Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Homozłącze

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Properties of n-p homojunction fabricated in CuInSe2 by indium diffusion

Kościelniak-Mucha B.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

2004

Vol. 24

61-69

Indium-diffused CuInSe2 n-p homojunction was fabricated and investigated. The dark current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the homojunction at room temperature have been measured to characterize the junction properties and its parameters. Photoelectric characteristics of the junction have been also examined, including current-voltage characteristic under illumination with white light intensity F=68 mWcm -2, the photo-response spectrum and the dependences of the short-circuit current and open-circuit voltage on the intensity of incident light.

Wytworzono n-p homozłącze poprzez dyfuzję indu w kryształ p-CuInSe2. Dla scharakteryzowania własności złącza i jego parametrów, badano jego charakterystyki prądowo-napięciowe i pojemnościowo-napięciowe w temperaturze pokojowej. Zbadano także fotoelektryczne charakterystyki tego złącza, tj. charakterystyki prądowo-napięciowe przy oświetleniu światłem białym o natężeniu 68 mWcm -2, rozkład widmowy fotoodpowiedzi oraz zależności prądu zwarcia i napięcia rozwarcia od natężenia światła padającego na złącze.