PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Temperature and pressure properties of the resistance alloy ZERANIN30 implanted by high dose, middle energy, C+ ions
Wilczyńska T., Wiśniewski R., Konarski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 10a
292-295
EN
The influence of carbon ions implantation into Zeranin30 alloy on their sensitivities to pressure and temperature has been investigated . Specimens were foil type, 20µm thick and planar dimensions 1x50mm). The C+ ions, of energy 100, 150 and 250keV, were implanted on the one side of specimens with doses of 1-, 2- and 3x10 17 ions C+/cm2 respectively. Depth distribution of carbon ions were calculated using SRIM method. The implantation range was less than 0.5µm. Due to C+ ions implantation of max energy and dose a12% increase of mean pressure sensitivity of specimens was noted. Using developed earlier method for more accurate interpretation of implanted flat specimens it was possible to determined properties of modified layer we can estimate the pressure sensitivity coefficient (PSC) of the strongly implanted part as three times higher than the value for not implanted one. High-dose implantation with C+ ions remarkably changes also the temperature - resistance characteristic of Zeranin30 specimens, making it more convenient for the use in the further vicinity of the room temperature. The thermo power of implanted Zeranin30 against copper at room temperature appeared to be about 30% smaller than those for not implanted one. SIMS method of determination of concentration of basic Zeranin30 components and introduced C was used. An anomalous concentration of basic component in depths of 300nm has been observed. The maximal depth of implanted carbon atoms was detected as less than 1µm. Investigated specimens were annealed before and after implantation by 100h at temperature of 150oC.
PL
W pracy przedstawiono wpływ średnio-energetycznej, wysoko dawkowej implantacji węglem Zeraninu30 na charakterystykę rezystancja - temperatura oraz na czułość ciśnieniową. Próbki miały wymiary 20µm x2mm x50mm. Zastosowano energie implantacji 100,150 i 250keV i jednostronną implantację dawkami 1- ,2- i 3x1017 jonow C+ / cm2, odpowiednio. Do określenia rozkładu jonów węgla użyto kodu SRIM 2000 określającego maksymalny zasięg na 0.5µm. Po implantacji maksymalną energią i dawką zauważono 12% wzrost średniego współczynnika czułości ciśnieniowej. Stosując metodę określania właściwości warstw silnie implantowanych w próbkach planarnych określono jego trzykrotny wzrost w stosunku do czułości ciśnieniowej zeraninu czystego. Zaobserwowano, korzystne dla zastosowań, rozpłaszczanie się charakterystyki R-T w okolicy temperatury pokojowej, oraz niewielki (30%) spadek siły termoelektrycznej zeraninu30 względem miedzi w temperaturze pokojowej. Metodą SIMS określono rzeczywiste rozkłady podstawowych składników Zeraninu i zaimplantowanych jonow C (z zasięgiem 1µm) stwierdzając anomalne wartości koncentracji składników podstawowych w głębokościach do 200nm. Próbki przed i po implantacji były stabilizowane termicznie w temperaturze 150oC w czasie 100h. (Temperaturowe i ciśnieniowe właściwości rezystancyjnych stopów ZERANIN30 implantowanych jonami C+ o wysokich dawkach i średnich energiach).
2
Content available remote Metoda określania właściwości rezystancyjnych planarnych układów przewodzących implantowanych jonami o zasięgu porównywalnym z grubością układu
Wiśniewski R., Wilczyńska T., Wieteska K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
32-35
PL
W pracy przestawiono metodę określania właściwości rezystancyjnych warstw implantowanych tworzących wraz z próbką układy planarne. Zastosowano metodę analizy właściwości układu zastępczego wirtualnie oddzielonej warstwy implantowanej i reszty materiału próbki. Analizie podlegają zmiany samej rezystywności obszaru zaimplantowanego jak również jej zależności temperaturowe, ciśnieniowe i inne. Grubości warstw implantowanych muszą być znane i porównywalne z grubością badanej próbki.
EN
In the paper a method for analyze of resistive properties of implanted planar systems has been presented. A substitute resistance of virtually separated implanted layers foil and the rest of material specimen were taken under consideration. There is possible to analyze changes directly resistivity and it temperature, pressure and so on dependencies as well. The thicknesses of implanted layers have to be known and comparable with thickness of investigated specimens.
3
Content available remote Modification of manganin properties - its sensitivity to temperature and to hydrostatic pressure - using implantation of krypton and bismuth-krypton ions
Wilczyńska T., Wiśniewski R., Czachor A., Semina V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
186-188
EN
The influence of high-dose implantation of Kr ions and of the combined implantation of Bi and Kr ions into manganin on sensitivity to pressure and temperature has been investigated. After the complex Kr-Bi implantation the increase by 25% of mean pressure coefficient of manganin specimens and remarkably changes the temperature-resistance characteristic of manganin, making it more convenient for the use in the vicinity of room temperature, has been observed. The surface structure of the manganin foil after implantation with high-energy Kr ions was found to be smoother than before.
PL
Zbadano wpływ implantacji jonów Kr i kombinowanej implantacji jonów Bi I Kr na czułość względem ciśnienia i temperatury. Zaobserwowano 25% wzrost współczynnika ciśnienia i znaczącą zmianę zależności rezystancji od temperatury. Daje to możliwość zastosowania tego czujnika w temperaturze pokojowej. Zaobserwowano wygładzenia struktury powierzchni folii po implantacji jonów Kr.
4
Content available Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Didyk A. Y., Komarov F. F., Vlasukova L. A., Gracheva E. A., Hofman A., Yuvchenko V. N., Wiśniewski R., Wilczyńska T.
Nukleonika
|
2008
|
Vol. 53, No. 2
77-82
EN
We are presenting a study of damage distribution in GaAs irradiated with 84Kr ions of energy EKr = 394 MeV up to the fluence of 5 × 1012 ion/cm-2. The distribution of damage along the projected range of 84Kr ions in GaAs was investigated using selective chemical etching of a single crystal cleaved perpendicularly to the irradiated surface. The damage zone located under the Bragg peak of 84Kr ions was observed. Explanation of the observed effects based on possible processes of channeling of knocked target atoms (Ga and As) is proposed.
5
Content available remote Modification of temperature dependence of manganin resistance using the ion implantation techniques
Słowiński B., Wilczyńska T., Wiśniewski R.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
277-280
EN
The problem of the improvement of the resistance dependence on temperature of manganin pressure sensor is discussed. Using 46 MeV 40Ar and 118 MeV 136Xe ions with the fluences of 3x1013 and 2.5x1014 cm-2, respectively, a clear shift of the characteristic temperature, at which the manganin resistance reaches its maximum value, toward lower values and a small increase of pressure sensitivity have been observed.
PL
Omówiono problem polepszenia zależności od temperatury rezystancji manganinu, który jest używany jako czujnik wysokich ciśnień. Zaobserwowano, że po napromieniowaniu manganinu jonami 40Ar o energii 46 MeV (doza 3x1013 cm-2) oraz jonami 136Xe o energii 118 MeV (doza 2.5x1014 cm-2) następuje wyraźne przesunięcie temperatury charakterystycznej, przy której rezystancja manganinu osiąga wartość maksymalną.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.