterystyki widmowe detektorów UV

• Autorzy: Ćwirko, J. , Ćwirko, R.

Warianty tytułu

EN

Long-term optical exposure of semiconductor UV detectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Detektory UV są używane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych. W pracy przedstawiono wyniki eksperymentalnych badań półprzewodnikowych detektorów UV. Omówiono zrealizowane stanowisko badawcze umożliwiające poddawanie detektorów długoczasowym wymuszeniom optycznym oraz system pomiarowy do rejestracji charakterystyk widmowych.

EN

UV detectors are used in research, industry, and military applications. The paper presents the results of experimental investigations semiconductor UV detectors. The research stand to allow long-term optical exposure on detectors has been described and the measurement system. for recording spectral characteristics.

Słowa kluczowe

PL

półprzewodnikowe detektory UV; charakterystyka widmowa; długoterminowe pobudzenia optyczne

EN

semiconductors UV detectors; spectral characteristics; long-term optical excitation

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 11
• Strony: 98--102
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys.

Twórcy

autor

Ćwirko, J.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, ISE, ul. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa,

autor

Ćwirko, R.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, ISE, ul. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Fraden J., Handbook of Modern Sensors: Physics, Design and Applications, Springer, Berlin Heidelberg, New York 2003
• [2] Bielecki Z., Rogalski A., Detekcja sygnałów optycznych, Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, Warszawa 2001
• [3] Rieke G. H. Detection of Light:From the Ultraviolet to Submillimeter. Cambrigde University Press, 2003
• [4] Rogalski A., Advanced Technologies in Development of Optical Detectors, Elektronika 12/2004, 5136, 12-19
• [5] Ziętek B., Optoelektronika, Wydawnictwo Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, Toruń 2005
• [6] Szweda R., GaN and SiC detectors for radiation medicine. The Advanced Semiconductor Magazine, vol. 18, no 7, September/October 2005, .40-41
• [7] Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D. i inni Technology and characterisation of GaAsN/GaAs heterostructures for photodetector application. Optoelectronics Rev., March 2008,Volume 16. 1-7
• [8] Yan F., Zhao J. H., Olsen H.G., Demonstration of the first 4HSiC avalanche photodiodes. Solid-State Electronics 44 (2000), 341 - 346
• [9] Liu H-D. i in. Demonstration of Ultraviolet 6H-SiC PIN Avalanche Photodiodes. IEEE Photonics Technology Letters, vol. 18. No. 23,, pp. 2508-2510, Dec. 1, 2006
• [10] Ueda Y., Akita S., Nomura Y., Nakayama Y., Naito H.: Study of high temperature photocurrent of 6H-SiC UV sensors. Thin Solid Films 517 (2008), 1471-1473
• [11] Razeghi M.,Chen G. i inni. Type-II InAs/GaSb photodiodes and focal plane arrays aimed at high operating temperatures Optoelectronics Rev., September 2011, Volume 19, 361-369
• [12] Li M., Anderson W. A., Si-based metal-semiconductor-metal photodetectors with various modifications. Solid-State Electronics 51 (2007), 94 – 101

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.11.21