Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions

• Autorzy: Węgierek, P. , Billewicz, P.

Warianty tytułu

PL

Badania prawdopodobieństwa skokowej wymiany ładunków w GaAs napromieniowanym jonami H+

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.

PL

W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.

Słowa kluczowe

PL

defekty radiacyjne; energia aktywacji; przewodność skokowa; arsenek galu

EN

radiation defects; activation energy; hopping conductivity; gallium arsenide

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 11b
• Strony: 364-365
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr., wz.

Twórcy

autor

Węgierek, P.

• Lublin University of Technology, Department of Electrical Devices and High Voltage Technology,

autor

Billewicz, P.

• Lublin University of Technology, Department of Electrical Devices and High Voltage Technology,

Bibliografia

• [1] Żukowski P., Węgierek P., Billewicz P., Kołtunowicz T., Komarov F. F., Jump mechanism of electric charge transfer in gallium arsenide exposed to polyenergy implantation with H+ ions, Acta Physica Polonica A, 120 (2011), No. 1, 125-128
• [2] Kołtunowicz T. N., Zhukowski P., Fedotova V. V., Saad A. M., Fedotov A. K., Hopping conductance in nanocomposites (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)1-x manufactured by ion-beam sputtering of complex target in Ar+O2 ambient, Acta Physica Polonica A, 120 (2011), No. 1, 39-42
• [3] Zhukowski P., Kołtunowicz T. N., Fedotova J. A., Larkin A. V., An effect of annealing on electric properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon and oxygen beyond the percolation threshold, Przegląd Elektrotechniczny, 86 (2010), No. 7, 157-159
• [4] Zhukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Fedotova Yu. A., Larkin A. V., Hopping conductivity of metal-dielectric nanocomposites produced by means of magnetron sputtering with the application of oxygen and argon ions, Vacuum, 83 (2009), Supplement 1, S280-S283
• [5] Zukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Wegierek P., Kolasik M., Larkin A. V., Fedotova J. A., Fedotov A. K., Komarov F. F., Vlasukova L. A., A model of hopping recharging and its verification for nanostructures formed by the ion techniques, Przeglad Elektrotechniczny, 84 (2008), No. 3, 247-249 (In Polish)
• [6] Kowalski M., Partyka J., Węgierek P., Żukowski P., Komarov F. F., Jurchenko A. V., Freik D., Frequency-dependent annealing characteristics of the implant-isolated GaAs layers, Vacuum, 78 (2005), 311-317