Elektrotermiczny model tranzystora MESFET

• Autorzy: Bisewski, D. , Zarębski, J.

Warianty tytułu

EN

Electrothermal model of MESFET

• Konferencja: Computer Applications in Electrical Engineering 2012 (23-24.04.2012; Poznań, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc.. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.

EN

The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MESFET; samonagrzewanie; elektrotermiczny model elementu półprzewodnikowego

• Czasopismo: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
• Rocznik: 2012
• Tom: No. 71
• Strony: 9--16
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Bisewski, D.

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski, J.

• Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Mead C. A., Schottky Barrier Gate Field Effect Transistor, IEEE Proceedings, Volume 54, p. 307, 1966.
• [2] kartka katalogowa dostępna na stronie http://www.cree.com/products/pdf7crf24010.pdf.
• [3] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [4] PSPICE A/D Reference Guide Version 15.7, MicroSim Corporation, 2006.
• [5] kartka katalogowa dostępna na stronie http://www.cel.com/pdf7datasheets/ne650103.pdf.
• [6] Statz H. et al.: GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE. IEEE Transactions on Electron Devices, Volume ED-34, Number 2, pp. 160-169, 1987.
• [7] Górecki K., Zarębski J.: Nonlinear compact thermal model of power semiconductor devices. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, Volume 33, Number 3, pp. 643-647, 2010.
• [8] Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, Metrologia i systemy pomiarowe, Nr 8 (4), ss. 379-395, 2001.
• [9] Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J., Computer Measuring Set of Transient Thermal Impedance of Power Semiconductor Devices with Schottky Junctions, Computer Applications in Electrical Engineering, Gaudentium, Poznan University of Technology, pp. 224-234, 2008.
• [10] Bisewski D., Estimation of parameters of GaAs and SiC MESFETs using genetic algorithm, 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials, MIDEM, pp. 81-84, 2009.
• [11] Zarębski J., Bisewski D., Gimbut M., Liżewski Ł., Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora GaAs oraz SiC MESFET, Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, Nr 59, ss. 26-38, 2008.