Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Ługowanie ultadźwiękowe w recyklingu indu

Stępień M., Pietrzyk S., Palimąka P.

Rudy i Metale Nieżelazne Recykling

|

2017

|

R. 62, nr 2

15--20

PL

Obecnie ok. 70% światowej produkcji indu przeznaczone jest do wytwarzania ITO, będącego mieszanką tlenków ln203 i Sn02 o unikatowych właściwościach, wysokiej przezroczystości dla światła w zakresie widzialnym oraz niskiej oporności elektrycznej. Dzięki tym właściwościom, ITO znalazło szerokie zastosowanie w produkcji ekranów LCD, które są powszechnie wykorzystywane w telewizorach, monitorach komputerów stacjonarnych, laptopach, a także w wyświetlaczach telefonów komórkowych. Brak sensownej alternatywy dla ITO w obszarze zaawansowanej technologii oraz niewielkie i zmonopolizowane przez jeden kraj zasoby indu sprawiają, że konieczne staje się opracowanie technologii odzysku indu z tego typu ekranów. W artykule omówiono konstrukcję ekranu LCD pod kątem odzysku indu oraz dane literaturowe dotyczące dotychczasowych prób recyklingu indu poprzez kwaśne ługowanie. Przedstawiono również wyniki badań własnych, dotyczących ługowania indu wspomaganego ultradźwiękami ze zmielonego ekranu LCD.

EN

Now a days, about 70% of world production of indium is used for the manufacture of ITO. ITO is a mixture of oxides ln203 and 5n02 with unique properties, high optical transparency for visible light and low electrical resistance. Due to this feature ITO were widely used in the production of LCD screens used in TVs, PC monitors, laptops and mobile phones. A lack of good alternative to ITO in the area of high technology, small and concen¬trated in one hand indium resources make it necessary to develop the technology of indium recovery from LCD screens. In this paper the design of the LCD screen for the recovery of indium and acid indium leaching were discussed. The results of laboratory on the leaching of indium ultrasound assisted with ground LCD screen were presented.

2

Impact of selected parameters on extraction of indium from LCD screens

Stępień M., Palimąka P., Bukowska A.

Metallurgy and Foundry Engineering

|

2017

|

Vol. 43, no. 4

305--311

EN

Due to the minute availability of indium and its crucial importance to the world economy, it is necessary to find alternative sources of this metal. As a large proportion of indium production is consumed for the purpose of LCD screen manufacturing, it seems reasonable to investigate their recycling leading to the recovery of this metal. The present work investigates the impact of time, temperature, and the concentration of sulfuric acid on the effectiveness of indium extraction from milled LCD panel glass scrap originating from portable computers manufactured between 2005 and 2012. The conclusion of our research defines the optimal conditions for extraction.

PL

Ze względu na niewielkie zasoby indu i jego kluczowe znaczenie dla gospodarki światowej konieczne jest poszukiwanie alternatywnych zasobów tego metalu. Ponieważ ind wykorzystywany jest głównie w produkcji ekranów w technologii LCD, racjonalny wydaje się ich recykling w kierunku odzysku tego pierwiastka. W niniejszej pracy zbadano wpływ czasu, temperatury oraz stężenia kwasu siarkowego na efektywność ługowania indu ze zmielonej frakcji szklanej paneli LCD pochodzących z komputerów przenośnych z lat 2005–2012. W wyniku badań określono optymalne warunki ługowania.

3

Woltamperometryczna analiza redukcji jonów indu(III) w rozcieńczonych roztworach azotanowych zawierających związki kompleksotwórcze

Rudnik E., Lechowicz-Kozłowska E.

Rudy i Metale Nieżelazne Recykling

|

2016

|

R. 61, nr 8

355--360

PL

Przeprowadzono badania redukcji jonów In(III) w kwaśnych roztworach azotanowych bez dodatku i w obecności związków kompleksotwórczych. W pomiarach wykorzystano metodę woltamperometrii cyklicznej oraz elektrochemiczną mikrowagę kwarcową. W roztworach bez dodatków oraz w obecności jonów cytrynianowych lub EDTA, redukcja jonów In(III) zachodzi przy potencjałach poniżej -0,9 V (NEK), lecz na krzywych nie obserwuje się pików anodowych - ind roztwarza się wtórnie w kontakcie z elektrolitem. Dodatek jonów SCN- umożliwia redukcję jonów In(III) do postaci metalicznej wskutek adsorpcji na katodzie i tym samym prowadzi do silnego hamowania reakcji równoległej redukcji jonów wodorowych.

EN

Reduction of In(III) ions in acidic nitrate solutions in the presence or without addition of complexing agents. Cyclic voltammetry and electrochemical quartz microbalance methods were used. In the absence and in the presence of citrate ions or EDTA, In(III) ions are reduced at potentials below -0.9 V (SCE), but anodic peaks were not observed in the reverse scan. It was found that indium dissolved chemically in the contact with the electrolyte. Addition of SCN- ions allows the reduction of ions In(III) to the metal due to strong adsorption on the cathode and thus inhibition of reduction of hydrogen ions.

4

Hydrometallurgical methods of indium recovery from obsolete LCD and LED panels

Kristofova P., Rudnik E., Miskufova A.

Metallurgy and Foundry Engineering

|

2016

|

Vol. 42, no. 3

157--170

EN

This paper shows a review of literature data on the possibilities of indium recovery from ITO layers of waste LCD and LED displays. A short characterization of indium, its compounds, resources, production, and applications is presented. The structure and operation of LCD displays are shown. A detailed overview of the ITO leaching process is presented. Methods of indium(III) ion separation from the leachate solutions (SX, HoLLE, IX) as well as recovery of the final products (precipitation, cementation, electrowinning) are also shown.

PL

Artykuł przedstawia przegląd literatury na temat odzysku indu z warstw ITO w zużytych panelach LCD i LED. Przedstawiono krótką charakterystykę indu, jego związków chemicznych, zasobów, produkcji i zastosowań. Omówiono budowę i zasadę działania paneli LCD. W sposób szczegółowy opisano proces ługowania ITO. Przedyskutowano także metody rozdziału jonów indu(III) z roztworów po ługowaniu (SX, HoLLE, IX) oraz odzysku produktów końcowych (strącanie, cementacja, elektroliza).

5

Możliwości pozyskiwania indu w warunkach krajowych

Jarosiński A., Cholewa M.

Cuprum : czasopismo naukowo-techniczne górnictwa rud

|

2016

|

nr 2

5--16

PL

W roku 2013 światowa produkcja indu wynosiła około 780 Mg. Największymi producentami indu są Chiny, Japonia, Kanada i Rosja. Ind został zaliczony do grupy krytycznych surowców mineralnych dla gospodarki UE. Można spodziewać się, że popyt na surowce indonośne oraz ind metaliczny będzie się zwiększał wraz z rozwojem nowych technologii i produktów. Surowcem krajowym do otrzymywania indu mogą być szlikry miedziowe, pochodzące z rafinacji ołowiu surowego z procesu ISP. Zawartość indu w tym materiale wynosi od 25 ppm do 2300 ppm. W pracy zasugerowano kierunki, wskazano badania i metody odzysku, które umożliwiłyby odzysk indu w warunkach krajowych.

EN

Worldwide production of indium was in 2013 year about 780 Mg, the largest producers are China, Japan, Canada and Russia. Indium was included in the group of critical raw materials for the EU economy. It is expected that demand for critical raw materials and indium will be increasing with the development of new technologies and products. Domestic raw materials for indium can be by-product deriving from lead refining from ISP process. Contain of indium In this material amounts from 25 ppm to 2300 ppm. The chapter proposes solutions and further research directions and ways of recovery that enable the recovery of indium In the domestic conditions.

6

Właściwości fizyko-chemiczne cienkich warstw ZnO-In-O

Ziaja J.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2012

|

Z. 259

49--50

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości elektrycznych cienkich warstw tlenkowych Zn-In-O. Warstwy te otrzymano metodą impulsowego rozpylania magnetronowego metalicznego targetu o składzie wagowym 80%Zn-20%In w obecności czystego argonu. Przedstawiono wpływ częstotliwości grupowej na skład chemiczny i mikrostrukturę uzyskanych warstw. Częstotliwość grupową zmieniano od 50 Hz do 4,5 KHz. Ciśnienie gazu roboczego ustalono na poziomie 1,3 Pa, a moc wydzieloną na elektrodzie podczas procesu rozpylania na poziomie 200 W. Warstwy tlenkowe do badań mikroskopowych nakładano na podłoża szklane typu CORNIG, a do badań elektrycznych na podłoża szklane z naniesioną przewodzącą warstwę tlenku cyny i indu (ITO). Badania prądów resorpcji i absorbcji wykazały, że w warstwach istnieje ładunek elektryczny wprowadzony podczas procesu rozpylania. Stwierdzono również wpływ częstotliwości grupowej na skład chemiczny uzyskanych warstw. Wykazano, że ze zwiększeniem częstotliwości grupowej zwiększa się liczba i rozmiar skupisk metalicznego indu.

EN

The paper presents the results of the electrical properties of the oxide layers Zn-In-O. These layers were obtained by pulsed magnetron sputtering of metallic targetu composition by weight 80% Zn – 20% In the presents of pure argon. The influence of group frequency on the chemical composition and microstructure of the obtained layers. Frequency group varied from 50 Hz to 4.5 KHz. Working gas pressere was set at 1.3 Pa and the power of a dedicated process on the electroce sputtering at 200 W. Oxaide layers for microscopic examination was applied to a gass substrate CORNING, and electrical testing on glass substrates coated with a coductive layer of tin oxide and indium (ITO). Studies of bone resorption and absorption currents have shown that i the layers is the electric charge introdiuced during the sputtering process. It was also influenced by the frequencey of group on the chemical composition of the layers obtained. I was shown that an increase in the frequencey of group increases the number and size of cluster of large numbers of indium matal.

7

Technologie odzysku indu : przegląd literaturowy

Piwowońska J.

Rudy i Metale Nieżelazne

|

2009

|

R. 54, nr 2

76-82

PL

W artykule zaprezentowano główne kierunki zastosowań indu i jego związków, jak też ich decydujące właściwości fizyczne i chemiczne. Na podstawie dostępnej literatury przedstawiono przegląd stosowanych na świecie metod odzysku indu z różnych surowców, jak też metod jego rafinacji. Przedstawiono również ocenę technologicznych aspektów odzysku indu z półproduktów krajowych rafinacji ołowiu.

EN

The paper presents the main industrial applications of indium and its compounds as well as, their relevant physical and chemical properties. The methods used worldwide for indium recovery from different sources and for crude metal refining was reviewed on the basis of reference literature. The evaluation of technological aspects of indium recovery from domestic lead refineries byproducts has been discussed.

8

Reakcje alkilowych związków metali grupy 13 z alkilo- i benzenodiolami oraz (hydroksyalkilo)fenolami

Ziemkowska W.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Chemia

|

2006

|

z. 75

3-116

PL

Opisano syntezę, właściwości i zastosowania kompleksów otrzymanych w reakcjach alkilo-dioli, benzeno-1,2-dioli i 2-(hydroksyalkilo)fenoli z trialkilowymi związkami glinu, galu i indu. Przedstawiono i przedyskutowano wpływ zawad sferycznych w resztach diolanowych, wielkości grup alkilowych związanych z atomami metalu i efekt elektrono-akceptorowy spowodowany obecnością pierścieni aromatycznych w Ugandach na przebieg reakcji i na strukturę produktów. Pokazano reakcje dwucentrowych diolanów glinu i galu z trialkilowymi związkami grupy 13 jako metodę otrzymywania kompleksów z mieszanymi Ugandami i z różnymi atomami metalu. Reakcje transmetalacji polegające na wymianie fragmentu cząsteczki zawierającego atom metalu podstawiony dwiema tón-butylowymi grupami na atom metalu związany z innymi grupami alkilowymi przedstawiono jako jeszcze jedną metodę syntezy mieszanych kompleksów. Pokazano zależność reaktywności diolanów alkiloglinowych od długości wiązań Al-0 w cząsteczce diolanu. Dowiedziono, że reakcje trimerycznych benzeno-1,2-diolanów i benzeno-pinakolanów alkiloglinowych z zasadami Lewisa, wodą, alkoholami i diolami polegają na eliminacji cząsteczki trialkiloglinu z cząsteczki kompleksu. Niniejsze opracowanie zostało przedstawione Radzie Wydziału Chemicznego Politechniki Warszawskiej i zawiera treści wcześniej opublikowane w 11 artykułach [1-11].

EN

The synthesis, properties, and applications of compounds obtained from the reactions of alkyldiols, 1,2-catechols, and 2-(hydroxyalkyl)phenols with trialkylaluminum, -gallium, and -indium are described. The influence of the steric hindrances of diolate units, the bulkiness of alkyi groups bonded to metal atoms, and the electron-withdrawing effects of ligands on the reaction pathways and the structure of the products are shown and discussed. The reactions of binuclear alane and gallane diolates with group 13 metallanes are presented as a route to mixed-ligand and mixed-metal complexes. The replacement of metal atoms bonded to two alkyi groups (transmetallation reaction), is presented as another method of mixed-~complex synthesis. The dependence of the reactivity of alkylaluminum diolates on the Al-0 bond-distances is discussed. It was shown that in the first step of the reactions of trimeric alkylaluminum 1,2-ca-techolates and benzopinacolates with Lewis bases, water, alcohols, and diols, there is an elimination of the trialkylaluminum molecule from the molecule of the diolate complex.

9

Własności związków In-Se

Michalewicz A.

Zeszyty Naukowe. Matematyka - Fizyka / Politechnika Śląska

|

2004

|

z. 91

213-241

PL

Ind i selen tworzą szereg trwałych związków chemicznych (InSe, In2Se3, In4Se3, In5Se7, In6Se7), z których każdy występuje w kilku odmianach krystalograficznych. Materiały te są interesujące ze względu na ich potencjalne zastosowanie w technologii półprzewodnikowej, w ogniwach fotowoltaicznych i elektrochemicznych, a także urządzeniach przełączających. Najważniejsze własności tych związków przedstawiono w niniejszej pracy.

EN

Indium and selenium combine into several stable che-mical compounds [97] (InSe, In2Se3, In4Se3, In5Se7, In6Se7I), each available in varius crystalline modifications. These materials are interesting because of their applicability in semiconductor technology, electrochemical and photovoltaic cells and switching devices. The most important properties of these compounds are presented in this paper.

10

Kompozyty Si3N4-TiC modyfikowane tlenkami galu, indu, ceru, cyrkonu i cynku.

Szafran M., Bobryk E., Lipiec W., Olszyna A.

Inżynieria Materiałowa

|

2002

|

R. XXIII, nr 6

742-745

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad modyfikacją kompozytów ceramicznych w układzie Si3N4-Al2O3-Y2O3-TiC tlenkami: galu, indu, ceru, cyrkonu i cynku w celu zwiększenia odporności materiału na kruche pękanie. Wartość współczynnika intensywności naprężeń KIC dla wszystkich składów jest bardzo wysoka i waha się od 7,5 do 9 MPa x m do 0,5 w zależności od rodzaju i ilości wprowadzonej domieszki. Największą odpornością na kruche pękanie charakteryzowały się spieki 60% Si3N4-Al2O3-3,5%Y2O3-15% TiC z dodatkiem 11,5% ZrO2 lub 6,5% CeO. Interesujący jest fakt doświadczalny, że wraz ze wzrostem współczynnika KIC nie zmniejsza sie radykalnie twardość spieków. W celu wyjaśnienia przyczyny znaczącego wzrostu odporności na kruche pękanie przeprowadzono badania mikrostruktury spieków.

EN

The paper presents the results of experiments on the modification of ceramic composites of the Si3N4-Al2O3-Y2O3-TiC system by adding gallium, indium, cerium, zirconium or zinc oxides, with the aim of improving the fracture toughness of the material. For all the compositions, the value of the stress intensity factor KIC is very high and ranges from 7.5 to 9 MPa x m to 0,5 depending on the kind and amount of the additive. The best fracture toughness was obtained in 60% Si3N4-Al2O3-3,5%Y2O3-15%TiC sinters added with 11,% of ZrO2 or 6,5% of CeO. An interesting experimental fact is that an increase of the KIC value does not result in any drastic decrease of the material hardness. In order to explain the role played by the additives in increasing so significantly the fracture toughness of the sintered materials, their microstructures were examined.

11

Complexometric determination of indium(III) using 2-mercaptoethanol as masking agent

Joseph A., Narayana B.

Chemia Analityczna

|

2000

|

Vol. 45, No. 5

751-754

EN

An indirect complexometric method is described for the determination of In(III) in the presence of other metal ions and anions using 2-mercaptoethanol as the masking agent. In(III) and other metal ions are initially complexed with an excess of EDTA and the surplus EDTA titrated back with standard zinc sulfate solution at pH 5.0-6.0 (hexamine) using xylenol orange as indicator. A known excess of aqueous 10% 2-mercaptoethanol solution is then added to release the complexed EDTA from In- EDTA complex and is then titrated with zinc sulfate solution to the same sharp end point. Accurate and reproducible results are obtained for 2.3-46 mg of In(III). The effects of various cations and anions are also studied. The method is applied for the determination of In(III) in artificial mixtures corresponding to alloy compositions.

PL

Opisano metodę oznaczania In(III) w obecności jonów innych metali i anionów za pomocą pośredniego miareczkowania kompleksometrycznego, stosując 2-merkapto-etanol jako czynnik maskujący. In(III) i inne jony metali kompleksowano początkowo nadmiarem EDTA a następnie odmiareczkowywano wolny EDTA mianowanym roztworem siarczanu cynku przy pH roztworu 5.0-6.0 (utrzymywanym za pomocą sześciometyleno-tetraaminy), stosując jako wskaźnik oraz ksylenolowy. Do tak przygotowanej próbki dodawano znany nadmiar 10% wodnego roztworu merkaptoetanolu w celu uwolnienia EDTA z kompleksu In-EDTA i odmiareczkowywano go roztworem siarczanu cynku do tego samego ostrego punktu końcowego. Dokładne i powtarzalne wyniki uzyskano przy zawartości indu(III) w granicach 2.3-46 mg. Zbadano także wpływ różnych kationów i anionów na wyniki oznaczeń. Metodę tę zastosowano do oznaczania In(III) w syntetycznych mieszaninach odpowiadających swoim składem różnym stopom indu.

12

Structural study of InGaAs/GaAs heterostructures.

Kątcki J., Rzodkiewicz W., Ratajczak J., Adamczewska J., Regiński K., Phillipp F., Jin-Phillipp N.Y.

Inżynieria Materiałowa

|

1998

|

R. XIX, nr 4

844-847

EN

This paper reports results of the investigation of the influence of the profile of indium content in a InxGa1-xAs layer on the formation of dislocations. In GaAs/GaAs heterostructures were grown by molecular beam epitaxy (MBE). Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) and x-ray diffractometry was involved. A difference in dislocation structure was observed in a heterostructure with a graded-index layer and with InxGa1-xAs multilayers.

13

Investigation of III-V semiconductor heterostructures.

Kątcki J., Ratajczak J., Adamczewska J., Lewandowski W., Rzodkiewicz W., Shiojiri M., Phillipp F.

Inżynieria Materiałowa

|

1998

|

R. XIX, nr 4

791-796

EN

In this paper an overview of analytical techniques necessary for characterization of the growth processes of III-V semiconductor heterostructures is given. The application of electron microscopic techniques as well as x-ray diffraction and photoluminescence is emphasized. The heterostructures discussed were grown by various techniques of epitaxy.