Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  GTO
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Analiza uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy (PPM) daje wartościowe informacje niezbędne do racjonalnego projektowania urządzeń energoelektronicznych. Omówiono różnice w mechanizmach uszkodzeń PPM-ów i przyrządów sygnałowych. Przedstawiono podstawowe przyczyny uszkodzeń diod prostowniczych, tyrystorów konwencjonalnych SCR, tyrystorów wyłączalnych GTO i tranzystorów IGBT. Naświetlono procesy zmęczeniowe spowodowane narażeniami emperaturowo - mechanicznymi. Rozważania zilustrowano przykładowymi fotografiami zniszczonych PPM-ów.
EN
The failure analysis of power semiconductor devices (PSD) is valuable information to make some necessary converter circuit correction. Differences between PSD and signal device failures are described. Main failure mechanisms of rectifier diodes, SCR thyristors, GTO thyristors and IGBT transistors are discussed. Failures due a thermal fatigue are given as well. Selected results with example photos of PSD destroyed surfaces are presented. Application of an expert system for the PSD failure analysis is also discussed.
PL
Omówiono sposób określania danych znamionowych tyrystorów oraz zjawiska dynamiczne występujące przy wyłączaniu tyrystorów GTO. Tyrystory GTO wykazują nierównomierność gęstości prądu przy wyłączaniu. Prowadzi to do kumulacji prądu w peryferyjnych grupach segmentów. Opisano oscylacyjne wyłączanie GTO. Przedstawiono zmodyfikowany sposób ochrony przeciwprzepięciowej GTO eliminujący rezystory z układu odciążającego. Omówiono trudności związane z montażem tyrystorów GTO w przekształtnikach.
EN
Determination of thyristor ratings and dynamic phenomena during GTO thyristor turn-off are discussed. There is a current density inhomogeneity in such circumstances. It gives some current concentration in pheripherial segment groups. An oscillation GTO turn- off process is desribed. A modificated GTO overvoltage protection, that eliminates resistors from snubber circuits, is presented. Some difficulties dealing with an assembly of GTO thyristors in converters are related.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.