Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 40

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotoluminescencja
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
EN
The possibility of obtaining zinc selenide and zinc sulfide layers of hexagonal modification by isovalent substitution method is shown. They are characterized by intensive luminescence which is formed by the dominant annihilation of bound excitons for α-ZnSe and recombination on donor-acceptor pairs for α-ZnS. The resulting radiation covers the violet wavelength range. Quantum radiation efficiency reaches η = 10–12% for α-ZnSe and η = 5–8% for α-ZnS. The radiation is characterized by high temperature stability and repeatability of characteristics and parameters.
PL
Pokazano, że możliwe jest uzyskanie heterogennych warstw selenku i siarczku cynku o modyfikacji heksagonalnej za pomocą metody izowalentnego podstawienia. Charakteryzują się one intensywną luminescencją, która powstaje w wyniku anihilacji związanych ekscytonów dla dominującego pasma α-ZnSe i rekombinacji na parach donor-akceptor w przypadku α-ZnS. Otrzymane promieniowanie pokrywa fioletowy zakres optyczny. Sprawność kwantowa promieniowania wynosi η = 10–12% dla α-ZnSe i η = 5–8% dla α-ZnS. Promieniowanie charakteryzuje się wysoką stabilnością temperaturową oraz powtarzalnością charakterystyk i parametrów.
EN
This work details about the isolation of CuO nanoflakes by a simple precipitation technique. Further it is coated over ITO substrate using spin coating technique. DSS cell capabilities were checked by placing a drop of plant dye derived from pomegranate. Design/methodology/approach: CuO nano flakes, a novel Nano sized metal oxide have been synthesized by sol-gel method. The synthesised flakes were characterized by using XRD (X-ray diffraction), FESEM, UV-VIS and PL measurements techniques. XRD studies show that, the copper oxide formed has monoclinic structure. Findings: The grain size of the synthesized copper oxide nanoflakes were measured from FESEM and found that the size was around 200 nm. The UV-VIS measurement show that the band gap of CuO nanoflakes were found to be 3.03 eV, which is in the range of a good semiconductor. Finally, the dye sensitized solar cell was fabricated and its power conversion efficiency η (PCE) was determined. Practical implications: The search for green sources or generators of energy is considered as one of the priorities in today's society and occupies many policy maker’s agenda. It is believed that nanocrystalline photovoltaic devices are becoming viable contender for large scale future solar energy converters.
PL
W niniejszym artykule przedstawione zostały wyniki badań defektów w strukturach fotowoltaicznych na bazie CdTe, otrzymanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Do charakteryzacji defektów w badanych złączach wykorzystano różne metody pomiarowe, takie jak: charakterystyki prądowo-napięciowe, niestecjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS) i fotoluminescencja (PL), mierzone w szerokim zakresie temperatur. Pokazano, że sprawności badanych diod są stosunkowo niskie, na co mają wpływ defekty występujące w ich strukturze. W oparciu o wyniki pomiarów widm DLTS i PL wyznaczono parametry defektów oraz określono źródło ich pochodzenia.
EN
In this article the results of investigations of defects in photovoltaic structures based on CdTe grown by the molecular beam epitaxy (MBE) technique have been presented. For the characterization of defects in the studied junctions various measurement methods have been used, such as: current-voltage characteristics, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL), measured in a broad temperature range. It has been shown that the efficiency of the investigated diodes are relatively low, what is caused by the defects present in their structure. Based on the results of the DLTS- and PL spectra the parameters of defects have been determined and their possible origin has been discussed.
EN
Purpose: In this research work the nickel oxide incorporated zinc oxide nano composite with various level of percentage such as (0.2, 0.4 and 0.6) were synthesized using combustion processes. Fuel used for the combustion process is hexamine in this work. Oxidizing agents taken were the nitrates of zinc and nickel. These precursor nitrates were heated with hexamine fuel to undergo combustion process. Design/methodology/approach: After combustion the particles were collected and heat treated to maintain the purity of the samples. XRD results were in well accordance with the JCPDS data and the average crystalline sizes were in the range of 10~20 nm. UV-VIS absorbance results confirm the band gap in the visible region. With increase in concentration of NiO in the composite red shifted from 320 nm to 374 nm. FTIR supports the presence of Zn-O and Ni-O bonds by the characteristic vibrational peaks at 432 cm-1 and 470 cm-1 respectively. PL spectrum studies results in the redshift of ZnO peaks from 380 nm to 400 nm with addition of Ni2+ ions inside the lattice. SEM and AFM studies reveals the morphological and topographical visualizations of the nanocomposite powders. Findings: In this research work, the authors had successfully synthesized Nickel substituted Zinc oxide by following simple combustion method followed by annealing. XRD analysis clearly evidences the formation of ZnO in the hexagonal wurtzite structure with an average crystallite size of 15 nm to 18 nm. An increase in Nickel peaks in between the Zinc oxide peaks were observed with increase in the nickel concentration in the composition. Practical implications: We conclude that combustion technique is suitable to fabricate Nickel incorporated Zinc oxide particles with high purity. This powder can be used in transparent conducting thin flims for OLED applications.
EN
This paper presents the application of nanoparticles in photovoltaic (PV) cells. The nanoparticles used in this work were dispersed in the active layer of the cell. This modification raised power conversion efficiency and open circuit voltage of PV cells. Organic single layered PV device has been developed using ITO/PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylene dioxythiophene)-poly-(styrene sulphonate)/active layer with nano-sized particles/Al architecture.
PL
W artykule przedstawione zostały organiczne ogniwa fotowoltaiczne z dodatkiem nanocząstek. Zastosowane nanocząstki zostały wprowadzone do całej objętości warstwy aktywnej ogniwa, dzięki czemu zaobserwowano wzrost wydajności konwersji mocy oraz napięcia obwodu otwartego ogniwa. Struktura ogniwa była wykonana w sposób warstwowy ITO/PEDOT:PSS/warstwa aktywna z nanocząstkami/Al.
PL
Tlenek cynku i struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO uważane są za bardzo obiecujące materiały do zastosowań optoelektronicznych, ze względu na wartość przerwy energetycznej Eg > 3,3 eV i energię wiązania ekscytonu >60 meV. W tej pracy przedstawione zostaną wyniki naszych badań pojedyńczych studni (QW) i wielostudni kwantowych ZnMgO/ZnO/ZnMgO, otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych na różnych podłożach takich jak szafir. Zaprezentowane zostaną właściwości optyczne układów podwójnych studni kwantowych otrzymanych na podłożach szafirowych. Przedyskutowane zostaną mechanizmy oddziaływania między studniami, w szczególności zostanie pokazany wpływ sprzężenia między studniami na emisję ekscytonową.
EN
Zinc oxide is considered as a very attractive semiconductor for applications in optoelectronics, because of its wide band gap, Eg, of 3.3 eV and large exciton binding energy of 60 meV. ZnMgO alloy has been considered as a suitable material for the barrier layers in ZnMgO/ZnO/ZnMgO superlattice structures, because alloying of ZnO with MgO (Eg~7.7 eV) enables widening of the bandgap of ZnO up to at least 4.5 eV without loss of crystalline quality. In ZnMgO/ZnO/ZnMgO quantum wells the binding energy of excitons increases up to 100 meV which promises obtaining of efficient electroluminescence in devices operating on excitonic transitions at room temperature. In this presentation the results of our studies of single and multiple quantum well structures of ZnMgO/ZnO/ZnMgO grown by MBE on different sapphire will be presented. Optical properties of asymmetric coupled quantum wells grown on crystalline ZnO and on sapphire will be discussed. In particular, the influence of interwell coupling on the excitonic emission will be shown.
PL
Obrazowanie fotoluminescencyjne i elektroluminescencyjne jest obecnie jedną z najważniejszych technik pomiarowych ogniw i modułów fotowoltaicznych. Trudno wyobrazić sobie dalszy rozwój technologii ogniw bez tego typu pomiarów. Technika ta pozwala również na kontrolę materiału wyjściowego (płytek Si typu „as-cut”) oraz płytek po każdym procesie technologicznym w produkcji ogniw i modułów co ma istotny wymiar ekonomiczny.
EN
Photoluminescence and electroluminescence imaging is one of the most important techniques for measuring solar cells and photovoltaic modules. It is extremely difficult to imagine the further development of cell technology without such measurements. This measurement also allows controlling of the starting material (“as-cut” Si wafers) and the plates after each technology process in the production of solar cells and modules, which is an important economic reason.
8
Content available remote ZnS Cu-doped quantum dots
EN
The paper presents a survey of literature on the structure and optical properties of ZnS and copper ion-doped ZnS quantum dots. The effect of other metal dopants on the spectral properties of ZnS:Cu quantum dots was also considered. The influence of such parameters as dopant concentration, temperature of the synthesis and compounds which form or modify the additional layer on dots on spectral properties of the quantum dots was described. Examples of application of ZnS:Cu quantum dots are also given.
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wpływ domieszkowania europem na właściwości optyczne oraz fizyko-chemiczne powierzchni cienkich warstw Ti02. Cienkie warstwy wytworzono wysokoenergetyczną metodą rozpylania magnetronowego i dodatkowo wygrzewano w temperaturze 400°C i 800°C. Badania wykonane metodami XRD i AFM pokazały, że warstwy domieszkowane europem były nanokrystaliczne i miały strukturę TiO2 - anatazu. Były one stabilne nawet po wygrzewaniu w temperaturze 800°C. Natomiast warstwa niedomieszkowanego Ti02 miała strukturę rutylu już bezpośrednio po naniesieniu (bez dodatkowego wygrzewania), co jest typowe dla procesu wysokoenergetycznego. Wygrzewanie spowodowało m.in. wzrost wielkości krystalitów z około 18 do 28 nm. Oprócz tego stwierdzono, że poziom adsorpcji powierzchniowej oraz intensywność fotoluminescencji zależał od rozmiaru krystalitów z których były zbudowane cienkie warstwy Ti02:Eu. Wyniki badań pokazały, że optymalne do uzyskania silnej PL oraz dużego poziomu adsorpcji powierzchniowej (grup OH oraz cząstek H20) są krystality Ti02:Eu o rozmiarze około 22 nm.
EN
In this work influence of Eu-doping on optical an physicochemical properties of the surface of TiO2 thin films have been described. Thin films were manufactured by magnetron sputtering method and additionally annealed at 400°C and 800°C. Structural investigations with the aid of XRD and AFM methods have shown that doping with europium results in receiving of nanocrystalline films with the Ti02 - anatase structure. They were stable even after annealing at 800°C. Although undoped Ti02 matrix had rutile structure directly after deposition (without additional annealing), which is typical for high energy sputtering process. Annealing caused increase of crystallites size from about 18 to 28 nm. Besides, the level of surface adsorption and the intensity of photoluminescence was dependent from the size of crystallites of Ti02:Eu. It was found that the crystallites in size of about 22 nm are optimal to obtain strong PL and high adsorption (of OH- and H20).
PL
Stopy półprzewodnikowe AIIIBV z małą zawartością azotu, zwane „rozrzedzonymi azotkami”, są intensywnie badane ze względu na swoje unikalne właściwości i potencjalne zastosowanie w laserach IR i wydajnych wielozłączowych ogniwach słonecznych. Epitaksja (MOVPE lub MBE) tych materiałów jest trudna, proces kontrolowany jest głównie przez temperaturę wzrostu i koncentrację azotu w fazie gazowej. Precyzyjne wyznaczenie składu stopu InGaAsN jest złożone i wymaga zastosowania wielu technik pomiarowych. W pracy opisano technologię i optyczne właściwości niedomieszkowanych studni kwantowych 3×InGaAsN/GaAs otrzymanych metodą epitaksji z fazy gazowej z zastosowaniem związków metaloorganicznych przy ciśnieniu atmosferycznym (AP MOVPE). Testowe struktury epitaksjalne, otrzymane w różnych warunkach, zastosowano jako obszar aktywny fotodetektorów MSM. Omówiono i przeanalizowano wpływ parametrów osadzania na optyczne właściwości struktur MQW oraz ciemne i oświetlone charakterystyki dc I-V fotodetektorów MSM.
EN
AIIIBV semiconductor alloys with small amount of nitrogen, so called dilute nitrides have been extensively studied due to their unusual properties which make them very attractive for IR lasers and very efficient multijunction solar cells. The epitaxial process (MOVPE or MBE) of these materials is very difficult and strongly depends on the growth temperature and the nitrogen concentration inside an epitaxial reactor Additionally, a precise determination of the quaternary InGaAsN alloys composition is complicated and requires applying a lot of examination methods. This work presents the technology and optical properties of undoped triple quantum wells 3×InGaAsN/GaAs grown by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP MOVPE). Epitaxial test structures obtained at different process conditions are used as the active regions of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors. The influence of the growth parameters on the optical properties of MQW structures and measured dark and illuminated dc I-V characteristics of MSM detectors is analysed and discussed.
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wpływ wygrzewania na właściwości powierzchni oraz luminescencję cienkich warstw TiO2 domieszkowanych europem w ilości 0,1% at. Cienkie warstwy wytworzono metodą rozpylania magnetronowego i dodatkowo wygrzewano w temperaturze 400°C i 800°C. Badania właściwości strukturalnych, które wykonano metodami XRD, AFM i XPS pokazały, że domieszkowanie europem pozwala uzyskać nanokrystaliczne warstwy o strukturze typu TiO2-anatazu, które były stabilne nawet po wygrzewaniu w temperaturze 800°C. Aczkolwiek, niedomieszkowana matryca naniesiona w takich samych warunkach miała strukturę rutylu bezpośrednio po naniesieniu, co jest typowe dla procesu wysokoenergetycznego. W wypadku właściwości powierzchni badania pokazały, że wygrzewanie spowodowało wzrost wielkości krystalitów z około 18 do 28 nm. Oprócz tego, poziom adsorpcji powierzchniowej oraz intensywność fotoluminescencji zależał od rozmiaru krystalitów w warstwie TiO2:Eu. Stwierdzono, że krystality o wielkości około 22 nm są optymalne do uzyskania silnej PL oraz dużej adsorpcji powierzchniowej (grup OH2 oraz cząstek H2O).
EN
In this work influence of annealing on surface properties and luminescence of TiO2 thin films doped with 0.1 at.% of europium have been described. Thin films were manufactured by magnetron sputtering method and additionally annealed at 400°C and 800°C. Structural investigations with the aid of XRD, AFM and XPS method have shown that doping with europium results in receiving of nanocrystalline films with the TiO2-anatase structure, which was stable even after annealing at 800°C. Although undoped matrix as-deposited in the same conditions had rutile structure, which is typical for high energy sputtering process. In the case of surface properties the results of investigations have shown that annealing caused increase of crystallites size from about 18 to 28 nm. Moreover, the level of surface adsorption and the intensity of photoluminescence was dependent from the size of crystallites of TiO2:Eu. It was found that the crystallites in size of about 22 nm are optimal to obtain strong PL and high adsorption (of OH and H2O).
PL
W ostatnich latach włożono ogromny wysiłek w poszukiwanie materiałów, które znacznie obniżyłyby koszty fotowoltaiki. Badania te doprowadziły do rozwoju organicznych ogniw słonecznych (OSC), których fotoaktywna warstwa składa się z materiału donorowego i akceptorowego. Donorami najczęściej są polimery, a akceptorami pochodne fulerenów. Podstawowym procesem decydującym o wydajności ogniwa jest transfer ładunku (CT) z donora do akceptora. Poliazometina PAZ została zsyntezowana z myślą zastosowania jej jako materiał donorowy w objętościowych ogniwach fotowoltaicznych (IEL Wrocław). Pod tym kątem została też przeprowadzona jej charakterystyka za pomocą takich technik jak: absorpcja, fotoluminescencja (PL), fotoluminescencja czasowo rozdzielona (TRPL) i spektroskopia rezonansu paramagnetycznego (EPR). PAZ absorbuje głównie promieniowanie z zakresu światła widzialnego. Dodatkowo widmo PL przesunięte jest w kierunku dłuższych długości fali względem pasma absorpcji – wydłużony czas zaniku pozwala na efektywny CT. Dla skonstruowanych ogniw objętościowych zawierających poliazometinę PAZ w warstwie aktywnej ogniwa oraz pochodną fulerenu PCBM wykonano charakterystyki prądowo-napięciowe z użyciem lampy ksenonowej jako źródła światła oraz spektroskopię impedancyjną. Badana poliazometina wykazywała efekt fotowoltaiczny, a wartość sprawności ogniwa organicznego zależna była od stosunku wagowego poliazometiny do PCBM. Dodatkowe informacje o zachodzącym CT uzyskano za pomocą pomiarów EPR.
EN
New, low-cost materials for photovoltaic are an object of intensive studies in recent years. Thus, the new type of solar cells based on organic materials has been developed. It is called organic solar cells (OSC). Their photoactive layer is composed of donor and acceptor materials, mostly polymers and fullerenes derivatives respectively. Charge transfer (CT) from donor to acceptor is a crucial process, which decides about efficiency of OSC. Polyazomethine PAZ was synthesised in IEL Wroclaw as a new donor material for bulk-heterojunction (BHJ) OSC. Therefore, characteristic was done to check that it fulfils all requirements for this type of material. Used techniques: absorbance, photoluminescence (PL), time resolved photoluminescence (TRPL) and electron paramagnetic resonance spectroscopy (EPR). PAZ absorbs mostly visible light. Moreover its PL spectrum is shifted in direction of higher wavelengths versus their absorption spectrum. Longer decay time allows to efficient CT. Current density–voltage (J–U) characteristics of the devices based on polyazomethine PAZ and PCBM were measured along with impedance spectroscopy. Investigated polyazomethine exhibited photovoltaic effect, however power conversion efficiency depends on the weight ratio of PAZ to PCBM. Additional information about CT was obtained using EPR.
PL
W pracy proponowana jest metoda określenia, na ile różni się wykonana laserowa heterostruktura epitaksjalna od zaprojektowanej. Jest to sekwencja charakteryzacji (fotoluminescencja, SEM, SIMS), analizy skorygowenego (w stosunku do projektu) na podstawie tych charakteryzacji modelu numerycznego heterostruktury i weryfikacji tego modelu poprzez pomiary wykonanych z heterostruktury diod laserowych. Uzyskanie zbieżności charakterystyk eksperymentalnych z analogicznymi charakterystykami modelu oznacza, że skorygowany model opisuje wykonaną heterostrukturę epitaksjalną.
EN
A method of determination, how much the grown epitaxial laser heterostructure differs from its design is proposed in this work. It is a sequence of characterizations (photoluminescence, SEM, SIMS), analysis of the heterostructure model corrected (with respect to the design) basing on the results of these characterizations and finally the model verification by measurements of laser diodes manufactured from the grown heterostructure. Similarity of analogous characteristics in practical devices and the model is a proof that the corrected model describes the grown heterostructure.
PL
Nanostruktury InN wytworzono w warstwach Si₃ N₄ poprzez implantację jonami In i milisekundowe wygrzewanie błyskowe. W widmie mikroramanowskim obserwuje się wierzchołki 495 oraz 592 cm&8315;¹, odpowiadające fononom Eh₂ oraz A₁ w InN. Wąskie pasmo w widmie fotoluminescencyjnym skupione wokół 1.35 µm potwierdza powstanie kryształów InN o dobrej jakości. Naprężenia powstałe w trakcie formowania się krystalitów mogą zostać zlikwidowane poprzez dobór odpowiednich warunków wygrzewania.
EN
The InN quantum structures were formed in Si₃ N₄ films by indium ion implantation and subsequent thermal annealing. The µ - Raman spectrum shows peaks at 495 and 592 cm&8315;¹ corresponding to the transverse optical (Eh₂) and longitudinal optical (A₁) phonon modes in InN, respectively. The narrow PL band at around 1.35 µm from the InN QDs was observed what confirm the formation of high quality InN crystals. Moreover, stress introduced to the InN nanocrystals during formation can be controlled by the proper choice of annealing conditions.
PL
W pracy przedstawiamy wzrost nanodrutów ZnO metodą osadzania warstw atomowych ALD (ang. Atomic Layer Deposition). Do otrzymania nanodrutów ZnO użyto podtoże GaAs pokryte mieszaniną złota i galu uformowanego na powierzchni w postaci rozseparowanych "nanokul". W procesie ALD jako prekursor tlenowy została użyta woda dejonizowana, natomiast jako prekursor cynkowy został użyty chlorek cynku. Odpowiednio przygotowana mieszanina Au-Ga odgrywała rolę katalizatora wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymano nanosłupki ZnO w postaci krystalitów o długości do 1 mikrometra i około 100 nanometrów średnicy. Warto zaznaczyć, że jest to pierwsze zastosowanie metody ALD do wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymane nanosłupki użyto do wytworzenia czułych sensorów rozpuszczalników.
EN
In this work we present growth of ZnO nanowires (NWs) using ALD. As a substrate we used gallium arsenide with Au-Ga eutectic mixture prepared on the surface at high temperature. The soprepared substrate was used for growth of ZnO NWs using the ALD system. We used deionized water and zinc chloride as an oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture plays a role of a catalyst for the ZnO NWs growth. The ZnO nanorods were obtained in a form of crystallites of up to 1 µm length and 100 nm diameter. It is the first demonstration of ZnO NWs growth by ALD using VLS (vapour-liquid-solid) approach. We demonstrate their application as solvents sensor.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań materiałów luminescencyjnych na osnowie dwutlenku cyrkonu, domieszkowanych jonami itru, europu i prazeodymu, przeznaczonych do nowoczesnych półprzewodnikowych źródeł światła białego. Przeprowadzono pomiary charakterystyk wzbudzeniowo-emisyjnych i wyznaczono podstawowe parametry optyczne luminoforów.
EN
In this paper we focus on high-impact luminescence of Eu²⁺ or Pr²⁺doped ZrO₂ nanocrystals stabilized by Y₂O₃. As a class of inorganic luminescent phosphor, wide-band gap ZrO₂ has received considerable attention because of its utility for existing and future optoelectronic devices as a suitable host for rare-earth ions. In the article were gathered Exciting-emitting spectra of nanocrystals obtained by the hydrothermal microwave-driven process are presented. All investigated characteristics indicate the usability of studied materials as red luminescent phosphors.
PL
W pracy zbadano własności luminescencyjne linii W w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami dawką 1 × 1015 - 3 × 1016n/cm². Średnia energia termicznej dysocjacji defektu odpowiedzialnego za emisję linii W została określona jako E = 52 ± 5 meV. Emisja przy energii 1.018 eV została zinterpretowana jako rekombinacja elektronu i dziury na defekcie, wówczas gdy jedna z cząstek jest związana z defektem energią ˜ 100 meV, a druga z energią ˜ 52 meV. Ten model zgadza się z proponowanym teoretycznym modelem defektu utworzonego przez trzy międzywęzłowe atomy Si, (I3) zakładającym, że defekt I3 jest defektem donorowo-podobnym o poziomie (0/+) leżącym w odległości 0.1 eV od pasma walencyjnego. Określona z wykresu Arrhenius'a energia procesu gaszenia linii W wynosiła 0.3 eV. Po raz pierwszy zaobserwowano w MCz-Si po wygrzaniu w 550 K emisję przy 1.108 eV związaną z obecnością defektu V6. Emisja ta znika po wygrzaniu w temperaturze, w której atomy tlenu stają się mobilne. Sugeruje się, że brak linii przy 1.108 eV w Cz-Si jest wynikiem oddziaływania/pasywacji kompleksu V6 atomami tlenu.
EN
The photoluminescence (PL) technique was applied to study the W line (1.018 eV) features of both MCz-Si and FZ-Si samples irradiated with a neutron dose ranging from 1 × 1O15 to 3 × 1016 n/cm². The average thermal energy of the dissocation, responsible for the emission of the W line was found to be E = (52+/-5) meV. Therefore, we interpret the emission at 1.018 eV as the recombination of an electron and a hole at the defect site when one of the particles is strongly bound to the defect with the energy near to 100 meV. This value coincides with the possible donor-like level (0/+) close to the valence band edge at Ev+0.1 eV, theoretically predicted for the I3 complex. The quenching energy for the W line estimated from Arrhenius plot proved to be 0.3 eV. The line at 1.108 eV related to the V6 complex was observed in MCz for the first time after annealing at 550 K. It disappeared after annealing at a higher temperature when oxygen atoms became mobile. We suggest the lack of this line in Cz-Si is related to the interaction/passivation of the V6 complex with oxygen atoms.
18
Content available Optical studies of undoped GaP grown by LEC method
EN
The features of undoped LEC GaP crystals with particular emphasis on their luminescence properties are presented. Hall and GDMS measurements revealed that C and Si are the main residual shallow impurities. Semi-insulating features of the samples were controlled by the presence of the phosphorous anti-site defect, P4PGa. Its presence was confirmed by ESR measurements as well as the emission at 1.05 eV. For p-type samples with phosphorous antisite defect, P4PGa, and high carbon concentration an emission at 1.9 eV has been observed. We tentatively assign this emission to the recombination of the excitons bound with isoelectronic complex PGaCp. A deep-centre luminescence with the maximum at 1.33 eV was dominant in n-type GaP and in electron-irradiated samples. The obtained results indicate that this emission results from native defect complex.
PL
W pracy przedstawione są badania niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych w ITME metodą LEC ze szczególnym uwzględnieniem ich własności luminescencyjnych. Pomiary Halla, absorpcyjne i GDMS wykazały, że głównymi płytkimi domieszkami resztkowymi w otrzymywanych kryształach są węgiel i krzem. Półizolujące własności badanych kryształów determinowane były obecnością fosforowego antystrukturalnego defektu P4PGa. Obecność jego została potwierdzona poprzez obecność linii rezonansowej w widmie ESR, jak również poprzez obecność emisji w podczerwieni z maksimum przy l .05 eV. W kryształach typu p, w których potwierdzona została obecność defektu P4PGa oraz stwierdzono relatywnie wysoką koncentrację węgla w widmie luminescencyjnym pojawiło się pasmo luminescencyjne z maksimum przy l .9 eV. Nasza sugestia odnośnie pochodzenia tej emisji wiązana jest z wytworzeniem się isoelektronowego kompleksu PGaCp. W niedomieszkowanych próbkach typu w jak również w próbce naświetlanej elektronami luminescencja pochodząca od głębokich centrów zdominowana była obecnością pasma leżącego przy 1.33 eV. Przeprowadzone badania wykazały, że jest ona związana z obecnością kompleksu wytworzonego przez macierzyste atomy sieci, natomiast nie zależy od koncentracji domieszek resztkowych.
PL
W artykule zaprezentowano prosty model fotoluminescencji. Do opisu zjawiska odbicia światła używa się najczęściej dwukierunkowej funkcji rozkładu odbicia dwukierunkowego (BRDF), jednak nie uwzględnia ona falowej natury światła. Mapa reemisji użyta w prezentowanym modelu pozwala uwzględnić dowolne zależności między długościami fali promieniowania padającego (pobudzającego) a emitowanego. Prezentowany model może być wykorzystywany w zastosowaniach grafiki komputerowej i techniki świetlnej.
EN
The paper presents simple model of the photoluminescence. BRDF is commonly used for modeling the reflection of light but it does not take into consideration wave character of the light. The map of reemission used in presented model allows taking into account any dependencies between wavelengths of incident (stimulated) radiation and emitted radiation. The presented model is useful in computer graphics and lighting technology.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.