Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 14

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  wzmacniacz mocy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
This article presents partial result of the PhD thesis on the topic of the Doherty power amplifiers. The design of high-efficiency 3way Doherty amplifier with the use of Wolfspeed CG2H40010 transistors is presented. A newly invented 3-way power splitter architecture is also shown. The proposed splitter and the properties of GaN HEMT technology enable the design of the Inverted 3-way Doherty amplifier in closed, compact form without additional, long phase lines. The amplifier operates in the frequency range from 3.4 to 3.8 GHz and achieves up to 46W of saturated output power with a drain efficiency of 75% at full drive and 53% at 10dB output power back-off.
PL
Przedstawiono częściowe wyniki pracy doktorskiej na temat mikrofalowych wzmacniaczy mocy typu Doherty. Zaprezentowano projekt wysokosprawnego trójdrożnego wzmacniacza typu Doherty z tranzystorami Wolfspeed CG2H40010. Ponadto przedstawiono unikalną konstrukcję trójdrożnego dzielnika mocy, która umożliwiła zaprojektowanie trójdrożnego wzmacniacza typu Doherty w konfiguracji odwróconej. Przedstawiony wzmacniacz charakteryzuje się zwartą konstrukcją, która nie wymaga dodatkowych linii fazowych, co umożliwia poszerzenie pasma pracy. Układ pracuje w paśmie telekomunikacyjnym 3,4 – 3,8 GHz i osiąga w nasyceniu 46 W mocy przy sprawności drenowej 75%. Dla sygnałów o mocy wyjściowej niższej o 10 dB względem nasycenia wzmacniacz uzyskuje sprawność 53%.
2
Content available remote Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
PL
Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.
EN
One of the Pol-HEMT project aims is to implement the GaN HEMT structures in microwave circuits commonly used in T/R modules for radiolocation systems. In this paper project and experimental results of 1W L-band power amplifier with GaN PolHEMT structure are presented.
3
Content available remote Udoskonalona metoda obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza klasy AB
PL
Przedstawiono udoskonaloną metodę obliczania mocy traconej w elementach aktywnych przeciwsobnego wzmacniacza liniowego klasy AB w funkcji jego wysterowania. Dla charakterystyki przejściowej elementu aktywnego zastosowano aproksymację kwadratową w obszarze zakrzywienia oraz aproksymację liniową w obszarze dużych prądów. Metoda obejmuje także zasady doboru prądu spoczynkowego elementów aktywnych przeciwsobnego wzmacniacza klasy AB zapewniające maksymalną liniowość. Otrzymane wyniki zweryfikowano podczas symulacji komputerowych i pomiarów wzmacniacza z tranzystorami IRF510 (20 W, 1 – 3 MHz) i wzmacniacza z podwójnym tranzystorem w. cz. SD703 (100 W, 3 – 30 MHz).
EN
An improved method of calculating the power dissipated in transistors in the Class-AB push-pull linear amplifier versus the amplifier drive level is presented. A mixed piece-wise square-linear approximation of the transistor transfer characteristic is applied (the square approximation in the “knee” region, and linear in the high-current region). The method describes also how to find the quiescent current of power transistors in the Class- AB push-pull amplifier to maximize its linearity. This method has been verified by PSPICE simulations and measurements of the amplifier with IRF510 transistors (20W, 1 - 3MHz) and the amplifier with the h.f. push-pull SD703 transistor (100W, 3 - 30MHz).
EN
Switch mode power amplifier is used in biomedical devices widely. The power amplifier supplies the required operating power to the implanted devices. Zero voltage switching (ZVS) operation of class-E power amplifier leads to convert DC voltage to AC with high efficiency and workings frequency. Frequency has a great function in powering most of the biomedical implanted devices. Frequency shift caused by inductors and capacitors used in the circuit can cause load variation or changing in mutual displacement or they may lead to instability and data loss of the implanted devices. So switching-mode frequency control is the key problem in the biomedical device powering system. This paper focused on the design of a frequency controlled power amplifier to improve the controller’s efficiency in terms of speed and better results. The objective of this work is to control the operating frequency. Feedback control method is used by using proportional integral derivative controller (PID), proportional integral (PI) and voltage controlled oscillator (VCO) to reduce the phase shift and settling time. The Bode plot and Nyquist stability criterion analyses show that the developed power amplifier frequency controller is stable and perform well to improve the controller efficiency.
PL
W artykule opisano wzmacniacz mocy używany w technice bio-implantów. Wzmacniacz klasy E z operacją ZVS przekształca stałe napięcie na napięcia AC. Kontrola częstotliwości tego napięcia ma ważne znaczenie ponieważ częstotliwość może się zmieniać przy obecności elementów L, C w układzie. W pracy opisano metode kontroli częstotliwości tego napięcia.
5
Content available remote Konstrukcje generatorów mocy opracowanych do zastosowań laboratoryjnych
PL
Generatory mocy małej częstotliwości są wykorzystywane przez studentów w trakcie zajęć laboratoryjnych. W artykule przedstawiono konfiguracje układowe generatorów mocy, opracowanych na potrzeby laboratorium miernictwa i podstaw elektrotechniki. Omówiono budowę i wybrane wyniki badań dwóch opracowanych przyrządów.
EN
The low-frequency power generators are used by students during laboratory classes. The article presents the configurations of power generators developed for the laboratories of metrology and fundamentals of electrical engineering. The structures of generators and some selected results of tests of the two elaborated instruments were shown.
PL
W chwili obecnej rozwój technologii wytwarzania materiałów półprzewodnikowych i ferrytowych powoduje powstanie nowych możliwości. Zastosowanie nowoczesnych rozwiązań technologicznych przyczynia się do rozwiązania szeregu problemów występujących w konstrukcji dotychczas eksploatowanych urządzeń radiokomunikacyjnych wytwarzających dużą moc, takich jak efektywne odprowadzanie ciepła, większa sprawność, mniejsze gabaryty i masa. W chwili obecnej trendem światowym jest zwiększanie sprawności urządzeń, a tym samym zwiększenie ich użyteczności. W artykule przedstawiona zostanie koncepcja zastosowania ultra szerokopasmowych tranzystorów nowej technologii o większych sprawnościach od dotychczas powszechnie stosowanych. Parametry te zostały potwierdzone eksperymentalnie podczas badań demonstratora wzmacniacza mocy opracowanego na potrzeby systemu rozpoznawczo – zakłócającego. W opracowanym demonstratorze wzmacniacza zastosowane zostały tranzystory posiadające sprawność 35-45%, a uzyskana sprawność całkowita wzmacniacza osiągnęła od 25% do prawie 39%. Uniwersalność opracowanego demonstratora wzmacniacza powoduje, że może on być z powodzeniem zastosowany nie tylko w systemach walki elektronicznych ale również we wszystkich systemach gdzie potrzebne jest wytworzenie dużej mocy w tym również w systemach łączności (KF, UKF, VHF, łączność troposferyczna).
EN
At present, the development of semiconductor manufacturing technology and ferrite materials causes new possibilities. The use of modern technology helps to solve a number of problems which occur in the currently operating radio equipment generating high power, such as effective heat dissipation, higher efficiency, smaller size and weight. This article shows the concept of the use of new technology ultra-broadband transistors with higher efficiencies than the currently widely used. These parameters were confirmed experimentally during the tests of a demonstrator of the power amplifier, which was developed for EW system In the developed demonstrator of amplifier were used transistors with 35-45% efficiency. The resulting total efficiency of the amplifier has reached from 25% to almost 39%. The versatility of this amplifier means that it can be successfully applied in electronic warfare systems and also in all systems where it is necessary to produce high power including the communication systems (HF, VHF, UHF, tropospheric communications).
PL
Przedstawiono symulacyjną metodę wyznaczania wpływu temperatury i rozrzutu technologicznego na eksploatację wybranego układu elektronicznego.
EN
The paper presents simulation method of determination an influence of temperature and technology dispersion on operation of selected electronic circuit.
PL
W artykule przedstawiono zagadnienia związane z procesem nauczania podstaw elektroniki analogowej i cyfrowej na przykładzie układu elektronicznego jakim jest scalony wzmacniacz mocy. Ukazano zalety i wady wspomagania informatycznego przy analizie tego układu w rzeczywistości wirtualnej oraz w pomiarach rzeczywistych.
EN
In the paper problems related to learning process of analog and digital electronic principles are presented on the example electronic device being integrated power amplifier. Advantages and disadvantages of TINA - computer aided tool are presented at the device analysis by virtual mean referred to real classical measurements.
PL
W artykule przedstawiono projekt tranzystorowego wzmacniacza dużej mocy opartego na strukturze push - pull, działającego w paśmie VHF. Przedstawiono praktyczną realizację wzmacniacza z wykorzystaniem elementu firmy Freescale Semiconductors oraz wyniki pomiarów układu modelowego. W celu zapewnienia czystości widmowej sygnału wyjściowego zastosowano filtry o dużej odporności na moc wejściową. Przedstawiony wzmacniacz ma zastosowanie w radiolokacji jako element anteny aktywnej.
EN
VHF band, push - pull power amplifier is presented. Practical realization, using Freescale Semiconductors LDMOS power transistor and preliminary parameters are presented. To provide needed spectral purity, high power filters are used. Presented amplifier can be used in radiolocation, as a part of active antenna.
PL
W tym artykule proponowany jest pomysł modyfikacji układu tradycyjnego, lampowego wzmacniacza mocy do zastosowań elektroakustycznych. Celem tej modyfikacji jest stabilizacja punktu pracy każdej z lamp mocy, i uwolnienie się w ten sposób od skutków starzenia się lamp. Celem tej modyfikacji jest również poprawa liniowości funkcji przetwarzania każdej z tych lamp, i w efekcie uzyskanie mniejszego poziomu zniekształceń nieliniowych. Najpierw sam pomysł jest ujawniony i wyjaśnione są teoretyczne podstawy jego działania. Następnie przedstawione jest przykładowe rozwiązanie, w którym tradycyjny układ lampowego, elektroakustycznego wzmacniacza mocy zostaje zmodyfikowany zgodnie z proponowanym pomysłem. Opisane są również istotniejsze wyniki pomiarów i eksperymentów, które w praktyczny sposób weryfikują ten pomysł.
EN
In this paper a modification of the circuit of traditional tube audio power amplifier is proposed. The aim of this modification is to ensure that the operating point of each of the power tubes is more stable over time, and thus, to get rid of the problem of tube aging. Another aim is to improve the linearity of the transfer function of each of the tubes, and thus, to achieve lower level of harmonic distortion. First, this idea is revealed and the theoretical backgrounds of it are explained. Then, an example solution is presented, where a traditional tube audio amplifier circuit is modified according to the proposed idea. Also, some experimental results are described, which are essential for practical verification of this idea.
11
Content available remote Energy characteristic of a processor allocator and a network-on-chip
EN
Energy consumption in a Chip MultiProcessor (CMP) is one of the most important costs. It is related to design aspects such as thermal and power constrains. Besides efficient on-chip processing elements, a well-designed Processor Allocator (PA) and a Network-on-Chip (NoC) are also important factors in the energy budget of novel CMPs. In this paper, the authors propose an energy model for NoCs with 2D-mesh and 2D-torus topologies. All important NoC architectures are described and discussed. Energy estimation is presented for PAs. The estimation is based on synthesis results for PAs targeting FPGA. The PAs are driven by allocation algorithms that are studied as well. The proposed energy model is employed in a simulation environment, where exhaustive experiments are performed. Simulation results show that a PA with an IFF allocation algorithm for mesh systems and a torus-based NoC with express-virtual-channel flow control are very energy efficient. Combination of these two solutions is a clear choice for modern CMPs.
12
Content available remote Digital Realization of a Click Modulator for an Audio Power Amplifie
EN
This paper describes a digital realization of a click modulator for a class-D digital audio power amplifier. The click modulator is an interesting alternative to a classical pulse width modulator. The modulator was realized using a floating point digital signal processor ADSP21065L and FPGA circuit Spartan 3 XC3100E. Some simulation and laboratory test results are presented in this paper.
PL
W artykule przedstawiono cyfrowy modulator typu click modulation dla wzmacniacza mocy audio klasy D. Modulator typu click modulation stanowi ciekawą alternatywę dla klasycznych modulatorów szerokości impulsów (PWM). Modulator został zrealizowany za pomocą zmiennoprzecinkowego procesora sygnałowego ADSP21065L i układu FPGA typu Spartan 3 XC3100E. W artykule przedstawiono wyniki badań symulacyjnych i laboratoryjnych.
PL
Podczas pracy impulsowej akceleratora, komory nadprzewodzące ulegają odkształceniom. Do ich kompensacji stosowane są piezoelektryczne elementy wykonawcze sterowane przez wzmacniacze mocy. Jest to część analogowa systemu. Do części cyfrowej zalicza się kontroler oparty o reprogramowalne układy cyfrowe. Wzmacniacze mocy wzmacniają sygnał korekcyjny do poziomu umożliwiającego wysterowanie elementów wykonawczych, zaś kontroler wylicza odpowiedź wnęk na ten sygnał. Wszystkie bloki obliczeniowe zostały zoptymalizowane pod względem zajętości zasobów układu reprogramowalnego. Artykuł przedstawia wyniki testów opisywanego systemu w środowisku akceleratora liniowego FLASH.
EN
The Superconducting (SC) cavities are deformed during the pulse operation of the linear accelerators. Power amplifiers together with piezoelectric actuators are used for the compensation purpose as an analog parts of the system. The digital part consists of dedicated control board - Simcon DSP based on FPGA device Virtex II Pro from Xilinx. The power amplifiers - Piezo Drivers are used to amplify the correction signal with the proper voltage levels allowing to drive the actuators. The cavities' response for compensation signal - detuning is calculated by digital controller. The computation blocks were optimized to meet available FPGA resources and latency of 10 ns. The detuning result will be applied for closed feedback operation of the controller. The paper presents the recent development of the system and performed tests in FLASH (Free Electron Laser in Hamburg) accelerator.
EN
Superconducting (SC) resonant cavities are the integral part of accelerator models in linear accelerators. The 9-cell 1,3GHz cavites can be operated with high operating gradients up to 40MV/m. They are susceptible to small changes of dimension caused by Lorenz forces and mechanical vibrations. The piezoelectric based fast tuners, driven by power amplifiers, are dedicated for compensation purpose. The paper presents recent development in this field.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.