PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 16

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystory IGBT
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej
Dreas A., Gordon R.
Badania Nieniszczące i Diagnostyka
|
2018
|
nr 4
62--64
PL
W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.
EN
This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.
2
Content available Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an IGBT transistor
Záskalický P., Kaňuch J.
Maszyny Elektryczne : zeszyty problemowe
|
2012
|
Nr 1(94)
33-37
EN
The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.
3
Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zymmer K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 5
55-60
PL
Analiza uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy (PPM) daje wartościowe informacje niezbędne do racjonalnego projektowania urządzeń energoelektronicznych. Omówiono różnice w mechanizmach uszkodzeń PPM-ów i przyrządów sygnałowych. Przedstawiono podstawowe przyczyny uszkodzeń diod prostowniczych, tyrystorów konwencjonalnych SCR, tyrystorów wyłączalnych GTO i tranzystorów IGBT. Naświetlono procesy zmęczeniowe spowodowane narażeniami emperaturowo - mechanicznymi. Rozważania zilustrowano przykładowymi fotografiami zniszczonych PPM-ów.
EN
The failure analysis of power semiconductor devices (PSD) is valuable information to make some necessary converter circuit correction. Differences between PSD and signal device failures are described. Main failure mechanisms of rectifier diodes, SCR thyristors, GTO thyristors and IGBT transistors are discussed. Failures due a thermal fatigue are given as well. Selected results with example photos of PSD destroyed surfaces are presented. Application of an expert system for the PSD failure analysis is also discussed.
4
Content available remote Modelowanie procesów dynamicznych w falownikach rezonansowych wysokiej częstotliwości
Buczek K.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika
|
2004
|
z. 26 [214]
51--60
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań symulacyjnych tranzystorowego i tyrystorowego falownika wielogałęziowego wysokiej częstotliwości, uwzględniających rzeczywiste warunki komutacji zaworów półprzewodnikowych, w warunkach rezonansowego załączania i wyłączania. Procesy dynamiczne zaworów zamodelowano za pomocą zmiennej rezystancji zaworu, zakładając liniowy wzrost prądu podczas załączania i liniowe malenie prądu podczas wyłączania zaworów. Przyjęcie modelu rezystancyjnego pozwala na określenie strat mocy podczas procesów dynamicznych.
EN
In this paper the results of analyses and simulation tests is presented of multi-time inverter for receivers of an inductive type, in particular for high frequency heating inductors. An inverter is tested with a multi-limb system, using the phenomenon of series resonance. In this system, the unfavourable influence of some transistor dynamic parameters on the output frequency has been limited.
5
Sterowniki wysokonapięciowych tranzystorów IGBT
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2003
|
R.LXXI, nr 3
96-98
PL
Przedstawiono wymagania stawiane sterownikom wysokonapięciowym (4,5 i 6,5 kV) tranzystorów IGBT. Zwrócono uwagę na niezbędny poziom napięć probierczych, zapewniających bezpieczeństwo użytkowania przekształtników zbudowanych z tych przyrządów. Omówiono zasady konstrukcji, monitorowania prawidłowości działania i układy zabezpieczeń sterowników IGBT.
EN
Requirements imposed on the controllers for high-voltage IGBT transistors (4,5 and 6,5 kV). Attention focused on the necessary level of testing voltages ensuring safety of using converters set up from these devices. Discussion of design principles, monitoring the correctnes of operation and protection systems of the a.m. controllers.
6
Content available remote Badania wytrzymałości eksplozyjnej obudów przyrządów energoelektronicznych i zagrożenia występujące w układach przekształtnikowych
Zymmer K., Sakowicz S.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2001
|
Z. 209
5-40
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań wytrzymałości eksplozyjnej diod o prądzie I(FAV) = 300 A i obudowach wkręcanych oraz tranzystorów IGBT o prądzie I(c) = 400 A i obudowach modułowych wykonanych z tworzywa sztucznego. Badania prowadzono w obwodzie prądu stałego przy prądzie równym w przybliżeniu 4-7 krotnej wartości dopuszczalnego prądu przeciążeniowego - I(TSM) (w odniesieniu do diod) oraz 10-20 krotności prądu I(c) (w odniesieniu do modułów tranzystorowych). W czasie badań określono wartości prądu powodującego eksplozję przyrządu oraz czas po jakim ona wystąpiła. Obliczono również wartości energii eksplozyjnej oraz parametru I(2)t. W oparciu o wartości parametru I(2)t powodującego eksplozję przyrządu i analizy symulacyjne obwodów określono zagrożenia eksplozyjne dla różnych przypadków zwarć wewnętrznych w prostownikach dużej mocy stosowanych w układach zasilania trakcji elektrycznej o napięciu 3,3 kV oraz w falownikach napięcia. Na podstawie rezultatów tych analiz oraz doświadczeń z eksploatacji urządzeń zaproponowano środki mające na celu zapobiegać eksplozjom przyrządów energoelektronicznych w układach przekształtnikowych oraz ograniczać skutki tych zjawisk w przypadku ich wystąpienia.
EN
The results of diode explosive strength for current I(FAV) = 300A in traditional cases and IGBT transistors for a current of I(c) = 400A in insulated module cases are presented. Investigations has been conducted in a DC circuit with currents equal to (4÷7)FSM for diodes and (10÷20)I(c) for transistors. During these investigations current causing device explosions and ranges of times to explosion effects were determined. The explosion energies and I(2)t parameters were calculated as well. Based on ranges of I(2)t parameters, which caused explosion of device and simulation analysis results, the explosions hazards in internal short circuit conditions of different kinde of converters such as high power rectifiers and voltage source converters were calculated. On the basis of these analysis and experimental results taken from operating conditions limit the results of explosion if they take place.
7
Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2000
|
nr 6
290-298
PL
Przeanalizowano materiały z trzech najważniejszych międzynarodowych konferencji poświęconych energoelektronice, które odbyły się w 1999 r. Omówiono modyfikacje wysokonapięciowych przyrządów półprzewodnikowych oraz tyrystory wyłaczalne GTO i GCT. Przedstawiono tranzystory IGBT i IEGT oraz tranzystory polowe MOSPET i ich modyfikacje.
EN
Analysis of the matetials from the three most importam international conferences on power electronics held in 1999. Modifications of high voltage semiconductor instrtuments. GTO and GCT gaie-controlled swit- ches. IGBT, IEGT and MOSFET transistors and their modification.
8
Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2000
|
nr 3
117-121
PL
Omówiono wytwarzanie tranzystorów IGBT z bramkami rowkowymi, Przedstawiono właściwości tranzystorów IGBT o napięciach blokowania 600 V; 1,2-2,4 kV> 3,3 kV.
EN
Production process of IGBT transistors with grooved gates. Properties of IGBT transistors of state-off voltages 600 V;1,2-2,4 kV;> 3,3 kV.
9
Rozwój tranzystorów IGBT a ich niezawodność
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2000
|
nr 5
249-253
PL
Przedstawiono kierunki rozwoju technologii tranzystorów IGBT, Określono narażenia tranzystorów IGBT w czasie eksploatacji. Omówiono badania niezawodności modułów IGBT.
EN
Directions of development of the production technology of the IGBT transistors. Hazards to the IGBT transisiors during operation. Testing the IGBT modules for reliability.
10
Content available remote Jakość modeli tranzystorów IGBT w programie PSPICE.
Kamonciak A. K.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
1999
|
nr 13
63-70
PL
Nowe wersje programów symulacyjnych stwarzają większe niż dotychczas możli-wości symulacji obwodów elektronicznych i energoelektronicznych. Jest to mo-żliwe dzięki bogatej bibliotece coraz dokładniejszych, ale i bardziej skom-plikowanych modeli. Dlatego istotne wydaje się pytanie na ile model odzwier-ciedla parametry elementu rzeczywistego. Czy symulacja komputerowa jest w stanie całkowicie zastąpić eksperyment? Podjęto próbę odpowiedzi na te py-tania dokonując porównania przebiegów rzeczywistych wybranych obwodów i ot-rzymanych wyników symulacji w programie PSpice_8.
11
Uszkodzenia tranzystorów IGBT dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 1
19-22
PL
Scharakteryzowano wysokonapięciowe i wielkoprądowe przyrządy półprzewodnikowe. Opisano specyficzne właściwości konstrukcji modułów z tranzystorami IGBT. Omówiono mechanizmy uszkodzeń tranzystorów IGBT oraz podano przykłady uszkodzeń.
EN
Characteristics of high-voltage and heavy-current semiconductor devices. Specific features of the units of modules with IGBT transistors. Mechanisms and examples of damages to IGBT transistors.
12
Sprawdzenie obszarów bezpiecznej pracy dotyczących tranzystorów IGBT
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 5
246-249
13
Obudowy pastylkowe z dociskiem zewnętrznym tranzystorów IGBT umożliwiające chłodzenie obustronne
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 12
628-633
PL
Przedstawiono rozwój obudów przyrządów energoelektronicznych. Omówiono moduły IGBT z chłodzeniem jednostronnym oraz obudowy dociskowe IGBT z chłodzeniem obustronnym.
EN
Development of the casings of power electronic devices is presented. IGBT modules with one - sided cooling and clamp - type casings with double - sided cooling are discussed.
14
Niezawodność wysokonapięiowych modułów IGBT du.żej mocy
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 8
413-417
PL
Przedstawiono wymagania niezawodnościowe dotyczące tranzystorów IGBT. Omówiono narażenia tranzystorów w czasie pracy oraz badania mechaniczno - klimatyczne i środowiskowe.
EN
Reliability requirements on the IGBT transistors.Liabilities of the transistors during operation. Mechanical, climatic and environmental test.
15
Content available remote The dependence of power losses in D.C. traction drives on chopper frequency
Glinka T., Grzenik R.
Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka
|
1998
|
z. 91
149--156
EN
The results of experimental research concerning the effect of a transistor chopper frequency on the power losses both in a chopper and in a motor. The experimental set consisted of the transistor chopper built of IGBT transistors and LTb 220, 40 kW, 300 V, 1800 rpm DC series motor.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań laboratoryjnych wpływu częstotliwości impulsowania łącznika tranzystorowego na straty mocy w łączniku i silniku. Badania przeprowadzono na rzeczywistym układzie napędowym tramwaju. Układ ten składał się z łącznika tranzystorowego zbudowanego w oparciu o tranzystory IGBT i silnik szeregowy prądu stałego LTb-220 V, 40 kW, 300 V, 1800 obr/min.
16
Postępy w technice tranzystorów
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1998
|
nr 6
370-375
PL
Na podstawie materiałów konferencyjnych prezentujących najnowsze osiągnięcia z dziedziny energoelektroniki przedstawiono zagadnienia związane z technologią wytwarzania i zastosowaniem tranzystorów IGBT.
EN
Basing on the conference materials on the latest achievements in the field on power electronics,the authors present problems associated with the manufacturing process and application of IGBT transistors.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.