PL
 |
EN
Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN

Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo

World Scientific News

2017 | 67 | 2 |
Tytuł artykułu

Impact of the etching time and current density on Capacitance-Voltage characteristics of P-type of porous silicon

Autorzy
Hadi H.A. , Abood T.H. , Mohi A.T. , Karim M.S.
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Słowa kluczowe
Wydawca
-
Czasopismo
World Scientific News
Rocznik
2017
Tom
67
Numer
2
Opis fizyczny
p.149-160,fig.,ref.
Twórcy
autor
Hadi H.A.
  • Department of Physics, College of Education, Al-Mustanseriyah University, Baghdad, Iraq
autor
Abood T.H.
  • Department of Physics, College of Education, Al-Mustanseriyah University, Baghdad, Iraq
autor
Mohi A.T.
  • Department of Physics, College of Education, Al-Mustanseriyah University, Baghdad, Iraq
autor
Karim M.S.
  • Department of Physics, College of Education, Al-Mustanseriyah University, Baghdad, Iraq
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.agro-5dc57c73-ad0c-40ce-bd16-b5aba624df67
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.