Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Drgania pasożytnicze poniżej częstotliwości roboczej w rezonansowych wzmacniaczach mocy z obwodem wyjściowym typu π1a

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 4

28-31

PL

Typowym czwórnikiem stosowanym jako obwód wyjściowy w tranzystorowych rezonansowych wzmacniaczach mocy w. cz. jest obwód typu π1. Zapewnia on niski poziom harmonicznych w sygnale wyjściowym oraz możliwość dopasowania obciążenia o rezystancji mniejszej, równej albo większej od rezystancji wymaganej przez tranzystor. Obwód π1 jest często stosowany w zmodyfikowanej wersji z dodatkowym kondensatorem włączonym szeregowo z cewką w celu zredukowania jej reaktancji, nazywanym obwodem π1a. We wzmacniaczach z takim obwodem mogą powstawać drgania pasożytnicze na częstotliwościach poniżej częstotliwości roboczej. W artykule wykazano, że takie drgania są powodowane przez rezonans między indukcyjnością dławika w obwodzie zasilania a pojemnością wejściową obwodu π1a. Wykazano również, że drgania te mogą być usunięte, jeśli zamiast indukcyjnego dławika w. cz. zastosujemy dławik rezonansowy dostrojony do częstotliwości roboczej.

EN

A typical network used as the output reactive filter in high-frequency transistor tuned power amplifiers is the π1 resonant circuit. It ensures low harmonic distortions in the output signal and can match the load the resistance of which is lower, equal or higher than the optimum value required by the transistor. The π1 resonant circuit is often used in a modified version with the additional capacitor connected in series with the coil to reduce its reactance (so-called π1a circuit). In amplifiers with the π1a circuit parasitic oscillations are often generated at the frequencies below the operating frequency. In the paper there is shown that the parasitic oscillations are caused by the high-quality-factor resonance between the inductance of the DC supply RF choke and the input capacitance of the π1a circuit. It was also proven that these oscillations can be eliminated if the inductive RF choke is replaced by the resonant choke tuned to the operating frequency.

2

Aktywna antena radiolokacyjna na pasmo S. Cz. 1, System antenowy : koncepcja

Czwartacka A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 4

135-139

PL

W artykule przedstawiono koncepcję rozwiązania systemu antenowego z elektronicznym formowaniem wiązki nadawczej i wiązek odbiorczych przeznaczonego do pracy w zakresie częstotliwości pasma S. System antenowy kształtuje płetwową wiązkę nadawczą zapewniającą kąt pokrycia 40° w płaszczyźnie elewacji. System odbiorczy kształtuje wiązki odbiorcze sumacyjne i różnicowe w azymucie i w elewacji. Położenie wiązek odbiorczych elewacji jest zmieniane przez zmianę nastawień przesuwników fazy w układzie formowania wiązek. W strukturze aktywnej anteny pracuje 16 wierszy antenowych z dołączonymi do nich modułami nadawczo-odbiorczymi. W systemie nadawczym sygnał jest wzmacniany do poziomu 1,5 kW w impulsie, we wzmacniaczach tranzystorowych z tranzystorami pracującymi w klasie C, system może wypromieniować w przestrzeń moc około 25 kW w impulsie i 2,5 kW mocy średniej. Parametry aktywnej anteny są zgodne z założonymi do projektu parametrami. Opracowanie demonstratora aktywnej anteny otwiera drogę krajowym pracom nad nowoczesnym półprzewodnikowym urządzeniem radiolokacyjnym. Artykuł jest pierwszą częścią cyklu artykułów, które będą poświęcone tematyce projektu anteny aktywnej.

EN

A concept of an S-band active antenna system with electronically formed transmit and receive beams is presented. The antenna system forms the transmit beam of cosecant type covering 40° in elevation. The receive system forms pencil receive beams (both sum and difference patterns) in azimuth and elevation. The active antenna includes antenna rows with TR module connected to each. The transmit signal is amplified up to .5 kW (pulse) in TR modules C class transistor amplifiers, so in the whole kW of peak power (2.5 kW average) is radiated. Parameters of the active antenna are in accordance with project requirements. Development of the demonstrator of active antenna is a starting point for development of Polish modern solid-state radars. The current paper is the first from series of papers on active antennas which will be published shortly.

3

Moduł nadawczy dużej mocy impulsowej

Czwartacka A., Stachowski B., Szustak K., Lorens T., Firląg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

258-262

PL

W artykule przedstawiono rozwiązanie modułu nadawczego dużej mocy impulsowej przeznaczonego do pracy w systemie nadawczym radarów pracujących w zakresie częstotliwości pasma S. Moduł nadawczy wzmacnia sygnały impulsowe o mocy 250 mW z zakresu częstotliwości 3,1...3,5 GHz do poziomu 1,5 kW. Długość wzmacnianych impulsów może zmieniać się 2...100 µs, przy czym maksymalna średnia moc wyjściowa wynosi 150 W. Struktura mikrofalowa modułu bazuje na wzmacniaczach 100 W zbudowanych na tranzystorach bipolarnych pracujących w klasie C. Moc wyjściowa modułu jest uzyskiwana drogą sumowania mocy z szesnastu wzmacniaczy 100 W, co przy małych stratach własnych sumatora daje moc większą od 1500 W. Moduł nadawczy jest wyposażony w układy zasilania i układy diagnostyczne przeznaczone do autokontroli parametrów wzmacniacza oraz wytwarzające informacje przekazywane do systemu diagnostycznego nadajnika. Uzyskane parametry elektryczne i właściwości konstrukcyjne modułu są porównywalne z analogicznymi opracowaniami renomowanych firm światowych. Opracowanie modufu nadawczego otwiera drogę krajowym pracom nad nowoczesnymi półprzewodnikowymi urządzeniami radiolokacyjnymi.

EN

In the paper, high-pulse power transmit module designed for use in radars operating in S band has been described. The transmit module amplifies microwave pulse power signals within 3.1...3.5 GHz frequency band from 250 mW input level to 1.5 kW output level. Pulse width can be varied from 2 µs to 100 µs but maximum average power is limited to 150 W. Microwave structure of transmit module is based on 100 W C class bipolar transistor amplifiers. The output power is achieved by combining power from sixteen 100 W amplifiers. Transmit module contains power suppliers and diagnostic circuits for self control of high power amplifier parameters and also for communication with diagnostic of transmit system. Parameters of transmit modules such as output power, total dimensions and overall mass are similar to the high power amplifier parameters offered by leading world companies. Presented transmit module gives possibilities for development of S band solid state radars.in Poland.

4

Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MOSFET

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 11

51-53

PL

Przedstawiono metodę projektowania wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości klasy A, AB, B i C opartą na uproszczonym modelu tranzystora mocy MOSFET. Model ten składa się z charakterystyki statycznej tranzystora ID (UGS', UDS) i jego pojemności międzyelektrodowych, przy czym pojemności te traktowane są jako elementy wejściowego i wyjściowego obwodu rezonansowego wzmacniacza. Jeśli wzmacniacz nie jest przewzbudzony, wówczas tranzystor MOSFET może być opisany pojedynczą statyczną charakterystyką przejściową lD (UGS). Dla dwuodcinkowo-liniowej aproksymacji charakterystyki lD (UGS) wartość szczytową prądu drenu, rezystancję obciążenia i sprawność energetyczną wzmacniacza można wyrazić wzorami w funkcji mocy wyjściowej, napięcia zasilania, kąta przepływu prądu drenu i rezystancji tranzystora w stanie włączenia.

EN

A method for design of h. f. resonant Class A, AB, B, C power amplifiers based on the simplified model of MOSFET power transistors is presented. This model consists of the static characteristic lD (UGS', UDS) and inter-electrode capacitances which are included in the input and output resonant circuits of the amplifier. If the amplifier is not overdriven then the MOSFET transistor can be described by the single transfer static characteristic ID (UGS). For the two-piece linear approximation of the characteristics lD (UGS) the peak value of the drain current, the load resistance, and the efficiency of the amplifier can be expressed by formulas as functions of the output power, the supply voltage, the drain-current conduction angle, and on-resistance of the transistor.