Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo
2002 | 80 |
Tytuł artykułu

Formation by PECVD of very thin silicon oxynitride [SIOxNy] layers technology and characterisation

Treść / Zawartość
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
PL
Wydawca
-
Czasopismo
Rocznik
Tom
80
Opis fizyczny
p.257-266,fig.,ref.
Twórcy
autor
  • Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland
autor
autor
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.agro-article-9f5f951f-a256-42e7-94b7-4d84a6f7533e
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.