Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  elipsometria
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
EN
Silver diffused into microscope slides made of an AgNO3/NaNO3 alloy. Surface plasmon resonance of the Ag nanoparticle was analyzed by optical spectroscopy. The mechanism of silver crystal growth was analyzed by scanning electron microscopy (SEM) equipped with X-ray energy diffraction (EDS) technique. The evolution of local surface plasmon resonance was studied by UV-VIS spectroscopy. Samples were also analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ellipsometry.
PL
Srebro dyfundowało do szkiełek mikroskopowych ze stopu AgNO3/NaNO3. Powierzchniowy rezonans plazmonowy nanocząstki Ag analizowano za pomocą spektroskopii optycznej. Mechanizm wzrostu kryształów srebra analizowano za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) wyposażonej w technikę dyfrakcji energii rentgenowskiej (EDS). Ewolucję lokalnego rezonansu plazmonowego powierzchni badano za pomocą spektroskopii UV-VIS. Próbki analizowano również za pomocą rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronowej (XPS) i elipsometrii.
PL
W artykule przedstawiono możliwość zastosowania techniki elipsometrii spektroskopowej do szybkiego i nieinwazyjnego monitorowania jakości powierzchni fotorefrakcyjnych kryształów SrxBa1-xNb2O6. Przedstawiono model optyczny materiału z chropowatą warstwą powierzchniową, który umożliwia precyzyjne wyznaczenie wielkości nierówności powierzchni w procesie dopasowania symulowanych krzywych teoretycznych oraz eksperymentalnych funkcji optycznych. Otrzymane wielkości stopnia chropowatości przy pomocy techniki elipsometrii zbliżone są do odpowiednich uzyskanych techniką mikroskopii sił atomowych.
EN
The article presents the capabilities of spectroscopic ellipsometry as a fast and nondestructive tool for monitoring of surface quality of photorefractive SrxBa1-xNb2O6 crystals. Optical model with surface roughness layer is shown which allows to determine precisly the values of surface roughness in the fitting procedure of modeled and experimental optical functions. The obtained surface roughness quantities by spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy are in good agreement.
EN
The work is focused on the possibility to use spectroscopic ellipsometer in biosensor application. Operation of the ellipsometer is enhanced by the feature of TIRE (Total Internal Reflection Ellipsometry). The principal goal is to detect analytes in aqueous solutions at low concentrations below 0.1 nmol/l.
PL
Praca koncentruje się na możliwości wykorzystania elipsometrii spektroskopowej w aplikacjach czujnika biologicznego. Działanie elipsometru potęguje cechy TIRE (ang. Total Internal Reflection Ellipsometry). Głównym celem jest wykrywanie składników czy substancji chemicznych w roztworze wodnym przy niskich stężeniach poniżej 0,1 nmol / l.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad otrzymywaniem, budową i właściwościami amorficznych, uwodornionych warstw krzemowych, a-Si:H. Wykonane badania dotyczą warstw otrzymanych z zastosowaniem metody chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmy (metoda PACVD). Badaniom poddano serię warstw osadzonych, w różnych temperaturach, na podłożu monokrystalicznego krzemu. W ocenie budowy i właściwości warstw wykorzystano metodę mikroskopii skaningowej (SEM) oraz techniki spektroskopowe: spektroskopię absorpcyjną w podczerwieni (FTIR), spektroskopię dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) i spektroskopię elipsometryczną. Uzyskane wyniki pokazują, że obserwowane zależności pomiędzy temperaturą procesu PACVD a mierzonymi właściwościami warstw nie są monotoniczne. Większość mierzonych parametrów pokazuje zmianę monotoniczności dla warstw otrzymanych w temperaturach z zakresu 150÷350 ºC. Za szczególnie ważny rezultat należy uznać, że wygrzewanie warstw w temperaturze 300 ºC nie zmienia ich parametrów optycznych.
EN
Amorphous silicon layers, containing hydrogen (a-Si:H), are important material for photovoltaics. The layers to be used in the production of highly effective solar cells must possess some relevant properties: density, chemical composition (H content), optical parameters and thickness. The most important optical parameters include: absorption coefficients, refractive index and optical gap. The studies on receiving a-Si:H layers with optimal parameters are conducted in many laboratories. The aim of the present studies is to complete a state of knowledge on a-Si:H layers by the results obtained for the layers deposited by Radio-Frequency Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition (RF PACVD). Technological parameters of the processing have been optimized, and structure and properties of the layers deposited at various temperatures have been investigated. The results show that the temperature is an important technological parameter, which does not affect the layer growth rate significantly, but influences the optical parameters. The observation that the optical parameters of the layers obtained in the RF PACVD do not change by annealing, is considered as a particularly important outcome of the research. The measurements of optical parameters were performed using spectroscopic ellipsometer JA Woollam Co., Inc.. M-2000 of the spectral range from 193 to 1690 nm.
5
Content available remote Otrzymywanie powłok antyrefleksyjnych na szkle techniką zol-żel
PL
Przedmiotem badań było otrzymywanie warstw antyrefleksyjnych wytwarzanych techniką zol-żel. W szczególności analizowano stabilność długoczasową zolu. Badano również wpływ starzenia na parametry antyrefleksyjne i porowatość powłok. Współczynnik załamania, porowatość i grubość warstw wyznaczono w oparciu o pomiary elipsometryczne. Stwierdzono, że z czasem starzenia współczynnik załamania powłoki maleje co pogarsza jej własności antyrefleksyjne. Porowatość wzrasta z ok. 26%, dla roztworu wyjściowego, do ok. 50% po czasie 185 dni. Badany zol wykazuje technologiczną stabilność w czasie ok. 30 dni.
EN
Preparation of antireflection coatings by a sol-gel method was the subject of this study. In particular, long-term stability was the main concern. The influence of aging on antireflection parameters and porosity was also studied. Refractive index, porosity and thickness of the layers were estimated on the base of ellipsometric measurements. It was found that the refractive index lowers with time of aging making worse antireflection properties of the coatings. Porosity increases from 26% for the freshly prepared sol up to about 50% after 185 days of aging. The sol of studied composition is technologically stabile within 30 days.
PL
Badania kryształów ferroelektrycznych pozostają jednym z głównych kierunków współczesnej nauki o ciele stałym głównie dzięki zainteresowaniom mechanizmami mikroskopowymi przemian fazowych. Z tego względu ważne jest badanie struktury elektronowej pasmowej i osobliwości wiązań chemicznych międzyatomowych w kryształach ferroelektryków. Takie dane są niezbędne do wyjaśnienia osobliwości oddziaływania elektron-fononowego i ewentualnych mechanizmów strukturalnych przemian fazowych. Widma optyczne współczynnika odbicia R kryształów TGS w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych były badane w zakresie energii fotonów E od 4 do 22 eV, głównie w pracach [1, 2]. Jednak metodyka pomiarów współczynników odbicia R(E) w tych pracach nie gwarantowała obliczenie przy pomocy relacji KramersaKroniga widm części rzeczywistej i urojonej przenikalności elektrycznej e1(E) i e2(E) kryształów TGS o wystarczająco wysokiej dokładności. W niniejszej pracy są przedstawione wyniki badań właściwości optycznych w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych ferroelektrycznych kryształów siarczanu trójglicyny (TriGlycine Sulfate, TGS), (CH2NH2COOH)3×H2SO4, otrzymane metodą elipsometrii spektroskopowej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronu BESSY-II w Berlinie. Ta metodyka, w porównaniu do stosowanej w pracach [1, 2], jest generalnie o wiele dokładniejsza.
PL
Zmierzone parametry elektryczne struktur MOS wskazują na obecność naprężeń mechanicznych panujących w tlenku pod powierzchnią bramki metalowej. Przyjęto do badań dwie metody optyczne: elipsometrii i mikro-interferometrii. Do oceny ugięcia prążków interferencyjnych spowodowanego zmianami drogi optycznej w warstwie dielektryka pod wpływem naprężeń stworzono oprogramowanie komputerowe oparte na regresji nieliniowej. Inny sposób oceny tej wielkości wykorzystuje ekwidensytometrię. Pomiary optyczne pozwoliły wyznaczyć niektóre składowe tensora naprężeń w warstwie dielektryka sąsiadującej z krawędzią bramki.
EN
Observed changes in some electrical parameters of MOS structures indicate existence of stresses in SiO2 layer under aluminum gate. In order to find out why these parameters were changed, we have studied optical properties of the dielectric in the vicinity of metal and poly-silicon gate.
8
Content available remote New designs for graded refractive index antireflection coatings
EN
The constant progress in thin layers technology, especially the graded index inhomogeneous dielectrics, allows the realization of antireflection coatings (ARC) that are less sensitive to thickness and to the incidence angle. Graded refractive index silicon oxynitrides are deposited by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (ECR-PECVD) controlled in-situ by monochromatic ellipsometry. While avoiding the complexity of the classical multilayer ARCs, the obtained AR coatings permit to obtain the same performances, or furthermore to improve the cells efficiency. Different suggested profiles are optimized by simulation, then they are realized and characterized by spectroscopic ellipsometry and reflectance measurement. The photogenerated current can be enhanced by 45%, and weighted reflectance (between 300 and 1100 nm) reduced to 5.6%. The passivating properties of oxinitrides recommend the use of these AR coatings on texturized surfaces. The weighted reflectance would decrease to less than 1% and short-circuit current will thus be enhanced by 52.79%.
PL
Otrzymano polimery metakrylowe zawierające grupy chromoforowe typu diazobenzenu z dołączonymi fragmentami heterocyklicznego sulfonamidu. Polimery te zastosowano do formowania filmów metodą wylewania oraz spin-coating. W filmach obserwowano zmianę współczynnika refrakcji pod wpływem światła, a także nieznaczne zmiany parametrów elipsometrycznych w układzie corona-poling. Stwierdzono także efekt modulacji współczynnika refrakcji przy współdziałaniu 4 fal lasera (532 i 632 nm. ), który może być wykorzystany do zapisu informacji metodą holograficzną.
EN
Methacrylate type polymers containing chromophore units in side chains were obtained. Degenerate four wave mixing experiments carried out with two 512 nm writing beams and a 632 nm probe beam showed formation of a diffracted beam with 4 and 7 % efficiency for PMBI and PMMI, respectively, both were methylisoxazole derivatives with methyl and butyl groups, respectively, at the tertiary nitrogen atom. Refractive index modulation of the PMMI film as equal to 0,004. The illumination of the samples in ellipsometric measurements resulted in change of the refractive index of the films in the range of 0,012 due to trans-cis isomerisation.
10
Content available remote Evaluation of thin Ta(N) film integrity deposited on porous glasses
EN
Porous glasses are widely used in microelectronics as inter-metal dielectrics with low dielectric constant (so-called low-k dielectrics). At the same time copper is used as a metal because of its low resistivity. Combination of Cu and low-k requires a barrier to prevent Cu diffusion into a low-k dielectric. Integrity of such a barrier becomes an issue when porous glass is used as a low-k dielectric. The barrier should be as thin as possible and fully dense at the same time. Using solvent (toluene) penetration through a barrier (tantalum nitride in our case, which is non-stoichiometric, hence denoted as Ta(N)) and adsorption in porous glass as a barrier integrity probe, we show that barrier integrity depends not only on porous structure of the glass, but also on its chemical composition (namely on carbon content). Glasses with high carbon content are easier to seal with Ta(N) barrier. With help of Monte Carlo simulations, we speculate that different chemical composition of the porous glass results in different surface diffusion during barrier deposition. Different surface diffusion, in turn, results in different integrity of the porous barrier.
EN
Deals with presents the theoretical investigation into the influence of temperature on the fiber-optic interferometer action for different configuration of the latter. Based on the phenomenological description of interference phenomena in the optical fiber, the role of coherence and polarisation in the fiber-optic interferometer is discussed. The final conclusions are used in the main part of the paper connected with an analysis of temperature influence on the action of different fiber-optic interferometer configurations. This analysis is based on the Jones matrix formalism applied to interferometers of minimal functional configuration. Finally, it is suggested using the fiber-optic ellipsometer for polarisation controlling.
EN
Ellipsometry is a very powerful and totally nondestructive technique for determining optical constants, film thickness in multilayered systems, surface and interfacial roughness and material microstructure. Ellipsometric measurements can be made in vacuum, air and other environments. Ellipsometry has traditionally been used to determine film thickness and optical constants of dielectrics and optical coatings, semiconductors and heterostructures, magneto-optic, magnetic and opto-electronic materials, electrochemical, biological and medical systems and in surface modifications and surface roughness investigations. In situ measurements during crystal growth or material deposition are useful to study constituent fractions (including void fractions) in deposited or grown materials, surface oxide formation and film growth kinetics. Ellipsometric studies of metal, dielectric, semiconductor and organic layers carried out at the Institute of Physics of Wroclaw University of Technology by members of Thin Films Group are presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.