Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 220

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 11 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  węglik krzemu
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 11 next fast forward last
1
Content available remote Przekształtniki tranzystorowe działające w trybie prądu trójkątnego
PL
Przekształtniki oparte na węgliku krzemu mogą być analizowane jako źródła napięcia lub prądu niezależnie od topologii przy odpowiednich parametrach filtru wyjściowego. Szczególnie interesujące są falowniki napięcia działające w trybie prądu trójkątnego. W referacie przedstawiono sterowanie trójfazowym falownikiem napięcia posiadającym właściwości źródła prądu. Pokazano, jak dobrać parametry filtru wyjściowego falownika. Oceniono sprawność systemów z falownikami działającymi w trybie prądu trójkątnego.
EN
Converters based on silicon carbide can be analysed as voltage or current sources, regardless of topology with appropriate parameters of the output filter. Voltage inverters operating in triangular mode are particularly interesting. The paper presents control of a three-phase voltage inverter having the properties of a current source. It was shown how to choose the parameters of the inverter output filter. The efficiency of systems with inverters operating in triangular current mode was assessed.
2
Content available remote Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
PL
W pracy omówiono problem modelowania wpływu wybranych czynników na właściwości tranzystora polowego wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono badanie przydatności wbudowanego modelu tranzystora JFET w programie SPICE do analizy właściwości tego przyrządu półprzewodnikowego. Przedstawiono obliczenia zmodyfikowanym modelem tranzystora JFET z węglika krzemu, pokazujące poprawę dokładności modelowania. Ocenę dokładności zmodyfikowanego modelu przeprowadzono przez porównanie zmierzonych i obliczonych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
EN
The paper discusses the problem of modelling the influence of selected factors on the properties of a field effect transistor made of silicon carbide. A study of the suitability of the built-in model of the JFET transistor in SPICE to analyze the properties of the semiconductor device. Calculations with a modified model silicon carbide JFET are presented. Showing an improvement in modelling accuracy. The accuracy of the modified model was performed by comparing the measured and calculated capacitive-voltage characteristics.
3
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
PL
W pracy zaproponowano metodę przygotowywania topionych pereł do analizy chemicznej metodą XRF dla materiałów ogniotrwałych zawierających węglik krzemu. Opracowana metoda utleniania SiC zawartego w próbce za pomocą mieszaniny węglanu sodu i boraksu pozwala na uzyskanie stopu bez zniszczenia platynowych tygli. Z tak otrzymanego stopu przygotowuje się perły litowo-boranowe odpowiednie do analizy chemicznej metodą XRF. Poprawność uzyskiwanych wyników potwierdzono, wykonując analizy certyfikowanych materiałów odniesienia zawierających SiC.
EN
This paper proposes a method for the preparation of fused beads for chemical analysis using the XRF method for refractory materials containing silicon carbide. The developed method of oxidizing SiC contained in the sample with a mixture of sodium carbonate and borax allows to obtain an alloy without destroying the platinum crucibles. From the alloy thus obtained lithium-borate beads suitable for chemical analysis by XRF are prepared. The correctness of the obtained results was confirmed by the analysis of certified reference materials containing SiC.
5
Content available remote Płaski filtr ceramiczny – nowe rozwiązanie
PL
Przeprowadzono badania nad opracowaniem sposobu otrzymywania płaskiego filtra ceramicznego w postaci wielowarstwowej, dwustronnej membrany ceramicznej, charakteryzującego się tym, że jego wewnętrzną warstwę drenażową stanowi porowata, otwarta struktura, umożliwiająca uzyskanie wyższej wydajności filtracji z jednostki powierzchni filtracyjnej w porównaniu z rozwiązaniem obecnym na rynku. Na podstawie prób, wykonanych z wykorzystaniem znanych metod otrzymywania porowatych tworzyw z SiC, uzyskano prototypowy dysk filtracyjny. Przeprowadzone badania jego własności filtracyjnych potwierdziły, że w porównaniu z rozwiązaniem obecnym na rynku, umożliwia on uzyskanie wyższej wydajności filtracji z jednostki powierzchni oraz charakteryzuje się korzystniejszą zdolnością do regeneracji.
EN
Research has been carried out on developing a method for obtaining a flat ceramic filter in the form of a multilayer, double-sided ceramic membrane with an internal drainage layer with a porous, open structure. This structure allows higher filtration efficiency per filter surface unit compared to a solution available on the market. Based on the conducted trials, using the commonly applied methods of obtaining porous products from silicon carbide, a proto-type filtration disc was developed. Investigations into its filtration properties confirmed that compared to the solution currently available on the market, it enables obtaining a much higher filtration efficiency and is characterized by a better ability to regenerate.
EN
Four municipal waste incineration plants were visited in Belgium. Facilities mainly consist of grate furnaces. During stopping for maintenance, in situ observations were mainly realized in two plants, refractory and slag samples were collected. These samples were observed and analysed in laboratory: ICP chemical analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, EDS analysis, thermo-optical analysis. Three mechanisms of degradation were identified. Their appearance mainly depends on the location in the furnace. On site observation and laboratory investigations allow to understand and to model the degradation mechanisms of materials versus composition, temperature, and their locations in the furnaces.
PL
Odwiedzono cztery belgijskie spalarnie odpadów komunalnych. Obiekty składają się głównie z pieców rusztowych. Podczas postoju z powodu konserwacji w dwóch zakładach przeprowadzono głównie obserwacje in situ i pobrano próbki materiałów ogniotrwałych i żużla. Próbki te obserwowano i analizowano w laboratorium: analiza chemiczna ICP, dyfrakcja rentgenowska, skaningowa mikroskopia elektronowa, analiza EDS, analiza termooptyczna. Zidentyfikowano trzy mechanizmy degradacji. Ich występowanie zależy głównie od lokalizacji w piecu. Obserwacje na miejscu i badania laboratoryjne pozwalają zrozumieć i modelować mechanizmy degradacji materiałów w zależności od składu, temperatury i ich lokalizacji w piecach.
7
Content available remote SiC-based composites made with SHS derived powders
EN
The applications of silicon carbide-based composites at extremely high temperatures and under high partial pressure of water vapor require some modifications of the silicon carbide structure and microstructure in order to increase the reliability of the composite component. One of the methods of such modification could be to introduce phases containing yttria or chromia compounds into the composite microstructure. The presented paper reports the results of investigations on the SHS of silicon carbide powders enriched with yttrium or chromium precursors. It was experimentally proven that it is possible by the means of the SHS technique to obtain powders containing only silicon carbide and dispersions of yttrium silicate or yttrium silicide. Such powders were consequently compacted by hot-pressing or the U-FAST technique. The level of densification and the phase compositions of the materials were characterized. It was found that the sintering conditions determine the phase compositions of the sintered samples. Consolidation using the hot-pressing technique leads to the decomposition of silicon carbide and reduction of the remaining starting phases. As an effect, free graphite and carbide phases (YC2 or Cr3C2) appear in the sintered samples. Applying the U-FAST technique and short sintering times lasting a few minutes allows some yttium-silicon phases from the SiC-Y system (oxide, carbide, silicide) to be preserved in the sintered material. In the SiC-Cr system after U-FAST consolidation the CrSi2 silicide phase was preserved, which is not desirable in the final material because of its relatively low melting point of 1470°C.
PL
Zastosowania materiałów kompozytowych na bazie węglika krzemu w warunkach ekstremalnie wysokich temperatur i pod wysokim ciśnieniem parcjalnym pary wodnej wymagają pewnej modyfikacji struktury oraz mikrostruktury węglika krzemu, w celu zwiększania niezawodności kompozytowego komponentu. Jednym ze sposobów takiej modyfikacji może być wprowadzenie do mikrostruktury kompozytowej faz zawierających itr lub chrom. Niniejsza praca prezentuje wyniki badań, otrzymanych syntezą SHS, proszków kompozytowych na osnowie węglika krzemu wzbogaconej prekursorami itru i chromu. Dowiedziono eksperymentalnie, że jest możliwe uzyskanie metodą SHS proszków zawierających tylko węglik krzemu i wtrącenia krzemianu itru lub krzemku itru. Wytworzone proszki zostały poddane zagęszczaniu za pomocą dwóch różnych metod, tj. prasowania na gorąco (HP) oraz techniki U-FAST. Scharakteryzowano poziom zagęszczenia otrzymanych spieków kompozytowych oraz ich skład fazowy. Stwierdzono, że warunki spiekania determinują skład fazowy spieków. Zagęszczanie przez hot-pressing prowadzi do rozkładu węglika krzemu i do redukcji pozostałych faz wyjściowych, w wyniku czego w spiekach pojawia się wolny grafit oraz fazy węglikowe (YC2 lub Cr3C2). Zastosowanie techniki U-FAST i krótkich, kilkuminutowych czasów spiekania pozwala na zachowanie w spiekach z układu SiC-Y faz itrowo-krzemowych (tlenku, węglika i krzemku). W spiekach z układu SiC-Cr zachowana zostaje faza krzemkowa CrSi2, która nie jest pożądana w finalnym materiale ze względu na niską temperaturę topnienia 1470°C.
EN
Purpose: Determine the possibility of modifying aluminium alloys of the Al-Si system with an ultrafine SiC modifier with a particie size of 3-5 pm. Design/methodology/approach: Processing of the Al-Si alloy was carried out by introducing an ultrafine modifier in the amount of 0.1, 0.2, or 0.3 wt.%. Silicon carbide (SiC) with a particle size in the range of 3-5 pm was used as a modifier. To study the microstructure of the formed surface layers, a metallographic analysis was performed according to the standard method on a microscope MIKPOTEX® MMT-14C using TopView software. Microhardness studies of the samples were carried out on a Vickers microhardness tester NOVOTEST TC-MKV1. The microstructure of castings of the AlSi12 grade was studied at magnification from 100 to 400 times on the horizontal and vertical surfaces of the samples after etching with a 2% NaOH aqueous solution. Findings: Aluminium cast alloy of Al-Si system has been synthesized with the addition of 0.1, 0.2, and 0.3 wt.% ultrafine SiC modifier. It was found that the modification of the AlSi12 alloy by SiC particles of 3-5 pm in size led to an improvement of its microstructure due to the reduction of the volume fraction of micropores and primary Si crystals. It was shown that the AlSi12 aluminium alloy due to the modification by 0.2 wt.% SiC has the best micromechanical properties and macrostructure density. Research limitations/implications: The obtained research results are relevant for cast specimens of the indicated sizes and shapes. The studies did not take into account the influence of the scale factor of the castings. Practical implications: The developed modification technology was recommended for use in the conditions of the foundry "Dnipropetrovsk Aggregate Plant" (Dnipro, Ukraine). Originality/value: The technology of AlSi12 alloy modification of ultrafine SIC modifier with a particle size of 3-5 pm was used for the first time.
PL
W pracy zaprezentowano analizę wytrzymałości trzech rezystów na oddziaływanie plazmy chlorowej. Przeprowadzono serie procesów trawienia SiC, w których maskę zrealizowano przy użyciu materiałów PMMA 950, ZEP 520 oraz HSQ. W ramach opracowanych eksperymentów zbadano różne dawki naświetlania rezystów. Na potrzeby analizy wykonane zostały badania przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej. Ponadto wykorzystano profilometrię w celu określenia parametrów wyjściowych trawienia – szybkości trawienia rezystu i węglika krzemu. Pomiary zrealizowano przed i po usunięciu maski z rezystu. Wyznaczono zakresy głębokości trawienia przy założonej grubości użytego materiału maskującego.
EN
The paper presents an analysis of the durability of three resists on the effect of chlorine plasma. A series of SiC etching processes were carried out, where using PMMA 950, ZEP 520 and HSQ materials the mask was made. As part of the experiments developed, various doses of irradiation were tested. For etching characterization scanning electron microscopy were performed. In addition, to determine the parameters like the etching speed of the resist and silicon carbide, profilometry was used. Measurements before and after removing the mask were realized. Possible etching depth ranges were determined at the assumed thickness of the masking material used.
10
Content available remote Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
PL
Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu.
EN
Fabrication of an efficient, reliable and durable semiconductor device requires not only the development of specific technological processes used during its production, but also a high quality substrate. The quality of the substrate can be determined by the level of contamination of their surfaces and the presence of defects. They can interfere with proper operation or shorten the life of the instruments. This article reviews the current state of knowledge on the methods of preparation and cleaning of silicon carbide surfaces.
11
Content available remote Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
PL
W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
EN
In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.
PL
Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.
EN
Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.
13
EN
In recent years silicon carbide and gallium nitride transistors have become a popular choice for power converters, such as LLC resonant converters, power factor correction circuits, etc. This paper presents a direct comparison of silicon, silicon carbide and gallium nitride field effect transistors (FETs) in a 900 W, two-phase, zero-voltage switching boost converter with a switching frequency range of (300 – 500) kHz. Through analysis, calculations and experimental examination, it is shown, that using gallium nitride and silicon carbide transistors results in a significant increase in converter efficiency, as well as other benefits, such as lower power consumed by the driving circuits and lower working temperature.
PL
W ostatnich latach wzrosła popularność tranzystorów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN) w zastosowaniach takich, jak przekształtniki rezonansowe LLC, układy PFC, itp. Niniejszy artykuł prezentuje bezpośrednie porównanie tranzystorów krzemowych, z węglika krzemu oraz z azotku galu w dwufazowym przekształtniku typu boost ZVS o częstotliwości przełączania w zakresie (300 – 500) kHz i mocy 900 W. Poprzez analizę, obliczenia i weryfikację eksperymentalną wykazano, że zastosowanie tranzystorów SiC i GaN skutkuje znaczącym wzrostem sprawności przekształtnika, oraz innymi korzyściami, takimi, jak niższa moc pobierana przez obwody sterowników bramkowych oraz niższa temperatury pracy.
EN
In the paper, the effect of vibro-compaction in processing of sintered SiCp – aluminium matrix composite was presented. The composite with 15% vol. of SiCp, obtained with three stages: vibro-compaction with use of different amplitude (0.75 mm, 1.125 mm and 1.5 mm), cold pressing and pressure less sintering. The obtained composites were characterized by porosity measurements, microhardness, quantitative metallography analysis and dry sliding tests. It was proved that the application of chosen compaction method, for powder mixture consisting of powders with different density (Al and SiC), allows to obtain graded structure composite. An increase of SiC particles volume fraction as well as microhardness increase was observed towards the bottom of the sample. The most beneficial effect, in SiCp distribution and microhardness values, was noted for the sample were the amplitude of vibro-compaction was 1.5 mm. Moreover, the tribological examinations showed differences in friction coefficients and mass losses for opposite surfaces of composite samples, due to different SiCp volume fraction across the sample. The vibro-compacted material revealed lower porosity, higher mean value of friction coefficient and lower mass loss comparing to the reference composite.
PL
Głównym obszarem zastosowania kompozytów na osnowie aluminium zbrojonych cząstkami ceramicznymi są skojarzenia ślizgowe i cierne, takie jak grupa tłokowo-cylindrowa maszyn tłokowych i łożyska ślizgowe, a w przemyśle samochodowym klocki hamulcowe, sprzęgła, przekładnie pasowe czy bloki silnika. W wielu elementach nie są wymagane takie same właściwości tribologiczne materiału na całym przekroju lub nie jest technologicznie możliwe uzyskanie ekstremalnie wysokich parametrów użytkowych związanych z dużą zawartością cząstek w całej objętości. W takich przypadkach rozwiązaniem mogą być materiały charakteryzujące się gradientowym rozmieszczeniem cząstek ceramicznych i istnieje wiele koncepcji technologicznych pozwalających uzyskać ten typ mikrostruktury. W pracy przedstawiono możliwość uzyskania metodą metalurgii proszków struktury gradientowej w kompozycie Al–SiCp, dla udziału zbrojenia w mieszaninie wyjściowej 15% obj. Założono, że gradientowe zróżnicowane rozmieszczenie zbrojenia w osnowie powstanie dzięki różnicy gęstości komponentów (Al 2,7 g/cm3, SiC 3,21 g/cm3), podczas zgęszczania wibracyjnego, dzięki bardziej intensywnemu w porównaniu z proszkiem aluminium przemieszczaniu się cząstek SiC w dół formy.
EN
The steel presents a wide field of application. The abrasive wear resistance of steel relies mainly on the microstructure, hardness as well as on the abrasive material properties. Moreover, the selection of a abrasion-resistant grade of steel still seems to be a crucial and unsolved problem, especially due to the fact that the actual operating conditions can be affected by the presence of different abrasive materials. The aim of this work was to determine the effect of different abrasive grit materials i.e. garnet, corundum and carborundum on the abrasive wear result of a commonly used in industry practice steels i.e. S235, S355, C45, AISI 304 and Hardox 500. The microstructure of the steel was investigated using light optical microscopy. Moreover, hardness was measured with Vickers hardness tester. Additionally, the size and morphology of the abrasive materials were characterized. The abrasion tests were conducted with the usage of T-07 tribotester (dry sand rubber wheel). The results demonstrate that the hardness and structure of steels and hardness of abrasive grids influenced the wear results. The abrasive wear behavior of steels was dominated by microscratching and microcutting wear mechanisms. The highest mass loss was obtained for garnet, corundum, and carborundum, respectively. The usage of various abrasives results in different abrasion resistance for each tested steel grade. The AISI 304 austenitic stainless steel presents an outstanding abrasive wear resistance while usage of corundum and Hardox 500 while using a garnet as abrasive material. The C45 carbon steel was less resistant than AISI 304 for all three examined abrasives. The lowest resistance to wear in garnet and carborundum was obtained for the S235JR and S355J2 ferritic-perlitic carbon steels and in corundum for Hardox 500 which has tempered martensitic structure.
16
Content available SiC technology enters the market
EN
Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
PL
Wysoka efektywność energetyczna i zwiększona częstotliwość pracy przetwornicy statycznej pozwalają na zminimalizowanie wymiarów układu chłodzenia i zmniejszenie zużycia energii. Nową jakość wnoszą przetwornice statyczne, wykorzystujące technologię SiC. Zmniejszenie masy urządzeń i ich wielkości jest bardzo znaczące (ok. 40–50%). Wyższa częstotliwość przełączania zmniejsza wymiar elementów magnetycznych (ok. 80%), a większa wydajność przekształtnika minimalizuje wymiary układu chłodzenia. Całkowita wydajność przetwornicy jest bardzo wysoka (94–96%). W pracy przedstawiono porównanie parametrów elementów Si i SiC, które są ważne dla nowoczesnych rozwiązań pojazdów elektrycznych. W artykule przedstawiono również parametry przetwornicy pomocniczej SiC, zaprojektowanej i wykonanej jako najnowocześniejszy produkt dla liniowych lokomotyw elektrycznych.
EN
High energy efficiency and increasing the working frequency of the converter will make it possible to minimize the size of the cooling system and reduce energy consumption. Auxiliary converters using the SiC technology are a new quality. The reduction of weight and size is very significant (ca. 40–50%). Higher switching frequency reduces the size of magnetic components (ca. 80%), and higher converter efficiency minimizes the size of the cooling system. The overall efficiency of the converter is extremely high (94–96%). This paper presents comparison of Si and SiC parameters which are important for modern solutions, dedicated for railway traction vehicles. Paper presents also parameters of SiC auxiliary converter, designed and manufactured as state-of-the-art product for modern mainline electric locomotives.
PL
Niniejszy artykuł opisuje koncepcję obwodu rezonansowego pracującego z nieparzystą wielokrotnością częstotliwości przekształtnika w aplikacji wysokoczęstotliwościowej nagrzewnicy indukcyjnej. Przedstawiono nagrzewnicę o częstotliwości pracy 5 MHz, zbudowaną w oparciu o tranzystory w technologii węglika krzemu SiC.
EN
This paper deals with concept of resonant circuit operating with odd multiply frequency of converter in application of high frequency induction heater. 5 MHz induction heater based on modern silicon carbide transistors are shown.
19
Content available remote Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.
20
Content available remote Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT
PL
W pracy przedstawiono charakterystyki i parametry robocze tranzystora mocy SJT, wykonanego z węglika krzemu typu 2N7635-GA firmy GeneSiC. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz wartości wybranych parametrów, ze szczególnym uwzględnieniem wpływu temperatury i punktu pracy rozważanego przyrządu. Dla porównania zaprezentowano również wybrane charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents the characteristics and operating parameters of the SJT power transistor 2N7635-GA manufactured by GeneSiC. The characteristics and values of selected operating parameters with special emphasis on the effect of temperature and operating point of considered device are discussed. For comparison, selected characteristics of the considered transistor available in the data sheet, are presented as well.
first rewind previous Strona / 11 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.