Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Tutorial on epitaxy of semiconductor materials

Pucicki D., Ściana B., Bielak K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 7

35-44

EN

In this paper there was presented the brief overview of the semiconductor structures epitaxial growth including different modes of epitaxial growth and different epitaxial techniques. The modes of the growth which enable to fabricate semiconductor structures, both with almost perfect planar layers and with more advanced three dimensional objects, were discussed. Several techniques of growth of semiconductor materials and heterostructures were presented together with concise information about the advantages and disadvantages of each of them. Technological requirements which should be fulfilled in order to fabricate advanced semiconductor devices and few aspects of the epitaxai growth were talked over as well.

PL

W pracy przedstawiono podstawowe zagadnienia dotyczące epitaksji związków półprzewodnikowych, wliczając w to omówienie różnych modów epitaksjalnego wzrostu oraz różnych technik epitaksji. Omówione zostały mody epitaksjalnego wzrostu umożliwiające wytwarzanie struktur atomowo gładkich warstwa po warstwie oraz bardziej zaawansowanych struktur trójwymiarowych. Przedstawione zostały różne techniki epitaksji związków półprzewodnikowych wraz z krótką charakterystyką ich wad i zalet. Omówione zostały również wymagania technologiczne jakie muszą zostać spełnione w celu wytwarzania zaawansowanych przyrządów pół przewodnikowych.

2

Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature

Zhukowski P., Kołtunowicz T., Węgierek P., Partyka J., Sidorenko J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 7

75-77

EN

The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped.

PL

W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok.

3

Urządzenia cieplno-chemiczne do wytwarzania nowoczesnych związków półprzewodnikowych

Orzyłowski M., Łobodziński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 8

74-76

PL

Opisano wybrane urządzenia opracowywane w Przemysłowym Instytucie Elektroniki na potrzeby przemysłu półprzewodnikowego: urządzenie do syntezy i polikrystalizacji fosforku indu metodą HGF oraz urządzenie do monokrystalizacji węglika krzemu metodą PVT. Procesy te wymagają wysokotemperaturowych pól temperatury o precyzyjnie kontrolowanym rozkładzie w reaktorach o określonej atmosferze gazowej i ciśnieniu. Do syntezy i krystalizacji konieczne jest też wytwarzanie gradientów temperatury, które przesuwają się wraz z frontami krystalizacji. Temperatura pracy reaktorów opisywanych urządzeń wynosi od kilkuset do ok. 2500°C, ciśnienie od próżni do 3 MPa, a ponadto często we wspomnianych procesach stosowane są niebezpieczne materiały, takie jak na przykład fosfor. Wśród najważniejszych podstaw teoretycznych rozwoju urządzeń cieplno-chemicznych są precyzyjne matematyczne modelowanie pól temperatury w reaktorach tych urządzeń i sterowanie tymi polami z zastosowaniem wielokanałowych systemów komputerowych.

EN

The paper describes selected systems worked out in Industrial Institute of Electronics for semiconductor industry purposes: system for indium phosphide synthesis and polycrystallization by HGF method and system for silicon carbide monocrystallization by PVT method. These processes require the high-temperature fields of precise controlled distribution in the reactors of determined gas atmosphere and pressure. For synthesis and crystallization the temperature gradients moving with the crystallization fronts are necessary. Work temperature in the reactors of described systems is in the range of few hundred to 2500°C and pressure from vacuum to 3 MPa. Very often the hazardous chemicals such as phosphorus are used. One of the most important theoretical basics of development of described systems are: precise mathematical modeling of the temperature fields in the reactors and control of these fields by mean of multi-channel computer systems.

4

Systemy monitorowania i eliminowania zagrożeń bezpieczeństwa w procesach wytwarzania związków półprzewodnikowych

Orzyłowski M., Rudolf Z., Witowski A., Machalica P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 4

15-18

PL

Proces syntezy i polikrystalizacji związków półprzewodnikowych przebiega w hermetycznych reaktorach kwarcowych w temperaturze do 1250°C oraz przy cisnieniu dochodzącym do 3 MPa bez możliwości bezpośredniego pomiaru tych wielkości wewnątrz reaktora. Nieprawidłowości przebiegu procesu mogą doprowadzić do eksplozji lub implozji reaktora i w konsekwencji zniszczenia pieca oraz zanieczyszczenia wnętrz autoklawu przez substancje, które są agresywne, palne i trujace, np. biały fosfor. Ze względu na niemożliwość sterowania bezpośredniego przebiegiem procesu konieczne stało się pośrednie wieloetapowe sterowanie rozkładem temperatury wielosekcyjnego grzejnika. Opisano konstrukcję urządzenia i sposób jego sterowania oraz sposoby wykrywania obecności niebezpiecznych substancji na zewnątrz reaktora.

EN

The process of synthesis and polycrystallization of semiconductor compounds is realized in hermetic quartz reactors in temperature up to 1250°C and pressure up to 3 MPa without possibility of direct measurement of these variables inside reactor. The irregularities of the process realization can cause explosion or implosion and in consequence destruction of the furnace and contamination of the autoclave by chemicals which are aggressive, flammable and poisonous e.g. white phosphorus. Because of impossibility of direct control of process realization the multi-step indirect control of temperature distribution of the multi-section heater is necessary. The construction of the installation and way of the control and methods of detection of hazardous chemicals outside of the reactor are presented.