PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 63 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 37 Przegląd Elektrotechniczny
  3. 13 Inżynieria Materiałowa
  4. 13 Materials Engineering
  5. 7 Ceramic Materials
Więcej...
Autorzy help
  1. 19 Szmidt J.
  2. 18 Sochacki M.
  3. 15 Zarębski J.
  4. 13 Barlik R.
  5. 13 Rąbkowski J.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2023
  2. 1 2022
  3. 4 2021
  4. 8 2020
  5. 7 2019
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 228

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 12 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  węglik krzemu
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 12 next fast forward last
1
Content available remote Effect of production process parameters on densification, microstructure and selected properties of spark plasma sintered Al4Cu-xSiC composites
Madej Marcin, Leszczyńska-Madej Beata, Wąsik Anna, Kopeć-Surzyn Anna, Korban Patryk, Garbiec Dariusz
Composites Theory and Practice
|
2023
|
R. 23, nr 3
173--180
EN
The paper presents the results of a study on the microstructure and hardness measurements of Al4Cu-xSiC (x = 5, 10, 20 and 30 wt.%) composites produced by spark plasma sintering (SPS). The sintering process was carried out in an HP D 25/3 plasma sintering furnace in a vacuum atmosphere, with sintering temperatures of 580 and 600°C and a densification pressure of 50 MPa. The heating rate was 100°C/min and the isothermal holding time at the sintering temperature was 2.5 min. As a reference material, the AlCu matrix was sintered under the same conditions. As a result, composites with a near-full density of 96.5-99.5% were obtained. Microstructure studies were performed employing the techniques of light microscopy, scanning, and transmission electron microscopy, along with analysis of the chemical composition in microareas. The test results did not reveal remarkable differences in the microstructure of the investigated composites sintered at 580 and 600°C. The sinters have a fine-grained microstructure with a strengthening phase located at the grain boundaries; locally, pores are visible. Increasing the SiC content in the composites promotes the formation of agglomerates of these particles. It was proven that a higher sintering temperature has a positive effect on the hardness of the studied composites.
2
Content available Rola odlewnictwa precyzyjnego w inżynierii materiałowej
Wiśniewski Paweł
Szkło i Ceramika
|
2022
|
R. 73, nr 3
30--37
PL
W artykule przedstawiono zagadnienia związane z inżynierią materiałową, ceramiką i odlewnictwem precyzyjnym. Opisano historię i przebieg procesu odlewania detali i części silników lotniczych metodą traconego wosku. Manuskrypt zawiera również generalne informacje o spoiwach, proszkach, masach formierskich, formach odlewniczych i nadstopach niklu. Zaprezentowano podstawowe dane o spoiwach zawierających nanocząstki ceramiczne, modelach woskowych, na które nanoszone są masy lejne oraz o SiC - jednym z perspektywicznych proszków formierskich.
EN
The paper presents the main issues related to materials engineering and technology, ceramics and precision casting process. The history and methodology of the lost-wax casting process of elements and aircraft engine parts is described. The manuscript also contains general information on binders, powders, molding compounds, foundry molds and nickel superalloys. Basic data on binders containing ceramic nanoparticles, wax models and SiC - one of the prospective molding powders are presented.
3
Content available remote Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma
Stonio Bartłomiej, Kwietniewski Norbert, Firek Piotr, Sochacki Mariusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 2
57--59
EN
The paper presents the results of plasma assisted reactive ion etching (RIE) of silicon carbide (4H-SiC). with a mixture of Ar and BCl3. The influence of input parameters such as process time, pressure, power and a ratio of working gases (Ar and BCl3) on the etch rate was investigated. The windows in SiO2 layer fabricated by PECVD process were patterned by photolithography. A stylus profilometry was a basic method of depth measurements after the etching processes.
PL
W pracy zaprezentowano wyniki reaktywnego trawienia jonowego (Reactive Ion Etching – RIE) węglika krzemu (4H-SiC) wspomaganego plazmą na bazie gazów roboczych Ar+BCl3. Przeprowadzono analizę wpływu parametrów procesu trawienia: czasu procesu, ciśnienia w komorze roboczej, mocy i stosunku gazów roboczych (Ar i BCl3) na głębokość i szybkość trawienia węglika krzemu. Jako maskę w procesach użyto osadzonego plazmowo SiO2, w którym zostały zdefiniowane okna przy pomocy fotolitografii. Pomiary głębokości po procesach trawienia zrealizowane zostały metodą profilometrii.
4
Content available Towards a viable method of reusing silicon carbide. Physicochemical analyses in the studies on the industrial application of the material
Niemczyk-Wojdyła Anna, Fornalczyk Agnieszka, Willner Joanna, Zawisz Rafał
Environment Protection Engineering
|
2021
|
Vol. 47, nr 4
43--52
EN
The paper presents an investigation on the feasibility of recovery of the highly valuable silicon carbide (SiC) from the slurry waste generated from silicon wafer production in the photovoltaic and semiconductor industry. Compared to the other techniques of recycling, a facile and low-cost method of waste treatment via heat drying followed by low-energy mixing in a shaker mixer was proposed. As the result of the treatment, the slurry waste was converted into a powdered form with dominant content of SiC. Separated SiC material was characterized by scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, X-ray powder diffraction, and sieve analysis. In addition, analyses of the bulk density, moisture content and melting test were carried out. As was confirmed by the physicochemical analyses, the dominant sieve fraction was in the range of 0.1-0.06 mm, the purity level was a minimum 99% mass of SiC, the moisture content - 0.3%, the bulk density - 1.3 g/cm3. The physicochemical characteristics of the material were crucial for understanding the material performance, assessment of the material quality and determining the perspective directions of the industrial application. The studies revealed that the material exhibited a high application potential as abrasive, especially in abrasive grinding and waterjet cutting.
5
Content available Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Bąba Sebastian
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2021
|
Vol. 69, nr 3
art. no. e137386
EN
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
6
Content available An active power filter based on a hybrid converter topology – Part 1
Gwóźdź Michał, Ciepliński Łukasz
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2021
|
Vol. 69, nr 1
art. no. e136218
EN
This paper presents a concept of a shunt active power filter, which is able to provide more precise mapping of its input current drawn from a power line in a reference signal, as compared to a typical filter solution. It can be achieved by means of an interconnection of two separate power electronics converters making, as a whole, a controlled current source, which mainly determines the quality of the shunt active filter operation. One of these power devices, the “auxiliary converter”, corrects the total output current, being a sum of output currents of both converters, toward the reference signal. The rated output power of the auxiliary converter is much lower than the output power of the main one, while its frequency response is extended. Thanks to both these properties and the operation of the auxiliary converter in a continuous mode, pulse modulation components in the filter input current are minimized. Benefits of the filter are paid for by a relatively small increase in the complexity and cost of the system. The proposed solution can be especially attractive for devices with higher output power, where, due to dynamic power loss in power switches, a pulse modulation carrier frequency must be lowered, leading to the limitation of the “frequency response” of the converter. The concept of such a system was called the “hybrid converter topology”. In the first part of the paper, the rules of operation of the active filter based on this topology are presented. Also, the results of comparative studies of filter simulation models based on both typical, i.e. single converter, and hybrid converter topologies, are discussed.
7
Content available remote Przekształtniki tranzystorowe działające w trybie prądu trójkątnego
Krzemiński Zbigniew
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
36--41
PL
Przekształtniki oparte na węgliku krzemu mogą być analizowane jako źródła napięcia lub prądu niezależnie od topologii przy odpowiednich parametrach filtru wyjściowego. Szczególnie interesujące są falowniki napięcia działające w trybie prądu trójkątnego. W referacie przedstawiono sterowanie trójfazowym falownikiem napięcia posiadającym właściwości źródła prądu. Pokazano, jak dobrać parametry filtru wyjściowego falownika. Oceniono sprawność systemów z falownikami działającymi w trybie prądu trójkątnego.
EN
Converters based on silicon carbide can be analysed as voltage or current sources, regardless of topology with appropriate parameters of the output filter. Voltage inverters operating in triangular mode are particularly interesting. The paper presents control of a three-phase voltage inverter having the properties of a current source. It was shown how to choose the parameters of the inverter output filter. The efficiency of systems with inverters operating in triangular current mode was assessed.
8
Content available remote Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Bargieł Kamil
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
131--133
PL
W pracy omówiono problem modelowania wpływu wybranych czynników na właściwości tranzystora polowego wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono badanie przydatności wbudowanego modelu tranzystora JFET w programie SPICE do analizy właściwości tego przyrządu półprzewodnikowego. Przedstawiono obliczenia zmodyfikowanym modelem tranzystora JFET z węglika krzemu, pokazujące poprawę dokładności modelowania. Ocenę dokładności zmodyfikowanego modelu przeprowadzono przez porównanie zmierzonych i obliczonych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
EN
The paper discusses the problem of modelling the influence of selected factors on the properties of a field effect transistor made of silicon carbide. A study of the suitability of the built-in model of the JFET transistor in SPICE to analyze the properties of the semiconductor device. Calculations with a modified model silicon carbide JFET are presented. Showing an improvement in modelling accuracy. The accuracy of the modified model was performed by comparing the measured and calculated capacitive-voltage characteristics.
9
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Szelągowska Joanna, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 2
178--181
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
10
Content available remote Preparatyka próbek materiałów ogniotrwałych zawierających SiC do ilościowej analizy chemicznej metodą XRF
Gerle Anna, Stec Katarzyna, Burdyl Mirosław
Materiały Ceramiczne
|
2020
|
T. 72, nr 1
s. 56--66
PL
W pracy zaproponowano metodę przygotowywania topionych pereł do analizy chemicznej metodą XRF dla materiałów ogniotrwałych zawierających węglik krzemu. Opracowana metoda utleniania SiC zawartego w próbce za pomocą mieszaniny węglanu sodu i boraksu pozwala na uzyskanie stopu bez zniszczenia platynowych tygli. Z tak otrzymanego stopu przygotowuje się perły litowo-boranowe odpowiednie do analizy chemicznej metodą XRF. Poprawność uzyskiwanych wyników potwierdzono, wykonując analizy certyfikowanych materiałów odniesienia zawierających SiC.
EN
This paper proposes a method for the preparation of fused beads for chemical analysis using the XRF method for refractory materials containing silicon carbide. The developed method of oxidizing SiC contained in the sample with a mixture of sodium carbonate and borax allows to obtain an alloy without destroying the platinum crucibles. From the alloy thus obtained lithium-borate beads suitable for chemical analysis by XRF are prepared. The correctness of the obtained results was confirmed by the analysis of certified reference materials containing SiC.
11
Content available remote Płaski filtr ceramiczny – nowe rozwiązanie
Lipowska Barbara, Mróz Andrzej, Psiuk Bronisław, Śliwa Andrzej, Czechowska Kinga
Materiały Ceramiczne
|
2020
|
T. 72, nr 2
102--110
PL
Przeprowadzono badania nad opracowaniem sposobu otrzymywania płaskiego filtra ceramicznego w postaci wielowarstwowej, dwustronnej membrany ceramicznej, charakteryzującego się tym, że jego wewnętrzną warstwę drenażową stanowi porowata, otwarta struktura, umożliwiająca uzyskanie wyższej wydajności filtracji z jednostki powierzchni filtracyjnej w porównaniu z rozwiązaniem obecnym na rynku. Na podstawie prób, wykonanych z wykorzystaniem znanych metod otrzymywania porowatych tworzyw z SiC, uzyskano prototypowy dysk filtracyjny. Przeprowadzone badania jego własności filtracyjnych potwierdziły, że w porównaniu z rozwiązaniem obecnym na rynku, umożliwia on uzyskanie wyższej wydajności filtracji z jednostki powierzchni oraz charakteryzuje się korzystniejszą zdolnością do regeneracji.
EN
Research has been carried out on developing a method for obtaining a flat ceramic filter in the form of a multilayer, double-sided ceramic membrane with an internal drainage layer with a porous, open structure. This structure allows higher filtration efficiency per filter surface unit compared to a solution available on the market. Based on the conducted trials, using the commonly applied methods of obtaining porous products from silicon carbide, a proto-type filtration disc was developed. Investigations into its filtration properties confirmed that compared to the solution currently available on the market, it enables obtaining a much higher filtration efficiency and is characterized by a better ability to regenerate.
12
Content available remote Investigation and post-mortem analysis of silicon carbide refractory materials used in municipal waste incineration grate furnaces
Pilate Pascal, Abdelouhab Sandra
Materiały Ceramiczne
|
2020
|
T. 72, nr 1
16--32
EN
Four municipal waste incineration plants were visited in Belgium. Facilities mainly consist of grate furnaces. During stopping for maintenance, in situ observations were mainly realized in two plants, refractory and slag samples were collected. These samples were observed and analysed in laboratory: ICP chemical analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, EDS analysis, thermo-optical analysis. Three mechanisms of degradation were identified. Their appearance mainly depends on the location in the furnace. On site observation and laboratory investigations allow to understand and to model the degradation mechanisms of materials versus composition, temperature, and their locations in the furnaces.
PL
Odwiedzono cztery belgijskie spalarnie odpadów komunalnych. Obiekty składają się głównie z pieców rusztowych. Podczas postoju z powodu konserwacji w dwóch zakładach przeprowadzono głównie obserwacje in situ i pobrano próbki materiałów ogniotrwałych i żużla. Próbki te obserwowano i analizowano w laboratorium: analiza chemiczna ICP, dyfrakcja rentgenowska, skaningowa mikroskopia elektronowa, analiza EDS, analiza termooptyczna. Zidentyfikowano trzy mechanizmy degradacji. Ich występowanie zależy głównie od lokalizacji w piecu. Obserwacje na miejscu i badania laboratoryjne pozwalają zrozumieć i modelować mechanizmy degradacji materiałów w zależności od składu, temperatury i ich lokalizacji w piecach.
13
Content available remote SiC-based composites made with SHS derived powders
Wojteczko Kamil, Wojteczko Agnieszka, Strzelecka Marta, Jach Katarzyna, Rosiński Marcin, Liu Yongsheng, Znahg Chengyu, Bućko Mirosław M., Pędzich Zbigniew
Composites Theory and Practice
|
2020
|
R. 20, nr 1
17--22
EN
The applications of silicon carbide-based composites at extremely high temperatures and under high partial pressure of water vapor require some modifications of the silicon carbide structure and microstructure in order to increase the reliability of the composite component. One of the methods of such modification could be to introduce phases containing yttria or chromia compounds into the composite microstructure. The presented paper reports the results of investigations on the SHS of silicon carbide powders enriched with yttrium or chromium precursors. It was experimentally proven that it is possible by the means of the SHS technique to obtain powders containing only silicon carbide and dispersions of yttrium silicate or yttrium silicide. Such powders were consequently compacted by hot-pressing or the U-FAST technique. The level of densification and the phase compositions of the materials were characterized. It was found that the sintering conditions determine the phase compositions of the sintered samples. Consolidation using the hot-pressing technique leads to the decomposition of silicon carbide and reduction of the remaining starting phases. As an effect, free graphite and carbide phases (YC2 or Cr3C2) appear in the sintered samples. Applying the U-FAST technique and short sintering times lasting a few minutes allows some yttium-silicon phases from the SiC-Y system (oxide, carbide, silicide) to be preserved in the sintered material. In the SiC-Cr system after U-FAST consolidation the CrSi2 silicide phase was preserved, which is not desirable in the final material because of its relatively low melting point of 1470°C.
PL
Zastosowania materiałów kompozytowych na bazie węglika krzemu w warunkach ekstremalnie wysokich temperatur i pod wysokim ciśnieniem parcjalnym pary wodnej wymagają pewnej modyfikacji struktury oraz mikrostruktury węglika krzemu, w celu zwiększania niezawodności kompozytowego komponentu. Jednym ze sposobów takiej modyfikacji może być wprowadzenie do mikrostruktury kompozytowej faz zawierających itr lub chrom. Niniejsza praca prezentuje wyniki badań, otrzymanych syntezą SHS, proszków kompozytowych na osnowie węglika krzemu wzbogaconej prekursorami itru i chromu. Dowiedziono eksperymentalnie, że jest możliwe uzyskanie metodą SHS proszków zawierających tylko węglik krzemu i wtrącenia krzemianu itru lub krzemku itru. Wytworzone proszki zostały poddane zagęszczaniu za pomocą dwóch różnych metod, tj. prasowania na gorąco (HP) oraz techniki U-FAST. Scharakteryzowano poziom zagęszczenia otrzymanych spieków kompozytowych oraz ich skład fazowy. Stwierdzono, że warunki spiekania determinują skład fazowy spieków. Zagęszczanie przez hot-pressing prowadzi do rozkładu węglika krzemu i do redukcji pozostałych faz wyjściowych, w wyniku czego w spiekach pojawia się wolny grafit oraz fazy węglikowe (YC2 lub Cr3C2). Zastosowanie techniki U-FAST i krótkich, kilkuminutowych czasów spiekania pozwala na zachowanie w spiekach z układu SiC-Y faz itrowo-krzemowych (tlenku, węglika i krzemku). W spiekach z układu SiC-Cr zachowana zostaje faza krzemkowa CrSi2, która nie jest pożądana w finalnym materiale ze względu na niską temperaturę topnienia 1470°C.
14
Content available The effect of the modification by ultrafine silicon carbide powder on the structure and properties of the Al-Si alloy
Kovbasiuk T. M., Selivorstov V. Yu., Dotsenko Yu. V., Duriagina Z. A., Kulyk V. V., Kasai O. M., Voitovych V. V.
Archives of Materials Science and Engineering
|
2020
|
Vol. 101, nr 2
57--62
EN
Purpose: Determine the possibility of modifying aluminium alloys of the Al-Si system with an ultrafine SiC modifier with a particie size of 3-5 pm. Design/methodology/approach: Processing of the Al-Si alloy was carried out by introducing an ultrafine modifier in the amount of 0.1, 0.2, or 0.3 wt.%. Silicon carbide (SiC) with a particle size in the range of 3-5 pm was used as a modifier. To study the microstructure of the formed surface layers, a metallographic analysis was performed according to the standard method on a microscope MIKPOTEX® MMT-14C using TopView software. Microhardness studies of the samples were carried out on a Vickers microhardness tester NOVOTEST TC-MKV1. The microstructure of castings of the AlSi12 grade was studied at magnification from 100 to 400 times on the horizontal and vertical surfaces of the samples after etching with a 2% NaOH aqueous solution. Findings: Aluminium cast alloy of Al-Si system has been synthesized with the addition of 0.1, 0.2, and 0.3 wt.% ultrafine SiC modifier. It was found that the modification of the AlSi12 alloy by SiC particles of 3-5 pm in size led to an improvement of its microstructure due to the reduction of the volume fraction of micropores and primary Si crystals. It was shown that the AlSi12 aluminium alloy due to the modification by 0.2 wt.% SiC has the best micromechanical properties and macrostructure density. Research limitations/implications: The obtained research results are relevant for cast specimens of the indicated sizes and shapes. The studies did not take into account the influence of the scale factor of the castings. Practical implications: The developed modification technology was recommended for use in the conditions of the foundry "Dnipropetrovsk Aggregate Plant" (Dnipro, Ukraine). Originality/value: The technology of AlSi12 alloy modification of ultrafine SIC modifier with a particle size of 3-5 pm was used for the first time.
15
Content available remote Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej
Stonio Bartłomiej, Kwietniewski Norbert, Firek Piotr, Słowikowski Mateusz, Pavłov Krystian, Sochacki Mariusz, Szmidt Jan
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
158--161
PL
W pracy zaprezentowano analizę wytrzymałości trzech rezystów na oddziaływanie plazmy chlorowej. Przeprowadzono serie procesów trawienia SiC, w których maskę zrealizowano przy użyciu materiałów PMMA 950, ZEP 520 oraz HSQ. W ramach opracowanych eksperymentów zbadano różne dawki naświetlania rezystów. Na potrzeby analizy wykonane zostały badania przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej. Ponadto wykorzystano profilometrię w celu określenia parametrów wyjściowych trawienia – szybkości trawienia rezystu i węglika krzemu. Pomiary zrealizowano przed i po usunięciu maski z rezystu. Wyznaczono zakresy głębokości trawienia przy założonej grubości użytego materiału maskującego.
EN
The paper presents an analysis of the durability of three resists on the effect of chlorine plasma. A series of SiC etching processes were carried out, where using PMMA 950, ZEP 520 and HSQ materials the mask was made. As part of the experiments developed, various doses of irradiation were tested. For etching characterization scanning electron microscopy were performed. In addition, to determine the parameters like the etching speed of the resist and silicon carbide, profilometry was used. Measurements before and after removing the mask were realized. Possible etching depth ranges were determined at the assumed thickness of the masking material used.
16
Content available remote Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
Martychowiec Agnieszka, Kwietniewski Norbert, Sochacki Mariusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
154--157
PL
Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu.
EN
Fabrication of an efficient, reliable and durable semiconductor device requires not only the development of specific technological processes used during its production, but also a high quality substrate. The quality of the substrate can be determined by the level of contamination of their surfaces and the presence of defects. They can interfere with proper operation or shorten the life of the instruments. This article reviews the current state of knowledge on the methods of preparation and cleaning of silicon carbide surfaces.
17
Content available remote Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Bargieł Kamil, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 1
231--234
PL
W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
EN
In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.
18
Content available remote Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME
Ciuk Tymoteusz, Kaszub Wawrzyniec, Kościewicz Kinga, Czołak Dariusz, Dobrowolski Artur, Jagiełło Jakub, Chamryga Adrianna, Budzich Rafał, Stańczyk Beata, Przyborowska Krystyna, Harmasz Anna, Góra Krzysztof, Kozłowski Andrzej, Michałowski Paweł, Ciepielewski Paweł, Jóźwik Iwona, Teklińska Dominika, Tymicki Emil, Kozłowski Roman, Kozubal Michał, Kamiński Paweł
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
154--156
PL
Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.
EN
Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.
19
Content available remote Evaluation of SiC and GaN FETs in zero-voltage switching interleaved boost converters
Zimoch Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
186--192
EN
In recent years silicon carbide and gallium nitride transistors have become a popular choice for power converters, such as LLC resonant converters, power factor correction circuits, etc. This paper presents a direct comparison of silicon, silicon carbide and gallium nitride field effect transistors (FETs) in a 900 W, two-phase, zero-voltage switching boost converter with a switching frequency range of (300 – 500) kHz. Through analysis, calculations and experimental examination, it is shown, that using gallium nitride and silicon carbide transistors results in a significant increase in converter efficiency, as well as other benefits, such as lower power consumed by the driving circuits and lower working temperature.
PL
W ostatnich latach wzrosła popularność tranzystorów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN) w zastosowaniach takich, jak przekształtniki rezonansowe LLC, układy PFC, itp. Niniejszy artykuł prezentuje bezpośrednie porównanie tranzystorów krzemowych, z węglika krzemu oraz z azotku galu w dwufazowym przekształtniku typu boost ZVS o częstotliwości przełączania w zakresie (300 – 500) kHz i mocy 900 W. Poprzez analizę, obliczenia i weryfikację eksperymentalną wykazano, że zastosowanie tranzystorów SiC i GaN skutkuje znaczącym wzrostem sprawności przekształtnika, oraz innymi korzyściami, takimi, jak niższa moc pobierana przez obwody sterowników bramkowych oraz niższa temperatury pracy.
20
Impact of vibro-compaction on microstructure and properties of aluminium matrix composite with SiC particles
Godzierz Marcin, Olszówka-Myalska Anita, Dudzińska Karolina, Urbiczek Mateusz
Inżynieria Materiałowa
|
2019
|
Vol. 40, nr 6
140--145
EN
In the paper, the effect of vibro-compaction in processing of sintered SiCp – aluminium matrix composite was presented. The composite with 15% vol. of SiCp, obtained with three stages: vibro-compaction with use of different amplitude (0.75 mm, 1.125 mm and 1.5 mm), cold pressing and pressure less sintering. The obtained composites were characterized by porosity measurements, microhardness, quantitative metallography analysis and dry sliding tests. It was proved that the application of chosen compaction method, for powder mixture consisting of powders with different density (Al and SiC), allows to obtain graded structure composite. An increase of SiC particles volume fraction as well as microhardness increase was observed towards the bottom of the sample. The most beneficial effect, in SiCp distribution and microhardness values, was noted for the sample were the amplitude of vibro-compaction was 1.5 mm. Moreover, the tribological examinations showed differences in friction coefficients and mass losses for opposite surfaces of composite samples, due to different SiCp volume fraction across the sample. The vibro-compacted material revealed lower porosity, higher mean value of friction coefficient and lower mass loss comparing to the reference composite.
PL
Głównym obszarem zastosowania kompozytów na osnowie aluminium zbrojonych cząstkami ceramicznymi są skojarzenia ślizgowe i cierne, takie jak grupa tłokowo-cylindrowa maszyn tłokowych i łożyska ślizgowe, a w przemyśle samochodowym klocki hamulcowe, sprzęgła, przekładnie pasowe czy bloki silnika. W wielu elementach nie są wymagane takie same właściwości tribologiczne materiału na całym przekroju lub nie jest technologicznie możliwe uzyskanie ekstremalnie wysokich parametrów użytkowych związanych z dużą zawartością cząstek w całej objętości. W takich przypadkach rozwiązaniem mogą być materiały charakteryzujące się gradientowym rozmieszczeniem cząstek ceramicznych i istnieje wiele koncepcji technologicznych pozwalających uzyskać ten typ mikrostruktury. W pracy przedstawiono możliwość uzyskania metodą metalurgii proszków struktury gradientowej w kompozycie Al–SiCp, dla udziału zbrojenia w mieszaninie wyjściowej 15% obj. Założono, że gradientowe zróżnicowane rozmieszczenie zbrojenia w osnowie powstanie dzięki różnicy gęstości komponentów (Al 2,7 g/cm3, SiC 3,21 g/cm3), podczas zgęszczania wibracyjnego, dzięki bardziej intensywnemu w porównaniu z proszkiem aluminium przemieszczaniu się cząstek SiC w dół formy.
first rewind previous Strona / 12 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.