Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Microstructure And Thermoelectric Properties Of TAGS-90 Compounds Fabricated By Mechanical Milling Process

Kim H.-S., Babu M., Hong S.-J.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2015

|

Vol. 60, iss. 2B

1231--1234

EN

TAGS-90 compound powder was directly prepared from the elements by high-energy ball milling (HEBM) and subsequently consolidated by a spark plasma sintering (SPS). Effect of milling time on the microstructure and thermoelectric properties of the samples were investigated. The particle size of fabricated powders were decreased with increasing milling time, finally fine particles with ~1μm size was obtained at 90 min. The SPS samples exhibited higher relative densities (>99%) with fine grain size. X-ray diffraction analysis (XRD) and energy dispersion analysis (EDS) results revealed that all the samples were single phase of GeTe with exact composition. The electrical conductivity of samples were decreased with milling time, whereas Seebeck coefficient increased over the temperature range of RT~450°C. The highest power factor was 1.12×10-3 W/mK2 obtained for the sample with 90 min milling at 450°C.

2

New method of determining electric and thermal characteristics of Peltier device

Lozbin V., Bylicki P., Cuba V.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 3b

303--305

EN

In this article authors propose a new method for experimental research of electric and thermal characteristics of Peltier device. Presented method differs from commonly as summary Seebeck coefficient, internal resistance, thermal conductivity coefficient of thermoelectric material and summarized thermal resistance of copper connections, join surfaces with structure of a heating system are simultaneously determined without interfere into tested element structures. The main assumption of the method is the comparison of the heat fluxes flowing through the tested thermoelectric element in open and short circuits.

PL

W artykule proponowana jest nowa metoda eksperymentalnego wyznaczania elektrycznych i termicznych charakterystyk ogniw Peltiera. Prezentowana metoda w odróżnieniu od obecnie stosowanych umożliwia uzyskanie współczynnika Seebecka, wewnętrznej rezystancji elektrycznej, przewodności cieplnej materiału termoelektrycznego, przewodności cieplnej obudowy ogniwa wraz z powierzchniami styku w jednym eksperymencie bez konieczności ingerencji do wnętrza badanego elementu. Metoda w głównej mierze polega na porównaniu strumieni cieplnych przepływających przez badane ogniwo Peltiera znajdujące się w stanie zwarcia i rozwarcia obwodu elektrycznego.

3

Otrzymywanie wybranych materiałów termoelektrycznych metodą krystalizacji kierunkowej i ich charakterystyka

Schmidt M, Zybała R., Wojciechowski K.T.

Materiały Ceramiczne

|

2010

|

T. 62, nr 1

56-59

PL

Celem pracy było otrzymanie monokryształów związków AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 oraz BiSbTe3 metodą Bridgmana. Materiały otrzymywano dwoma wariantami metody różniącymi się wytwarzanym gradientem temperatur w obszarze frontu krystalizacji. Obserwacje mikrostrukturalne oraz składu chemicznego przeprowadzono skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM) z analizatorem dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) oraz za pomocą emisyjnej spektroskopii atomowej (AES). Badania jednorodności właściwości termoelektrycznych przeprowadzono za pomocą mikrosondy Seebecka w temperaturze pokojowej. Stwierdzono, że współczynnik Seebecka dla materiału AgSbSe2 zmienia się monotonicznie w zakresie od 250 do 1000 μVK-1. Dla związku Ag0,9Sb1,1Se2 współczynnik Seebecka wynosi od -500 do -750 μVK-1. Monokryształy BiSbTe3 cechują się małymi zmianami wartości współczynnika Seebecka w przedziale od 200 do 280 μVK-1.

EN

The aim of this work was to prepare single crystals of AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 and BiSbTe3 by the Bridgman method. Materials were prepared by means of two variants of this method, differing in temperature gradients in the area of the crystallization front. Microstructural and chemical analysis were done using Scanning Electron Microscope (SEM) with Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) and Atomic Emission Spectroscopy (AES). Analysis of homogeneity of thermoelectric properties was carried out using the Seebeck microprobe at room temperature. It was found that the Seebeck coefficient for AgSbSe2 changed monotonically in the range from 250 to 1000 μVK-1. For Ag0,9Sb1,1Se2, the Seebeck coefficient is in range from -500 to -750 μVK-1. Single crystals of BiSbTe3 exhibit small changes of the Seebeck coefficient in the range from 200 to 280 μVK-1.

4

Otrzymywanie i właściwości CoSb3 domieszkowanego Ag

Wojciechowski K., Nieroda P., Toboła J., Zybała R.

Materiały Ceramiczne

|

2010

|

T. 62, nr 1

60-64

PL

Przedmiotem pracy były badania wpływu domieszki Ag na wartość współczynnika efektywności termoelektrycznej, ZT, trójantymonku kobaltu CoSb3. W tym celu przygotowano serię próbek o składach nominalnych AgxCo8Sb24, gdzie x = 0-0,5. Badania strukturalne oraz składu fazowego wykonano za pomocą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Zbadano wpływ domieszki na przewodnictwo elektryczne, współczynnik Seebecka oraz przewodnictwo cieplne otrzymanych materiałów w zakresie temperatur od 300 do 560K. Na podstawie uzyskanych wyników wyznaczono zależności współczynnika efektywności termoelektrycznej, ZT, od temperatury.

EN

The aim of this work was to examine the influence of Ag additive on thermoelectric figure of merit, ZT, of cobalt triantimonide CoSb3. A series of samples with nominal composition of AgxCo8Sb24, (x = 0-0,5) was prepared. Structural properties and phase composition was analyzed by XRD diffraction method. The influence of Ag content on electrical conductivity, Seebeck coefficient, thermal conductivity and crystal structure parameter was investigated. The temperature dependence of thermoelectric figure of merit, ZT, was determined using measured thermal and electrical parameters.

5

The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films

Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Berlicki T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 12

49-50

EN

Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.

PL

Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).