Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Cost development in logistics due to Industry 4.0

Čámská Dagmar, Klečka Jiří

LogForum

|

2020

|

Vol. 16, no. 2

219--227

EN

Background: This paper is focused on the development of costs and their structure in logistics companies. Industry 4.0 should trigger significant changes in technologies, business or society where logistics as an area of entrepreneur activity is no exception. Some areas of logistics as storage and warehousing should be even pioneers. It is supposed that human labor has been/will be substituted by other production factors. This substitution should influence economic variables of companies and their overall performance. Challenges of Industry 4.0 will not only be exposed to companies but also to government. It is necessary to monitor the environment and describe changes. Methods: Using published corporate financial statements the analysis is based on ratio analysis which describes cost structure and time series which show cost development on the level of individual companies operating in logistics. There are analyzed especially analytical indicators of selected cost items in terms of ratios, indicators of total costs and profitability. Results: The computed cost structure and development were summarized and evaluated by descriptive statistics. Conclusions: The obtained results show if and how significant there have been any changes in the level and structure of costs and profitability of logistics companies. Coming Industry 4.0 will have serious impact on business, government and individuals. This paper proves if the initiative Industry 4.0 can be already visible on the corporate data and results.

PL

Wstęp: W pracy poruszane jest zagadnienie rozwoju kosztów oraz ich struktury w przedsiębiorstwach logistycznych. Wdrożenie Industry 4.0 pociąga za sobą istotne zmiany w technologiach, biznesie oraz środowisku dla wszystkich rodzajów firm, w tym również logistycznych. Niektóre obszary logistyki jak magazynowanie powinny być nawet pionierami we wdrażaniu Industry 4.0. Ma to bezpośredni wpływ na zmienne ekonomiczne i ich ogólną kondycję. Wyzwania, jakie stawia Industry 4.0 dotyczą nie tylko firm ale również dla rządu. Niezbędne jest monitorowanie środowiska oraz opis zachodzących zmian. Metody: Dane do analizy pochodzą z publikowanych zeznań finansowych korporacji. Sama analiza opiera się na analizie porównawczej tych sprawozdań, opisujących strukturę kosztów oraz rozwój kosztów na poziomie indywidualnych przedsiębiorstw działających w branży logistycznej. Szczególnej analizie poddano wskaźniki analitycznej wybranych pozycji kosztowych, jak również dokonano analizy całości kosztów i zyskowności. Wyniki: Uzyskana struktura kosztów została podsumowana i oszacowana statystyką opisową. Wnioski: Uzyskane wyniki wskazują czy i jak istotne są zmiany w poziomie i strukturze kosztów oraz zyskowności przedsiębiorstw logistycznych. Nadchodzący Industry 4.0 będzie miał poważny wpływ na biznes, zarówno na poziomie rządu jak i poszczególnych przedsiębiorstw. W pracy udowodniono, że inicjację Industry 4.0 można już zauważyć w wynikach firm.

2

Elastyczne połączenie dla sygnałów dużej częstotliwości w układach zintegrowanych

Lisik Z., Raj E., Ruta Ł., Majocha A., Powierza J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 10

15-18

PL

W artykule przedstawiono procedurę umożliwiającą optymalny projekt elastycznego połączenia linią paskową w.cz. umożliwiającego elastyczną integrację dwóch elementów elastycznego systemu elektronicznego, np. przenośnego układu monitorującego, pracujących w różnych temperaturach.

EN

The paper presents a procedure that allows optimising design of flexible microstrip transmission line that connects two elements of electronic system e.g. mobile monitoring system. The optimisation procedure incorporates heat losses caused by operation of elements in two different temperatures, as well as transmission of high frequency signals.

3

Energetyczny portal innowacyjny CZ-PL - informacje na temat projektu

Herlender K., Pachl V.

Elektro Info

|

2014

|

nr 12

31--35

PL

W ramach Programu Operacyjnego Współpracy Transgranicznej 2007–2013 Republika Czeska – Rzeczpospolita Polska w styczniu 2012 roku rozpoczęto realizację projektu „Energetyczny Portal Innowacyjny CZ-PL“ (EPI), który został stworzony przez Agencję Energetyczną Trojzemi z Liberca i Dolnośląski Park Innowacji i Nauki z Wrocławia w celu wzmocnienia i rozszerzenia polsko-czeskich kontaktów i doświadczeń, które w efekcie końcowym mają przynieść korzyści dla obu stron.

4

Pressure-assisted generation of thermal donors in doped Cz-Si

Misiuk A., Prujszczyk M., Bak-Misiuk J., Romanowski P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 3b

261--263

EN

Generation of thermal donors (TD’s) in oxygen-containing Cz-Si, also admixed with N or Ge, annealed at about 720 K for up to 20 h, also under Ar hydrostatic pressure (HP) up to 1.4 GPa, was investigated by electrical and X-ray methods. Contrary to annealing at 723 K - 105 Pa, processing under HP leads to TD’s concentration peaking at the wider temperature range, it is also dependent on dopants present in Cz-Si. HP processing results also in other hitherto not known effects.

PL

Zbadano, przy zastosowaniu metod elektrycznych i rentgenowskich, generację donorów termicznych (TD’s) w zawierającym tlen CzSi, w tym domieszkowanym N lub Ge i wygrzanym w ok. 720 K przez czas do 20 godzin w warunkach wysokiego ciśnienia hydrostatycznego Ar (HP), do 1,4 GPa. W przeciwieństwie do efektu wygrzania Cz-Si w 723 K pod ciśnieniem 105 Pa, wygrzanie w warunkach HP prowadzi do zwiększonej koncentracji TD’s w szerszym zakresie temperatur i innych nieznanych dotąd efektów.

5

Analiza obwodu zasilania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy D

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 1

54-58

PL

Rezonansowe wzmacniacze mocy klasy D i klasy DE są zasilane napięciowo, zatem ich źródło zasilające DC powinno być zbliżone do idealnego źródła napięciowego. Praktyczna realizacja takiego zasilania wymaga zastosowania w układzie wzmacniacza mocy dodatkowego elementu w postaci kondensatora blokującego, którego zadaniem jest zwarcie rzeczywistego źródła zasilającego dla prądu o częstotliwości wzmacnianego sygnału i jej harmonicznych. Parametry tego kondensatora, znajdującego się w obwodzie mocy w. cz., mogą wpływać na właściwości wzmacniacza mocy (m. in. na sprawność energetyczną i poziom zakłóceń elektromagnetycznych). W artykule przedstawiono zasady doboru pojemności kondensatorów blokujących zasilanie wzmacniaczy klasy D i klasy DE. Przeanalizowano także skutki niezerowej rezystancji strat i indukcyjności szeregowej rzeczywistych kondensatorów.

EN

Class-D and Class-DE resonant power amplifiers should be supplied by an ideal DC-voltage source with internal resistance equal to zero. Hence, in built Class-D and Class-DE amplifiers an additional capacitor bypassing the real non-ideal supply source for the operating frequency and its harmonics is needed. This capacitor is included in the HF power circuit of the amplifier therefore it can decrease the efficiency and increase the level of electromagnetic interferences of this amplifier. In the paper principles of calculation of the power supply bypass capacitance in the Class-D and Class-DE amplifiers are presented. Effects of non-zero loss resistance and series inductance of real capacitors are also analyzed.

6

Przekształtnik napięcia stałego na trójfazowe napięcie przemienne z pośrednim obwodem transformatorowym podwyższonej częstotliwości

Nowak M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 2

115-119

PL

Artykuł poświęcono wstępnej analizie modelu przekształtnika służącego do sprzęgnięcia źródła napięcia stałego z trójfazowym systemem napięcia przemiennego przy zastosowaniu w torze sprzęgu transformatora izolującego podwyższonej częstotliwości. Trójfazowy przekształtnik zrealizowany i zastosowaniem dwukierunkowych napięciowo-prądowych łączników złożonych z IGBT i diod umożliwia bezpośrednie przetwarzanie fali prostokątnej o częstotliwości kilku do kilkunastu kHz w trójfazowe napięcie małej częstotliwości formowane metodą PWM. Istotnym problemem, którego rozwiązanie przedstawiono w referacie jest sterowanie zaworów, które umożliwi miękkie przełączanie pomimo indukcyjności rozproszenia transformatora pośredniczącego.

EN

The paper is devoted to the simulation of converter designed for coupling of DC voltage source with three phase AC source or load using intermediate transformer high frequency link. The three phase source connected bridge of six bi-directional switches based on two IGBT and Iwo diodes each permit for direct conversion of high frequency rectangular voltage wave into three phase PWM low frequency voltage. The important problem, which is solved in the paper concern on proper control of IGBTs in the aim to obtain soft switching in spite of coupling transformer leakage induclance. The value of this inductance has a significant influence on converter parameters what is illustrated by included relations.

7

Ujawnienie historii radiacyjnej napromieniowanego elektronami krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego poprzez po-radiacyjną obróbkę termiczną

Misiuk A., Jung W., Prujszczyk M., Bak-Misiuk J., Felba J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 7

29-31

PL

Domieszkowany borem krzem otrzymany metodą Czochralskiego (Cz-Si), o orientacji (001) i o koncentracji domieszki tlenowej ok. 9x1017 cm-3, został napromieniowany elektronami o energii 40 keV i dawkach do 2.5x1016 cm-2. W wyniku wygrzewania w temperaturze do 1400 K, także pod wysokim ciśnieniem (do 1,2 GPa) argonu, ulega wydatnej zmianie koncentracja elektronów przewodnictwa oraz struktura defektowa Cz-Si. Podano wyjaśnienie tego zjawiska i zaproponowano jego wykorzystanie do ujawnienia napromieniowania krzemu elektronami.

EN

Boron doped (001) orientated Czochralski grown silicon (Cz-Si) with concentration of oxygen interstitials of about 9x1017 cm-3, was irradiated with electrons (energy 40 keV, doses up to 2.5x1016 cm-2). In effect of annealing at 1400 K, also under high hydrostatic Ar pressure, up to 1.2 GPa, concentration of carriers in the conduction band and defect structure of Cz-Si are changing markedly. Explanation of this effect is proposed and its application for revealing the electron irradiation history of Cz-Si is suggested.

8

Comparative analysis of the influence of low-energy hydrogen and helium ion-beam treatments on the structural and electrical properties of CzSi wafers

Zinchuk O., Fedotov A., Cuong N., Mazanik A., Krekotsen N., Uknov V., Staskov N., Sotski A., Turishchev S., Węgierek P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 7

211-214

EN

Standard commercial 4.5 - 40 [omega]cm both n- and p-type CzSi wafers were subjected to hydrogen or helium ion-beam treatments at 25-350°C. The ion energy was equal to 300 eV, current density - 0.15 mA/cm2, treatment duration - 30 min. According to the conducted experiments, the hydrogen and helium ion beam treatments had similar influence on the sheet resistance, thermo EMF sign and photovoltage spectra of Cz Si wafers. In case of the p-type wafers, in particular, a growth of the sheet resistance and a change of the thermo EMF sign on the ion treated surface as well as the appearance of a photovoltage signal over a wide spectral range were observed, pointing to the occurrence of the near-surface band bending. As found from our experiments, both hydrogen and helium ion beam treatments lead to the formation of a thin (several nanometers) oxygen-containing insulating layer on the treated surface. However, a thickness of this layer and the oxygen in-depth distribution strongly depend on the regime of ion-beam treatment and type of the ions used, namely in the case of H+ ion-beam treatment the oxygen-containing layer is much thicker compared to that with the use of He+.

PL

Standardowe płytki CzSi 4,5 - 40 [omega] cm typu n oraz p zostały poddane działaniu wiązek jonowych wodoru i helu o energii 200eV, w zakresie temperatur 25-350°C. Gęstość prądu wynosiła 0,15mV/cm2, a czas trwania obróbki - 30 min. Na podstawie przeprowadzonych eksperymentów stwierdzono, że jonowe wiązki helu i wodoru mają podobny wpływ na rezystancję warstwy, zwrot sił termoelektromotorycznych oraz widma fotonapięcia w płytkach CzSi. Szczególnie a przypadku płytek typu p zaobserwowano wzrost rezystancji warstw i zmianę znaku sił termoelektromotorycznych w obrabianej jonowo powierzchni jak również pojawienie się sygnału fotonapięcia w szerokim zakresie widmowym, co wskazuje na pojawienie się okołopowierzchniowego ugięcia pasma. Przeprowadzone eksperymenty wykazały, że obróbka jonowa wiązką zarówno helu jak i wodoru prowadzi do utworzenia się na obrabianej powierzchni cienkiej (rzędu kilku nanometrów), zawierającej tlen warstwy izolacyjnej. Jednakże, grubość tej warstwy oraz rozkład głębokościowy tlenu są silnie uzależnione od warunków przeprowadzenia obróbki oraz typu zastosowanych jonów, a mianowicie w przypadku oddziaływania wiązką jonów H+ warstwa zawierająca tlen jest grubsza niż w przypadku użycia jonów He+.

9

Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p

Mirowska A., Orłowski W.

Materiały Elektroniczne

|

2010

|

T. 38, nr 1

17-32

PL

Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.

EN

Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.

10

Zjawiska fluktuacyjne w obszarze interfejsu warstw rezystora grubowarstwowego

Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

22-25

PL

Pokazano, że pewne systemy past rezystywnych i przewodzących używane do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych cechuje wzrost gęstości termicznie aktywowanych źródeł szumów ulokowanych w obszarze interfejsu warstw. Te źródła szumów podlegają procesowi przełączania, który skokowo zmienia układ aktywnych fluktuatorów i ich wkład w całkowity szum mierzony na zaciskach rezytora. Badania pozwalają związać zjawisko przełączania z uwalnianiem naprężeń mechanicznych, które w rezystorach grubowarstwowych powstają na skutek niedopasowania temperaturowych współczynników rozszerzalności liniowej materiałów wchodzących w skład warstw rezystywnej i przewodzącej oraz podłoża.

EN

It is shown that certain resistive and conductive inks used for the fabrication of thick film resistors are characterized by enhanced denisty of thermally activated noise sources localized in the resistive/conductive layers interface. These noise sources are subjected to the switching phenomenon, which narrowly changes the set of active fluctuators and their contribution to the overall noise measured at resistors terminations. Extensive experiments allow to attribute the switchings to the relaxation of mechanical stress, which in thick film resistors appears due to the mismatch of thermal expansion coefficients of the materials contained in the layers and/or the substrate.

11

A New Method of Measuring Twist of Yarn

Czaplicki Z.

Fibres & Textiles in Eastern Europe

|

2006

|

Vol. 14, no. 1 (55)

27--29

EN

The paper presents a new method for determining yarn twist that eliminates the drawbacks of the presently used ‘reverse-twisting method’. The new method may be described as a ‘two-end untwisting/twisting method’. In this method, the test sample of a yarn is subjected to untwisting and twisting by two clamps rotating in opposite directions. Pre-tension of the test sample is effected by loading it at its mid-length point, by virtue of which the sample takes the shape of a broken line instead of a straight line. Owing to the use of two rotating clamps and pre-loading the sample at its middle point, there is no ‘ballooning’ of the sample during testing. The ballooning phenomenon occurring in the reverse twisting method is responsible for uncontrolled elongation of the test sample, due to slippage of the fibres. The two-end untwisting/twisting method is much less sensitive to the amount of pre-tension applied to the test sample. For the purposes of this method a special twist-meter, described as CZ/V-1, was designed and made. On comparing the results of testing twist by the ‘reverse twisting method’ on the Zweigle twist-meter D-314 and the results obtained by the ‘two-end twisting method’ on twist-meter CZ/V-1, it was found that the new method of two-end twisting was at least 50% more accurate than reverse twisting.

PL

Przedstawiono nową metodę pomiaru skrętu przędzy nazwana metodą obustronnego przekręcania próbki, która eliminuje niektóre błędy występujące w metodzie „odwrotnego skrętu”. W metodzie tej próbka przędzy jest rozkręcana i skręcana do skrętu odwrotnego dwoma zaciskami obracającymi się w przeciwnych kierunkach. Naprężenie wstępne próbki działa w jej środku, powodując jej niewielkie „załamanie”, co w czasie jej rozkręcania i skręcania eliminuje powstawanie zjawiska „balonowania”. Dla metody tej zostało opracowane nowe rozwiązanie skrętomierza, który otrzymał nazwę Twist-tester CZ/V-1. Skrętomierz CZ/V-1 posiada dwa obrotowe zaciski o jednakowych, przeciwnych obrotach oraz specjalne urządzenie naprężające wstępnie próbkę przędzy w jej środku. Analiza porównawcza wyników badań skrętu uzyskanych metodą obustronnego przekręcania i metodą odwrotnego skrętu przy stosowaniu skrętomierza Zweigle’a wykazała, iż nowa metoda jest bardziej dokładna i o 50% mniej czuła na wartości naprężeń wstępnych. W nowej metodzie nie występuje zjawisko „balonowania” próbki w czasie pomiaru jej skrętu a zatem nie występuje jej niekontrolowane wydłużanie się, spowodowane rozślizgiwaniem się włókien. Metoda obustronnego przekręcania i skrętomierz CZ/V-1 zostały sprawdzone na przędzach testowych obrączkowych i bezwrzecionowych. Uzyskane wyniki potwierdziły wyższość nad dotychczasowymi rozwiązaniami w dziedzinie badań skrętu przędz. Nowa metoda i urządzenie CZ/V-1 zostały zgłoszone do ochrony w Urzędzie Patentowym RP pod numerem P-344096.