Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.
PL
Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).
EN
The thin films MoSi2 (0.9...1.8 µm thick) were investigated for thin film heater applications. The films were deposited on D263 Schott foil or Corning 7059 glass substrates at about 600 K using the magnetron sputter technique. For heating resistors the MeSi-Ag terminations (where Me: Ti, Ni) were used. It was observed that as-deposited MoSi2 films yield the resistivity p in the range of 1 ...1.8 mΩ⋅cm and temperature coefficient of resistance TCR between -1200 and -1600 ppm/K. During loading test the devices were loaded with various dc power 0.5, 1, 1.5 W up to 10 hours at ambient air. Periodically the resistance versus temperature characteristics in the temperature range of 300...500 K were measured to evaluate the both the reversible and non reversible changes in resistance and TCR values. However thermal test was performed in ambient air at 473 K during 200 h for preaged heaters. During thermal test the devices were loaded periodically with dc power about 0.1 W and the changes in film resistance with time were monitored and evaluated.
PL
Cienkie warstwy MoSi2 o grubości 0,9...1,8 µm badano jako cienkowarstwowe elementy grzejne. Warstwy osadzano na podłoża foliowe D263 firmy Schott lub szklane Corning 7059 o temperaturze ok. 600 K przy użyciu techniki rozpylania magnetronowego. Wyprowadzenia grzejników stanowiła dwuwarstwa MeSi-Ag, gdzie Me: Ti lub Ni. Zaobserwowano, że warstwy MoSi2 po napyleniu miały rezystywność p w zakresie 1...1.8 mΩ⋅cm oraz TWR ujemny w granicach (1200...1600)-10⁻⁶/K. Podczas testu obciążenia elementy obciążano mocą prądu stałego 0,5,1 i 1,5 W do 10 h w powietrzu. Do oceny zmian odwracalnych i nieodwracalnych rezystancji i TWR w czasie testu periodycznie mierzono charakterystyki rezystancyjno-temperaturowe w zakresie 300..500 K. Test temperaturowy przeprowadzano w atmosferze powietrza o temperaturze około 473 K w czasie 200 h dla wstępnie starzonych grzejników. Elementy obciążano mocą prądu stałego ok. 0,1 W i rejestrowano zmiany rezystancji w czasie.
PL
W niniejszej pracy opisano własności termoelektryczne i strukturę warstw germanowych otrzymanych w procesie rozpylania targetu dwuskładnikowego Ge-Au w układzie magnetronowym zasilanym impulsowo. Własności warstw analizowano jako funkcję domieszkowania złotem w ilości 2 i 5 %at oraz temperatury podłoża podczas kondensacji w zakresie 360-1040 K. Strukturę i skład fazowy warstw badano za pomocą dyfrakcji rentgenowskiej. Stwierdzono, że warstwy zawierają krystality obu faz: Ge o strukturze regularnej typu diamentu oraz Au o strukturze regularnej ściennie centrowanej. Współczynnik Seebecka i elektryczna konduktywność warstw rosły ze wzrostem temperatury podłoża podczas nanoszenia. Towarzyszył temu wzrost wymiarów krystalitów obu faz.
EN
The results of investigations concerning the structural and the thermoelectric properties of Ge-Au sputtered films under pulsed voltage operation of magnetron are described. The film properties are discussed as a function of doping with gold (2 and 5 at%)and the substrate temperature during deposition (360-1040 K). The structure and phase composition of the films were investigated by X-ray diffraction method. It has been found that almost all as-deposited films were policrystaline and contained crystallites of both Ge and Au phases. The Seeback coefficient and the electrical conductivity were observed to increase with increasing substrate temperature during sputtering. It was connected with the increase in the crystallite dimensions of both Ge and Au phases.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.