Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 48

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  układy scalone
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
EN
MEMS are one of the fastest developing branch in microelectronics. Many integrated sensors are widely used in smart devices i.e. smartphones, and specialized systems like medical equipment. In the paper we present the main parts of a system for measuring human movement which can be used in human balance disorder diagnosis. We describe our design of capacitive accelerometers and dedicated switched-capacitor readout circuit. Both will be manufactured as separate chips in different technological processes. The principle of operation, schematics and layouts of all parts of the system are presented. Preliminary simulations show that the proposed designs are applicable for the considered medical device.
2
EN
Meaningful progress in the fields of MEMS is associated with the continuous development of the micromachining technologies. One of the most promising devices in MEMS is thermal sensors. When the first microbolometer appeared on the market, a huge interest in thermal detectors was observed. This paper is a short overview study on microbolometer geometry, different solutions and possibilities to implement them as electrical models.
PL
Artykuł przedstawia możliwości rozwoju mikroelektroniki w Polsce, w kontekście niedawnego przystąpienia Polski do Europejskiej Agencji Kosmicznej (ESA), co wiąże się z przyznaniem środków na projekty na potrzeby przemysłu kosmicznego. W tekście przedstawiono rozpoczynający się projekt mający na celu opracowanie i kwalifikację kosmiczną układów scalonych dla europejskiego przemysłu kosmicznego. W projekcie tym Katedra Mikroelektroniki I Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej wchodząca w skład specjalnie założonego konsorcjum, ma za zadanie opracować specjalizowane przetwornice DC/DC dla ESA.
EN
The paper present possibilities of advances in Polish microelectronics, related to recent joining of European Space Agency (ESA) by Poland. This fact means assignment of funds for projects for space industry. The paper describes a recently started project aimed for design and space characterization of integrated circuits for European space industry. Department of Microelectronics and Computer Science of Lodz University of Technology, being a member of specially founded consortium, is to design specialized DC/DC converters for ESA.
PL
W pracy przedstawiono projekt oraz wyniki symulacji ultraszybkich układów LVDS w technologii nanometrycznej dla potrzeb obrazowania w medycynie. Projekt dotyczy układów nadajnika oraz odbiornika i został wykonany w nowoczesnej technologii CMOS 40nm. Głównymi wymaganiami prezentowanej pracy był mały pobór mocy zarówno statycznej jak i dynamicznej oraz mała zajętość powierzchni układów. Blok nadajnika oparty jest o architekturę przełączanego mostka prądowego zaś głównym elementem odbiornika jest konwerter poziomów logicznych i komparator z histerezą. Układ odbiorczy pobiera 7.08 mW mocy statycznej i 12.09 mW mocy dynamicznej zaś układ nadawczy 17.93 mW mocy statycznej i 26.38 mW mocy dynamicznej. Wyniki symulacji pokazują poprawną pracę układów przy prędkości transmisji 1 Gb/s i obciążeniu nadajnika pojemnością 5 pF. Układ odbiorczy zajmuje powierzchnię 0.009 mm2 zaś nadawczy 0.1 mm2.
EN
The paper presents the design and simulation results of ultrafast I/O interface in nanometer process. Both, the receiver and the transmitter are designed in CMOS 40nm process and are dedicated to work with a multichannel pixel integrated circuit that is destined for medical imaging systems. The main requirements of a project are a low power consumption and small area occupation of the LVDS circuits. The transmitter is based on the current switching bridge while the receiver is built of the logic converter and inverting comparator with hysteresis. The receiver block dissipates 7.08 mW of static power and 12.09 mW of dynamic power while the transmitter dissipates 17.93 mW of static power and 26.38 mW of dynamic power at 1 GHz signal and 5pF load. The receiver and transmitter occupy respectively 0.009 mm2 and 0.1 mm2 of chip area.
PL
W pracy rozważono zagadnienie precyzyjnego pomiaru, przy prądzie przemiennym i zamkniętej pętli sprzężenia zwrotnego, współczynnika tłumienia napięcia współbieżnego CMRR (z ang.: Common Mode Rejection Ratio) o dużej wartości rzędu 1∙104 ÷ 1∙108 (tj. (80 ÷ 160)dB) scalonych wzmacniaczy operacyjnych. W wyniku dokonanej analizy teoretycznej właściwości metrologicznych układu pomiarowego ustalono związek między mierzonym w układzie stosunkiem napięć zależnym od współczynnika CMRR a innymi parametrami badanego wzmacniacza, w tym zwłaszcza wzmocnieniem napięcia różnicowego, stanowiący podstawę ilościowej oceny błędu metody pomiarowej. Bazując na tych wynikach, zaproponowano całkowicie nowe techniczne rozwiązanie układu pomiarowego wyposażonego w specjalny transformator pomiarowy napięcia przemiennego z wtórnymi uzwojeniami o nawoju trifilarnym, co przyczyniło się do wyeliminowania wpływu skończonej wartości wzmocnienia różnicowego badanego wzmacniacza operacyjnego na mierzoną wartość współczynnika CMRR. Zastosowana metoda synchronicznej (fazoczułej, homodynowej) detekcji napięcia przemiennego pozwala na pomiar zarówno stałoprądowej wartości tego współczynnika (CMRR0), jak i trzydecybelowej częstotliwości załamania jego modułu (ƒ0,CMRR). Ponadto przyczynia się do wyeliminowania wpływu zarówno temperaturowych, jak i czasowych, dryftów stałoprądowych parametrów (napięcie offsetu, prądy polaryzacji, prąd offsetu) badanego wzmacniacza oraz jego własnych szumów (termicznych i strukturalnych), a także zakłóceń zewnętrznych na mierzoną wartość współczynnika CMRR.
EN
This paper deals with the problem of a precise measurement of the common mode rejection ratio (CMRR) coefficient of high value from the range 1∙104 ÷ 1∙108 (i.e. 80dB to 160dB) of integrated operational amplifiers at alternating current and closed-loop feedback There was performed the theoretical analysis of metrological parameters of a measuring circuit. As a result there was established the relationship between the voltage ratio (measured in the system) dependent on the CMRR coefficient and the other parameters of the tested amplifier, in particular the differential voltage gain (Kr) (Eq. (13)). This relationship is the basis of quantitative evaluation of the measurement method error. Based on these results, a completely new technical solution of the measurement circuit equipped with a special measuring voltage transformer (Tr) with the secondary trifilar windings was proposed (Figs. 4 and 5). It caused elimination of the effect of the differential open-loop voltage gain (Kr) finite value of the tested operational amplifier on the measured value of the CMRR coefficient (Fig. 3). The applied method of synchronous (phase sensitive, homodyne) detection of the alternating output voltage Uwy (Figs. 4 and 5) allows measurement of both the direct current (DC) value of this coefficient (CMRR0) and the three-decibel break-down frequency (ƒ0,CMRR) of the absolute value CMRR. Moreover, it contributes to elimination of the influence of temperature and time dependent drift DC parameters (offset voltage, input bias currents, input offset current) of the tested amplifier as well as its own intrinsic noise (thermal and structural) and external disturbances on the measured value of CMRR. There were made measurements of randomly selected amplifiers of the same type LM741 but from different producers in the number of 100 units. As a result a large scattering value of this factor of up to 10000:1 (from 75dB to 155dB) was found. Three-decibel break-down frequency ƒ0,CMRR of the absolute value CMRR took the values from the range: 10Hz ÷ 3kHz. The measurement results confirmed the hypothesis posed by the author in the second section of the work that the CMRR coefficient has an indefinite sign. The advantage of the proposed by the author measurement circuit is its technical simplicity, easy reproducibility and low price. For these reasons, it may have wide practical application.
PL
Zaproponowano nowe makromodele i liczalny liniowy obwodowy zmiennoprądowy szerokopasmowy schemat zastępczy wzmacniacza operacyjnego, uwzględniające występowanie, w realnym wzmacniaczu napięcia różnicowego, jego niepożądaną właściwość wzmacniania napięcia współbieżnego (w przybliżeniu równego, co do wartości) dla obydwóch jego zacisków (końcówek) wejściowych. Tę niepożądaną właściwość wzmacniacza różnicowego wyraża współczynnik tłumienia napięcia współbieżnego CMRR (ang. Common Mode Rejection Ratio), będący stosunkiem wzmocnienia różnicowego do wzmocnienia współbieżnego. Proponowany schemat zastępczy odwzorowuje częstotliwościowe zależności zarówno wzmocnienia napięcia różnicowego Kr jak i współczynnika tłumienia napięcia współbieżnego CMRR dla otwartej pętli sprzężenia zwrotnego. W pracy przedstawiono także wyniki analizy komputerowej wzmocnienia napięciowego w zależności od częstotliwości dla wtórnika napięcia (tzw. bufora napięciowego), zbudowanego z użyciem wzmacniacza operacyjnego LM741A.
EN
In this article have been proposed - by the author - a new macromodels (Fig. 2) and linear AC wideband equivalent circuit (diagram, Fig. 3) at alternating current of operational amplifier which take account the existence in the real differential voltage amplifier the undesirable property to gain common voltage (approximately equal to values) for both its input terminals. This undesirable property of the differential amplifier expresses CMRR coefficient which is the ratio of differential voltage gain to common mode voltage gain. The proposed equivalent circuit imitates the frequency dependence of both differential voltage gain Kr and CMRR coefficient for the open-loop feedback of operational amplifier. The results of the computer analysis of the voltage gain and its phase depending on the frequency of the voltage follower, built using the operational amplifier LM741A, are introduced (Fig. 4).
PL
W artykule omówiono wybrane prace zaprezentowane na konferencji ELTE 2013, prezentujące dorobek polskich zespołów badawczych z ostatnich kilku lat. Konferencje z serii „Technologia Elektronowa” organizowane są od ponad 30 lat, cyklicznie przez różne ośrodki badawcze. Tegoroczna, XI Konferencja ELTE 2013, odbyła się w XIV wiecznym zamku krzyżackim w Rynie w dniach 16-20 kwietnia. Zgromadziła 257 naukowców-teoretyków, technologów i inżynierów – z najważniejszych obszarów badawczych współczesnej elektroniki. Obrady merytoryczne toczyły się w czterech sesjach tematycznych: mikroelektronika i nanoelektronika, fotonika, mikrosystemy oraz materiały elektroniczne i fotoniczne, a także w sesjach plakatowych. W sesjach plenarnych przedstawiono najnowsze osiągnięcia światowe w obszarach zaawansowanych technologii elektronicznych i fotonicznych z licznymi odniesieniami do prac polskich zespołów badawczych. Specjalną sesję poświęcono omówieniu kluczowych projektów badawczych i inwestycyjnych.
EN
The paper presents a digest of chosen research and technical work results shown by researchers from technical universities, governmental institutes and research firms during the XI th Scientific Conference on Electron Technology ELTE 2013. ELTE Conference has been held every three years since more than three decades. In 2013 the conference was held in Ryn Castle (Poland) on 16-20 April and gathered around 257 scientists, theoreticians, technologists and engineers from such areas as material engineering, chemistry, sensors, integrated circuits, electronics engineering, laser industry, photonics, etc. The conference featured the following four major topical sessions – Micro and Nano, Photonics, Materials and Technologies, and Microsystems; two dedicated sessions – a keynote plenary session on hot topics in electron technology, as well as a session on large research projects and grants realized by the relevant community. Oral topical sessions were accompanied by poster sessions.
8
PL
W pracy opisano źródła narażeń elementów półprzewodnikowych i układów scalonych na promieniowanie jonizujące, a następnie omówiono klasyfikacje mechanizmów uszkodzeń wywołanych tym promieniowaniem. Podano przykłady szkodliwego wpływu promieniowania jonizującego na wybrane elementy i układy. Pokazano zastosowanie promieniowania neutronowego do wytwarzania domieszkowanego krzemu oraz wykorzystanie krzemu do konstrukcji półprzewodnikowych detektorów promieniowania jonizującego.
EN
In the paper sources of ionization radiation exposures of semiconductor devices and integrated circuits are presented, and classifications of failures caused by radiation are disscused. Some examples of destcructive influence of radiation on semiconductor devices and integrated circuits are given. Application of neutron radiation to obtain doped n-type silicon and use of silicon to construct ionization detectors are described as well.
PL
W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.
EN
We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.
PL
W pracy rozważono zagadnienie pomiaru, przy prądzie przemiennym i zamkniętej pętli sprzężenia zwrotnego, współczynnika tłumienia napięcia współbieżnego (CMRR) o wartości rzędu 1•105 ÷ 1•107 (tj. (100 ÷ 140) dB) scalonych komparatorów napięcia typu LM111. W wyniku przeprowadzonej analizy teoretycznej właściwości metrologicznych układu pomiarowego ustalono istotny związek między stosunkiem mierzonych w układzie napięć, zależnym od współczynnika CMRR, a innymi parametrami badanego komparatora napięcia, w tym zwłaszcza wzmocnieniem napięcia różnicowego, stanowiący podstawę ilościowej oceny błędu metody pomiarowej. Zaproponowano nowe techniczne rozwiązanie układu pomiarowego zawierające specjalny transformator pomiarowy napięcia przemiennego wyposażony we wtórne uzwojenia o nawoju bifilarnym, co przyczyniło się do wyeliminowania wpływu skończonej wartości wzmocnienia różnicowego badanego komparatora napięcia na mierzoną wartość współczynnika CMRR.
EN
The comparator open-loop common-mode rejection ratio (CMRR) is a measure of the comparator's ability to reject common signals present in equal measure at both inputs. CMRR according to the definition is the ratio of the differential-mode gain to common-mode gain. Often, manufacturer data sheets only give DC CMRR value and CMRR curve over frequency while no measurement methods are given. The present work deals with measurements of common mode rejection ratio of values of the order 1•105 ÷ 1•107 (i.e. (100 ÷ 140) dB) of the voltage comparators type LM111. The present investigation concerns the method of measurement of coefficient CMRR with closed loop feedback of voltage comparator at alternating current. Important relationship between measured output voltage (Uwy) and finite values of parameters of comparator and others parameters of measuring circuit has been discovered by means of detailed analysis (see equations (12) and (17)). This relationship is the basis for quantitative analysis of the error of measuring method. Finally proposed - by author - a new solution of measuring circuit different from others existing up to date offer significant improvements over previous methods and is capable of accurate measurements on high-performance analogue comparators. It is based on special precise inductive voltage transformer with bifilar windings (Tr, Fig. 4). Such the error of measuring method is independent from finite value of differential open loop voltage gain and the output voltage is directly related to CMRR. The unity gain differential amplifier (buffer) which is implemented at input device under test (DUT: KB, Fig. 2÷4) eliminates differential and common-mode input resistances of DUT on measuring output voltage and thereby CMRR.
PL
W pracy rozważono zagadnienie pomiaru, przy sinusoidalnym prądzie przemiennym i zamkniętej pętli sprzężenia zwrotnego, stałoprądowego wzmocnienia napięcia różnicowego oraz trzy-decybelowej (3dB) częstotliwości załamania modułu tego wzmocnienia. Zastosowana metoda synchronicznej (fazoczułej) detekcji napięcia przemiennego pozwala na wyeliminowanie wpływu zarówno temperaturowych, jak i czasowych dryftów stało p rad owych parametrów (napięcie offsetu, prądy polaryzacji, prąd offsetu) badanego wzmacniacza oraz jego własnych szumów (termicznych i strukturalnych) oraz zakłóceń zewnętrznych na mierzoną wartość wzmocnienia napięciowego. Zaproponowany układ pomiarowy charakteryzuje się dużą czułością i umożliwia pomiar wzmocnienia napięciowego w zakresie od 10-103V/V do 10-106V/V (tj. 80...140 dB). Zaletą układu jest prostota jego rozwiązań technicznych, łatwa odtwarzalność oraz niska cena. Z tych względów może on znaleźć zastosowanie w wielu laboratoriach elektronicznych, zarówno przemysłowych, jak i studenckich, do pomiaru jednego z najważniejszych parametrów roboczych scalonych wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów napięcia.
EN
In this article it has been described-proposed by author - a new circuit for measuring complex differential voltage gain Kr of operational amplifiers which is different from others existing up to date. The present investigation concerns the method of measurement of Kr with closed loop feedback of operational amplifiers and alternating current with using synchronous AC voltage detector. Important relationship between measured output DC voltage and finite complex value Kr of operational amplifier and others parameters of measuring circuit has been discovered by means of detailed analysis. This relationship is the basis for quantitative analysis of the properties of measuring circuit. Implemented new measuring method eliminate internal noise (thermal and structural) and external disturbance at tested gain. This circuit characterize high sensitivity and enable measurement differential DC open loop voltage gain from 10-103V/V to 10-106V/V (80...140 dB). Others advantages include: simple structure, easy reproducing and Iow cost. Because of above - mentioned features this measuring circuit can be applied in many electronic laboratories (also students) to research and exploration the most important parameter of operational amplifiers and comparators.
PL
Przedstawiono wyniki pomiarów emisji pól EM w funkcji częstotliwości zegara taktującego ze ścieżek zasilania, masy oraz ze środka obudowy układu scalonego matrycy cyfrowej FPGA realizującej mnożenie metodą sekwencyjną i kombinacyjną. Porównano poziomy emisji zaburzeń opracowanych projektów IC w zależności od rozmieszczenia bloków logicznych w obszarze matrycy, liczby aktywnych bloków logicznych i wielkości prądów zasilania w funkcji częstotliwości taktowania.
EN
In the paper some investigations of the electromagnetic emission from supply and ground pins of the circuits and middle zone of the Xilinx FPGAXCV800 package as a function of the clock rate are presented. To check the influence of IC floor plan, number of logic blocs and the circuit function on its electromagnetic emissions was tested.
PL
W pracy rozważono zagadnienie pomiaru, przy prądzie przemiennym i zamkniętej pętli sprzężenia zwrotnego, współczynnika tłumienia napięcia współbieżnego CMRR (z ang.: Common Mode Rejection Ratio) o dużej wartości rzędu 1⋅105 do 1⋅107 (tj. (100-140 dB) scalonych wzmacniaczy operacyjnych. W wyniku przeprowadzonej analizy teoretycznej właściwości metrologicznych układu pomiarowego ustalono związek między mierzonym w układzie stosunkiem napięć zależnym od współczynnika CMRR a innymi parametrami badanego wzmacniacza, w tym zwłaszcza wzmocnieniem napięcia różnicowego stanowiący podstawę ilościowej oceny błędu metody pomiarowej. Zaproponowano nowe techniczne rozwiązania układów pomiarowych zawierające indukcyjne transformatory pomiarowe z wtórnymi uzwojeniami o nawoju bifilarnym i trifilarnym, co przyczyniło się do wyeliminowania wpływu skończonej wartości wzmocnienia różnicowego badanego wzmacniacza operacyjnego na mierzoną wartość współczynnika CMRR.
EN
The presented paper deals with measurements of common mode rejection ratio (CMRR) of large values of the order 1⋅105 at 1⋅107 (100-140 dB) of the operational amplifiers. The present investigation concerns the method of measurement of coefficient CMRR with closed loop feedback of operational amplifier and alternating current. Important relationship between measured output voltage and finite values of parameters of operational amplifier and others parameters of measuring circuit has been discovered by means of detailed analysis. This relationship is the basis for quantitative analysis of the error of measuring method. Proposed - by author - a new solutions of measuring circuits are different from others existing up to date. These are based on precise inductive voltage transformers with bifilar and trifilar windings. Because of this the error of measuring method is independent from finite value of differential open loop voltage gain of device under test.
PL
Przedstawiono scalony analogowy filtr CMOS Gm-C z układem automatycznego dostrajania charakterystyk częstotliwościowych, spełniający wymagania filtru kanałowego odbiornika telefonii komórkowej GSM. Jest to w pełni różnicowy dolnoprzepustowy filtr eliptyczny 5. rzędu, charakteryzujący się niskim poborem mocy (2,4 mW) i małą powierzchnią struktury krzemowej (0,31 mm2). Częstotliwość graniczna filtru jest dostrajana przez automatyczny układ typu master-slave, wykorzystujący jako układ wzorcowy bezstratny integrator Gm-C. Filtr został zaprojektowany i wykonany w technologii CMOS 0,8 µm (AMS - Austriamicrosystems).
EN
This paper describes a low-voltage channel selection continuous-time low-pass filter with on-chip tuning for a GSM cellular phone receiver. The filter was realized as balanced fifth-order elliptical Gm-C filters to achieve low current consumption. The cutoff frequency tuning was based on single integrator master-slave tuning circuit.
15
Content available remote Badania odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne impulsowe
PL
W pracy opisano metody badań odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne, a zwłaszcza zaburzenia impulsowe. Szczególną uwagę poświęcono generacji odpowiednich sygnałów testowych oraz sposobom ich sprzęgania z badanym układem.
EN
In the work the methods of testing integrated circuits immunity to electromagnetic disturbances, and especially pulse disturbances, are described. Particular attention was paid to the generation of relevant test signals and coupling of these signals with the tested circuits.
PL
W celu badania zjawisk termicznych, jakie zachodzą w układach scalonych, zdecydowano się zaprojektować skład ASIC, przeznaczony specjalnie do tego celu. Układ ten będzie zawierał matryce źródeł wraz z czujnikami temperatury oraz układami sterowania i przetwarzania danych w niniejszym artykule przedstawiono koncepcję według której jest realizowany układ oraz skrócony opis komponentów w nim zawartych.
PL
Przedstawiono zagrożenia spowodowane wyładowaniami elektrostatycznymi (Electrostatic Discharge ESD) w nowoczesnych układach scalonych wykonywanych w technologii CMOS oraz metodologię ich charakteryzowania i kwalifikację. Podano przykłady konkretnych rozwiązań konstrukcyjnych.
EN
The aim of the paper is to provide ESD models and to describe the dangers of Electrostatic Discharges (ESD) in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
PL
Na przestrzeni ostatnich lat obserwuje się dynamiczny rozwój przenośnych, zasilanych bateryjnie urządzeń komunikacji bezprzewodowej, a zwłaszcza telefonów komórkowych. Konieczność redukcji poboru mocy i napięcia zasilania oraz obniżania kosztów produkcji tych urządzeń zmusza do poszukiwania nowych rozwiązań układowych. Jednym z ważniejszych bloków w pełni scalonego odbiornika telefonii bezprzewodowej jest dolnoprzepustowy filtr kanałowy. Przedstawiono projekt scalonego analogowego filtru kanałowego CMOS typu RC, do wielosystemowego odbiornika z przemianą bezpośrednią.
EN
The recent fast developing of battery-operated portable wireless communication devices, especially mobile phones, involves constructing novell low-voltage and low-power analogue circuits. One of that circuit is continuous-time channel-select filter in the front-end of mobile receiver. This paper presents CMOS implementation of low-voltage analogue active-RC low-pass channel-select filter for multiStandard receives.
PL
Omówiono wyniki analizy numerycznej mikrokanałowych struktur chłodzących przeznaczonych do integracji z układami VLSI. Przebadano i pokazano wpływ trzech podstawowych parametrów geometrycznych mikrostruktur chłodzących, zawierających kanały o przekroju prostokątnym, na całkowitą ilość ciepła odprowadzaną z pastylki półprzewodnikowej. Wyniki przeprowadzonych symulacji numerycznych mogą zostać wykorzystane w procesie optymalizacji pod kątem otrzymania jak najwydajniejszych struktur chłodzących z uwzględnieniem założonej technologii wykonania oraz parametrów eksploatacyjnych.
EN
The paper presents results of numerical analysis of a microchannel cooling structure integrated with VLSI circuit. The influence of three geometrical parameters of microstructure on total heat overtaken from the semiconductor device is shown and explained. The results may be used for optimisation process with the main goal to design the most efficient structure with respect to given technological and operational parameters. The simulations and calculations were supported by ANSYS software.
PL
Przedstawiono budowę, działanie, sposób charakteryzacji i rozwiązania konstrukcyjne układów zabezpieczających przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) układów scalonych wykonywanych w technologii CMOS.
EN
The aim of the paper is to provide the structure, functioning and ways of measuring the Electrostatic Discharges (ESD) elements in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.