Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

Zarębski J., Patrzyk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 1

43--46

PL

Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.

EN

The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.

2

Własności wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach

Michalak S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 6

21-23

PL

W artykule opisano wyniki badań dotyczących podstawowych właściwości popularnych krzemowych tranzystorów biopolarnych w zakresie temperatur 300..77K. Przedstawiono wybrane parametry tranzystora takie jak współczynnik wzmocnienia prądowego, napięcie baza-emiter oraz charakterystyki kolektorowe w temperaturze ciekłego azotu. Opisano wpływ zmian tych parametrów na dobór punktu pracy wzmacniacza tranzystorowego.

EN

In this paper properties of popular bipolar Si transistors in low temperature (300..77K) was described. Especially basic properties, such as base-emitter voltage. Current gain and collector characteristic in liquid nitrogen was shown.

3

The current-voltage characteristics of semiconductor diodes as they are made highly defected

Dehimi L., Sengouga N., Jones B. K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 12

18-21

EN

The standard textbook treatment of the conduction in a semiconductor diode as a diffusion current is only correct for diodes and the junctions of bipolar transistors if they have a very high quality. The presence of shallow or deep donors or acceptors affects the size of the depletion width and the size of the diffusion current but the qualitative form of the current remains. However, mid gap generation-recombination (g-r) levels in the depletion region give rise to a g-r current which is apparent at low voltages. At high currents there is also a decrease in the expected current because of the voltage dropped across the resistance of the semiconductor material between the terminals and the diode itself. Of particular interest here, the current in a diode with a very high concentration of g-r centres is very different. It is shown that this is Ohmic with a resistance depending on the dimensions and the intrinsic semiconductor properties and not on the properties of the junction itself. This analysis with Ohmic characteristic and mid gap Fermi level pinning may not have been appreciated in bipolar or Schottky diodes and Ohmic contacts made with high resistance, irradiated and semi-insulating materials.

PL

Typowy opis mechanizmu przewodzenia diod półprzewodnikowych polegający na przepływie prądu dyfuzyjnego jest poprawny jedynie dla diod i złączy tranzystorów bipolarnych o wysokiej jakości. Obecność donorów bądź akceptorów powierzchniowych lub położonych głębiej wpływa na szerokość warstwy zubożonej i tym samym na wielkość prądu dyfuzyjnego, aczkolwiek charakter prądu pozostaje taki sam. Jednakże poziomy generacyjno-rekombinacyjne, usytuowane w środku pasma zabronionego w warstwie zubożonej powodują powstanie prądu g-r uwidaczniającego się przy małych napięciach. Przy dużych prądach występuje także spadek oczekiwanej wartości prądu wskutek spadku napięcia na rezystancji materiału półprzewodnikowego pomiędzy wyprowadzeniami a samą diodą. Prąd diody o bardzo dużej koncentracji centrów generacyjno – rekombinacyjnych jest bardzo różny. Wykazano, że ma on charakter omowy (liniowy) z rezystancją zależną od rozmiarów i właściwości półprzewodnika a nie od właściwości samego złącza. Analiza zakładająca charakterystykę omową i poziom Fermiego usytuowany w środku warstwy zabronionej może jednakże nie być adekwatna dla diod bipolarnych i Schottkiego o kontaktach omowych wykonanych z materiałów o dużej rezystancji, napromieniowanych i półizolacyjnych.

4

Szumy małej i wielkiej częstotliwości tranzystorów bipolarnych

Zaklikiewicz A. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 5

30-31

PL

W pracy przedstawiono krótką charakterystykę szumów m.cz. i w.cz. tranzystorów bipolarnych. Przeprowadzono badania statystycznej zależności pomiędzy poziomem szumów m.cz. i w.cz. tych tranzystorów. Stwierdzono, że szumy w.cz. zależą od poziomu szumu 1/f.

EN

The short characteristic of l.f. and h.f. noise of bipolar transistors is given in the work. The investigation of statistical dependence between this two kinds of noise was conducted. As a result it was found that h.f. noise are dependent on l.f. 1/f type noise.

5

Porównanie charakterystyk eksploatacyjnych tranzystorów energoelektronicznych MOSFET i IGBT

Januszewski S., Gawecka H.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

1999

|

nr 11

590-593

PL

Przedstawiono strukturę, właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów polowych MOSFET i bipolarnych z izolowaną bramką IGBT. Omówiono zdolność łączeniową i obciążalność prądową tranzystorów MOSFET i IGBT.

EN

Structure,static and dynamic properties of field effect transistors MOSFET and bipolar transistors IGBT. Switchability and currentcarrying capacity of the MOSFET and IGBT transistors