Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 73

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 4 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  SPICE
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 4 next fast forward last
EN
DC-DC converters are popular switch-mode electronic circuits used in power supply systems of many electronic devices. Designing such converters requires reliable computation methods and models of components contained in these converters, allowing for accurate and fast computations of their characteristics. In the paper, a new averaged model of a diode-transistor switch containing an IGBT is proposed. The form of the developed model is presented. Its accuracy is verified by comparing the computed characteristics of the boost converter with the characteristics computed in SPICE using a transient analysis and literature models of a diode and an IGBT. The obtained results of computations proved the usefulness of the proposed model.
2
Content available remote Ocena przydatności modeli firmy Infineon do modelowania tranzystorów IGBT
PL
W pracy przedstawiono ocenę przydatności wybranych modeli tranzystora IGBT, które są dostępne na stronie firmy Infineon. Przedstawiono strukturę rozważanych modeli, przy wykorzystaniu których przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk tranzystora IGBT. Uzyskane przy wykorzystaniu rozważanych modeli wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów uzyskanymi dla różnych warunków pracy tego elementu.
EN
In this paper, evaluation of accuracy of the selected models of IGBT, which are available at Infineon web-site is presented. Structures of the considered models and results of computations made using these models are presented. Obtained results of computations are compared with results of measurements made for different operating conditions of the IGBT.
PL
W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.
EN
This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.
PL
W pracy przedstawiono wyniki analiz komputerowych przetwornicy SEPIC przy wykorzystaniu uśrednienionych modeli łącznika diodowo-tranzystorowego dla programu SPICE. Opisano postać zastosowanych modeli oraz sposób wykonywania obliczeń przy ich wykorzystaniu. Porównano czasy trwania obliczeń realizowanych przy zastosowaniu poszczególnych modeli, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów.
EN
The paper presents the results of computer analyzes of the SEPIC converter obtained using the average models of the diode-transistor switch dedicated for the SPICE program. The form of used models and procedure of calculations using this models are described. The time duration of calculations performed using described models were compared, and the obtained results of calculations were compared with the results of measurements.
PL
W pracy przedstawiono model fotoogniwa dedykowany dla programu SPICE. Model ten uwzględnia zjawiska optyczne, elektryczne i cieplne. W szczególności uwzględniono wpływ na charakterystyki fotoogniwa kąta padania promieni światła na powierzchnię tego fotoogniwa. Zaprezentowano zarówno postać modelu, jak i zastosowane stanowisko pomiarowe. Praktyczną przydatność opracowanego modelu zbadano dla fotoogniwa monokrystalicznego.
EN
In the paper the model of the solar cell dedicated for the SPICE software is presented. This model takes into account optical, electrical and thermal phenomena. The influence of the angle of incidence of shafts on its surface on characteristic of solar cells are considered. Both the form of the model and the worked out measuring set-up are presented. The practical usefulness of the worked out model is examined for the monocrystalline solar cell (Modelling characteristics of mono-crystalline solar cells operating under different luminous conditions).
PL
W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.
EN
On the paper proprieties of selected literature models of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) are analysed. The forms of the model of this element built-in in the SPICE software and the model proposed on web-side of International Rectifier are presented. By means of the considered models some characteristics of the selected type of the IGBT operating at different values of the temperature are calculated. Obtained results of calculations are compared with results of measurements of the investigated devices performed by the Authors. Basing on obtained results of investigations, the range of the usefulness of both the considered models are discussed.
PL
W pracy zaproponowano model obwodowy elektrolizera w formie dedykowanej dla programu SPICE. Model ten uwzględnia zarówno właściwości statyczne, jak i dynamiczne rozważanego urządzenia i jest przeznaczony do optymalizacji parametrów sygnału zasilającego ten elektrolizer. Przedstawiono postać opracowanego modelu opisującego właściwości elektryczne elektrolizera oraz pokazano wyniki weryfikacji eksperymentalnej poprawności tego modelu. Wykorzystując przedstawiony model przeprowadzono symulacje komputerowe ilustrujące wpływ częstotliwości sygnału zasilającego elektrolizer oraz stężenia roztworu na wydajność i sprawność energetyczną procesu elektrolizy. Wybrane wyniki obliczeń zweryfikowano doświadczalnie.
EN
In the paper the network model of the electrolyser in the form dedicated for SPICE software is proposed. This model takes into account both static and dynamic proprieties of the considered device and it is devoted to the optimization of parameters of the signal feeding this electrolyser. The form of the worked out model describing electrical properties of the electrolyser is presented and some results of the experimental verification of the correctness of this model are shown. Using the presented model some computer simulations illustrating the influence of the frequency of the signal feeding the electrolyser and of the concentetion of the solution on the productivity and the efficiency of the electrolysis process are performed. Selected results of the calculations are compared with results of measurements.
PL
W pracy rozważany jest problem modelowania diod LED mocy przy wykorzystaniu programu Spice. Przedstawiono autorski elektro-termiczno-optyczny model diod LED, uwzględniający zjawiska elektryczne w poszczególnych diodach LED, samonagrzewanie oraz zjawiska optyczne. Poprawność modelu zweryfikowano doświadczalnie zarówno w warunkach pracy statycznej, jak i dynamicznej dla diod LED firmy CREE typu XML, XPE oraz MCE. Uzyskano dobrą zgodność między wynikami pomiarów i obliczeń.
EN
In the paper the manner of the modelling of power LED with the use of the SPICE software is presented. The new electro-thermal-optical model of power LED diodes taking into account both electric phenomena, self-heating and optical phenomena in selected LEDs is proposed. The correctness of the model is verified experimentally both in the steady state and in dynamic operation of LED XML, XPE and MCE type from CREE Company. The good agreement between results of calculations and measurement is obtained.
PL
W pracy przedstawiono możliwości uzyskiwania i modelowania sygnałów zmodulowanych za pomocą programu SPICE ze szczególnym uwzględnieniem modulacji amplitudowej i częstotliwościowej. Szczegółowo opisano źródła typu SFFM, z których można uzyskać sygnał zmodulowany częstotliwościowo. Przedstawiono przykładowy przebieg czasowy i obliczone widmo sygnału z tego źródła. Opisano sposób uzyskania sygnału zmodulowanego amplitudowo na podstawie autorskiego modelu nadajnika NAW 2511 pracującego z emisją H2A. Rozważania teoretyczne zilustrowano wynikami symulacji komputerowych.
EN
In the paper, possibilities of modelling frequency and amplitude modulated signals in SPICE program are presented. Obtaining a frequency modulated signal using the SFFM source is described, in detail. Some calculated waveforms and spectrums obtained from this source are shown. The manner of obtaining the amplitude modulated signal based on author’s model of radiotransmiter NAW 2511 which is operating with a H2A emission is presented. The theoretical considerations was illustrated by results of the computer simulations.
PL
Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.
EN
The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.
PL
W pracy zaproponowano nową postać uśrednionego elektrotermicznego modelu przetwornicy boost dedykowanego do zastosowania w programie SPICE. Do opisu właściwości rozważanej przetwornicy zastosowano opracowany uprzednio przez autora elektrotermiczny uśredniony model klucza diodowo-tranzystorowego oraz nowy uśredniony nieliniowy elektrotermiczny model dławika. Zaprezentowano postać nowego modelu dławika oraz przedstawiono wyniki obliczeń nieizotermicznych charakterystyk rozważanej przetwornicy uzyskanych za pomocą nowego modelu dławika oraz modeli uśrednionych tej przetwornicy znanych z literatury.
EN
In the paper the new form of the average electrothermal model of the boost converter dedicated for SPICE is proposed. To the description of the properties of considered converter the previously elaborated by the author the electrothermal average model of the diode-transistor switch and new average non-linear electrothermal model of the choking-coil are applied. The form of the new model of the choking-coil is presented and some results of calculations of non-isothermal characteristics of considered converter obtained by means of the new model of choking-coil and average models of this converter well-known from the literature, are presented.
12
Content available remote Electrothermal Model of Ferromagnetic Cores
EN
This paper presents an electrothermal model of ferromagnetic cores dedicated for SPICE software. The form of this model, dedicated to be used in power electronics applications, is presented and the procedure of estimating magnetic, geometric and thermal parameters of the presented model is proposed. The correctness of the proposed model is verified by comparing the calculated and measured characteristics of the selected ferromagnetic cores operating at different values of flux density, frequency, ambient temperature and cooling conditions. The satisfied agreement between the results of calculations and measurements is obtained.
PL
W pracy zaproponowano elektrotermiczny model rdzeni ferromagnetycznych dla programu SPICE, dedykowany do analizy układów energoelektronicznych. Przedstawiono postać modelu oraz sposób wyznaczania jego parametrów magnetycznych, geometrycznych oraz cieplnych. Poprawność prezentowanego modelu została zweryfikowana przez porównanie obliczonych i zmierzonych charakterystyk wybranych rdzeni wykonanych z różnych materiałów i pracujących przy różnych wartościach indukcji pola magnetycznego, częstotliwości i temperatury otoczenia oraz przy różnych warunkach chłodzenia. We wszystkich przypadkach uzyskano dobrą zgodność między wynikami obliczeń i pomiarów.
PL
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
EN
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
PL
W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.
EN
In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices.
PL
W artykule zaprezentowano nowoczesne metody tworzenia aplikacji dla systemów wbudowanych do celów kontrolno-pomiarowych w przemyśle motoryzacyjnym. Przedstawiono podstawy procesu powstania oprogramowania zgodnego ze standardem SPICE. Opisano także wyzwania stojące obecnie przed programistami oraz współcześnie stosowane narzędzia do ich rozwiązywania. Artykuł prezentuje również symulację przykładowego modelu funkcjonalnego zaimplementowanego w środowisku Matlab.
EN
Two types of verification methods, i.e. MIL & SIL, are provided by TargetLink. In the current circumstances, due to higher car electrification, the complexity of the software developed for automotive industry is increased. This situation forces investments in new solutions and programming tools for the development and maintenance of the source code. This paper describes the foundations of software development compliant with the SPICE standard and its well-known model implementation, i.e. V Model (Fig. 1.). The authors focused on the description of the concept behind the application development with the aid of functional models (Fig. 5). Those models are designed in the MATLAB environment, followed by the automatic source code generation using TargetLink, which complies with the AUTOSAR standard. This standard allows automated model integration (applicable to functionalities, e.g. control of windscreen wipers or electric windows). Once designed and tested, the model can be reused in many other projects, which guarantees the identical functionality regardless of the chosen system architecture. This paper describes the simulation example of a model responsible for the car ambient temperature measurement. (Figs. 4, 5). In addition, the simulation covers the operation of the model. The simulation results are shown in Figs. 8 and 9. In order to perform runtime checks of the generated code for any faults, the authors used two types of verification methods provided by TargetLink, i.e. Model In the Loop & Software In the Loop.
EN
The paper refers to modelling characteristics of IGBT in SPICE software with self-heating taken into account. The form of the electrothermal model of the considered transistor and equations describing this model are proposed. The correctness of the proposed model is verified experimentally during the operation of the examined transistor at different cooling conditions. Particular attention is paid to the non-typical course of characteristics of the considered device at weak excitation. The shape of the obtained characteristics is discussed and the influence of the sub-threshold effect in the input MOS structure on these characteristics is analysed.
PL
W pracy przedstawiono stanowisko do pomiaru charakterystyk fotoogniw oraz model fotoogniwa dla programu SPICE. Poprawność opisanego modelu oraz użyteczność stanowiska pomiarowego zweryfikowano doświadczalnie dla wybranych ogniw monokrystalicznych i polikrystalicznych.
EN
In this paper the measurement set to measure dc characteristics of solar cells and the model of solar cells for SPICE are presented. The correctness of this model and the usefulness of the measurement set were verified experimentally for selected monocrystalline and polycrystalline solar cells.
18
Content available remote Modelowanie elementów magnetycznych w programie SPICE
PL
Artykuł dotyczy modelowania elementów magnetycznych za pomocą programu SPICE. Zaprezentowano tu wybrane modele dławików uwzględniające właściwości zarówno uzwojenia, jak i rdzenia ferromagnetycznego. W szczególności omówiono zjawiska fizyczne uwzględniane w poszczególnych modelach. Wykorzystując rozważane modele, obliczono charakterystyki wybranego dławika. Uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów i przedyskutowano uzyskane rozbieżności.
EN
This paper is devoted to the problem of modelling of magnetic devices with the use of SPICE. Some selected models of choking-coils taken into account the most important properties of the windings and ferromagnetic cores are presented. The physical phenomena modelled in described models are shown. With the use of the considered models the L(i) characteristics are calculated for selected choking-coil and the obtained results are compared with results of measurements and discussed.
EN
Equation-defined non-linear functional elements are important building blocks in the development of compact semiconductor device models. Current trends in compact device modelling suggest widespread acceptance among the modeling community of Verilog-A, for semiconductor device specification, model exchange and circuit simulation. This paper outlines techniques for the development of adaptive EPFL-EKV long and short channel MOS models which stress user selectable model features and diagnostic capabilities. Adaptive EPFL-EKV nMOS models based on Verilog-A and Modelica are introduced and their performance compared with simulation data obtained using the "Quite universal circuit simulator" (Qucs), SPICE and the Modelica simulation environment.
PL
W artykule poruszono problematykę modelowania w programie SPICE charakterystyk statycznych krzemowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy. Do badań wybrano moduły zawierające diody typu PiN oraz diody typu FRED.
EN
In the paper the problem of modeling of d.c. characteristics of electroisolated power diode modules was considered. For investigations the modules containing the silicon PiM diodes and the silicon fast recovery epitaxial diodes were chosen.
first rewind previous Strona / 4 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.