Tranzystorowy przeciwsobny wzmacniacz mocy z nietypowym układem polaryzacji

• Autorzy: Kristof, A.

Warianty tytułu

EN

BJT push-pull power amplifier with an atypical bias circuit

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano układ tranzystorowego przeciwsobnego wzmacniacza mocy wykorzystującego nietypowy sposób polaryzacji tranzystorów mocy, umożliwiający pracę tego wzmacniacza w klasie B lub AB. Proponowany sposób polaryzacji polega na prądowym sterowaniu tranzystorami mocy, dlatego nadaje się szczególnie dobrze do współpracy z tranzystorami bipolarnymi (BJT). Przedstawiony układ stopnia mocy może stanowić równoprawną alternatywę dla tradycyjnych rozwiązań opartych o układ komplementarnego wtórnika emiterowego. W pracy wyjaśniono zasadę działania układu oraz przytoczono istotne wyniki przeprowadzonych badań eksperymentalnych (pomiarów), które potwierdzają zarówno możliwość jak i celowość konstruowania wzmacniaczy w oparciu o ten nietypowy i wymykający się tradycji paradygmat.

EN

This paper describes a circuit of the transistor push-pull power amplifier, which utilizes an atypical method of biasing the power transistorstowards the class B or class AB mode of operation. The proposed method of biasing is based on the current drive of the power transistors, and thus it is especially well suited for Bipolar Junction Transistors. The proposed circuit of power stage may be considered as an equivalent alternative to the traditional Complementary Emitter Follower based solutions. The principles of operation of this circuit are explained in this paper, and also the essential results of experimental work (measurements) are shown, which confirm the possibility and desirability of the construction of amplifiersaccording to this atypical and slipping out of the tradition paradigm.

Słowa kluczowe

PL

układy analogowe; wzmacniacze tranzystorowe; wzmacniacze mocy; wzmacniacze przeciwsobne

EN

analogue circuits; transistor amplifiers; power amplifier; push-pull amplifiers

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 11b
• Strony: 44-47
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Kristof, A.

• Politechnika Śląska w Gliwicach, Instytut Elektroniki,

Bibliografia

• [1] Self D., Audio Power Amplifier Design Handbook, Third Edition, Newnes, (2002)
• [2] Self D., Self on Audio, ISBN 0 7506 4765 5, Newnes, (2000)
• [3] Slone R., The Audiophile's Project Sourcebook: 80 High- Performance Audio Electronics Projects, McGraw Hill, (2001)
• [4] Slone R., High-Power Audio Amplifier Construction Manual, McGraw Hill, (1999)
• [5] Gołaszewski J., Wzmacniacze audio – poradnik konstruktora, Wydawnictwo BTC, Legionowo (2008)
• [6] Tietze U., Schenk Ch., Układy półprzewodnikowe, WNT Warszawa, (1993), 536-559
• [7] Gray P.R., Hurst P.J., Lewis S.H., Meyer R.G., St., Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, John Wiley & Sons, Inc., 4th edition, (2008), 344-398
• [8] Parkhurst at al., Low Distortion and High Slew Rate Output Stage for Voltage Feedback Amplifier, US Patent nr 7 009 450 B2, (Mar. 7, 2006)
• [9] Koyama at al., Audio Signal Amplifier Circuit …, US Patent nr 6 792 121 B2, (Sept. 14, 2004)
• [10] Bales E.J., Class AB Complementary Transistor Output Stage Having Large Output Swing and Large Output Drive, US Patent nr 5 786 731, (Jul. 28, 1998)
• [11] Kristof A., Układ polaryzacji tranzystorowego wzmacniacza przeciwsobnego umożliwiający pracę w klasie (A)B, Materiały XI Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, (11- 14.06.2012), 170-175
• [12] Kristof A., Przeciwsobny wzmacniacz mocy klasy AB z wyjściem prądowym, Przegląd Elektrotechniczny, 85 (2009), nr 11, 181-184
• [13] Black H.S., Stabilized feed-back amplifiers, Electrical Eng. (Jan. 1934), 114-120, dostępne również jako Classic Paper in Proceedings of the IEEE, vol. 87, no. 2, (Feb. 1999), 379-385
• [14] BC847DS; 45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor, Product data sheet, NXP Semiconductors, NXP B.V., www.nxp.com, Rev. 01, (August 2009)
• [15] BCM856BS; BCM856DS; PNP/PNP matched double transistors, Product data sheet, NXP Semiconductors, NXP B.V., www.nxp.com, Rev. 01, (August 2008)
• [16] PBSS4041SN; 60 V, 6.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor, Product data sheet, NXP Semiconductors, NXP B.V., www.nxp.com, Rev. 2, (October 2010)
• [17] TIP130, TIP131, TIP132 NPN SILICON POWER DARLINGTONS, Product information, βOURNS, www.bourns.com, June 1973, Rev. (September 2002)
• [18] TIP135, TIP136, TIP137 PNP SILICON POWER DARLINGTONS, Product information, βOURNS, www.bourns.com, June 1973, Rev. (September 2002)