Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Kwantowy wzorzec prądu elektrycznego

Dudek E., Orzepowski M., Tatar A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 6

35-38

PL

Obecna definicja jednostki prądu, wiążąca ampera z wielkościami nieelektrycznymi, nie jest możliwa do odtworzenia w warunkach laboratoryjnych. Od wielu lat dąży się do wprowadzenia nowej, opartej na zjawiskach kwantowych definicji, zakładającej przepływ określonej ilości ładunku w czasie. Intensywne prace nad stworzeniem kwantowego wzorca prądu elektrycznego dla proponowanej nowej definicji, skupiają się na budowie układu współpracujących ze sobą tranzystorów jednoelektronowych, które potrafiłyby zapewnić odpowiednio duży prąd z bardzo małą niepewnością. Autorzy przedstawili zasadę działania jednoelektronowego tranzystora SET, wyniki prac związanych ze zwielokrotnieniem obecnie otrzymywanego prądu wyjściowego oraz korzyści, jakie dla światowej metrologii przyniesie przedefiniowanie jednostki prądu elektrycznego.

EN

The definition of the electric current, which binds ampere with non-electrical quantities, can not be reproduced in the laboratory. Because of this, the new, based on quantum phenomena definition is wanted. Electric current should be defined as number of elementary charges transported in a period of time. Intensive work to develop a quantum standard for the proposed new definition focus on building a system of cooperating single-electron transistors with sufficiently large current and very little uncertainty. This paper gives a basic knowledge about quantum metrology triangle, single-electron transistor and primary current standards and also shows the advantages of redefinition the ampere.

2

Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs

Małachowska-Podsiadło E., Mączka M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

48-49

PL

Opisano stany elektronowe tranzystora jednoelektronowego (SET), formowanego w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs. Stany elektronowe są samouzgodnionymi rozwiązaniami równania Schrodingera w przybliżeniu Hartree. Rozkład potencjału w tranzystorze jest rozwiązaniem równania Poissona, dla danego zestawu napięć polaryzujących strukturę.

EN

In the work we present electron states of a single electron transistor (SET) formed in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure. Electron states are selfconsistent solutions of Schrodinger equation, written within Hartree approximation. Potential distribution through the transistor is the solution of Poisson equation, for a given set of voltages, biasing the structure.

3

Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie

Gotszalk T., Sikora A., Kolanek K., Szeloch R., Szmidt J., Grabiec P., Rangelow I. W., Mitura S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

14-18

PL

Obserwowane obecnie tendencje w rozwoju systemów elektronicznych i tzw. mikrosystemów, które łączą w sobie zarówno funkcje przetwarzania sygnałów elektronicznych, jak i oddziaływań mechanicznych, chemicznych, itp. wyrażają się w znacznym zmniejszeniu tzw. wymiaru charakterystycznego do setek i dziesiątek nanometrów. W opracowaniu przedstawiono przegląd metod bliskiego pola zarówno w zastosowaniach diagnostycznych jak i technologicznych, które pozwalają zaspokoić skrajnie trudne warunki powstałe na drodze do nanoelektroniki, a ogólnie do nanotechnologii. Badania i wytwarzanie tego typu układów wymagają nowatorskiego podejścia, które musi uwzględniać prawa fizyki kwantowej.

EN

In last decades rapid progress in fabrication of integrated circuits and microsystems has been observed. Simultaneously novel problems connectec with measurements of such devices and microelectronical materials were defined. In our work we will describe the application of scanning probe microscopy based methods in measurements of physical properties of microelectronical devices and materials. We will present methdos and techniques, which were developed at the Faculty of Microsystem Electronic; and Photonics of Wroclaw University of Technology. In this experiments we used novel nearfield sensors and measurement electronics to describe quantitavely the surface properties. We will present preliminary results on fabrication of nanostructures, which can be applied as quantum electronical devices like: quantum points and single electron transistors.

4

Badania numeryczne rozkładu potencjału w kropce kwantowej ze sterowaną barierą

Mączka M., Pawłowski S., Kusy A., Machowska - Podsiadło E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1998

|

Vol. 39, nr 4

16-19

PL

Przedstawiono schemat struktury oraz model metalowych elektrod dla tranzystora jednoelektronowego ze sterowaną barierą. W celu numerycznego wyznaczenia rozkładu potencjału w takim modelu dokonano w pierwszej kolejności jego dyskretyzacji a następnie rozwiązano dla niego równanie Laplace'a stosując metodę elementów brzegowych. Przedstawiono przykładowe wyniki obliczeń rozkładu gęstości ładunku na powierzchni metalowej bramki dolnej. Na wysokości występowania gazu elektronowego w tranzystorze jednoelektronowym pokazano uzyskane wyniki obliczeń rozkładu potencjału. Przeprowadzono analizę wpływu wybranych napięć międzyelektrodowych na dwa parametry określające kształt potencjału w kierunku transportu ładunku: wysokość barier (Vb) i głębokość studni (Vo). Stwierdzono, że Vb i Vo są w głównej mierze zdeterminowane przez napięcia pomiędzy bramką dolną i źródłem UGS oraz pomiędzy elektrodami górnymi a źródłem UUS. W oparciu o uzyskane wyniki obliczeń przeprowadzono także analizę wpływu konfiguracji elektrod górnych na kształt potencjału w kierunku transportu ładunku.

EN

The structure and model of the metallic electrodes for the controlled-barrier one-electron transistor have been presented. To evaluate the potential distribution in such a model it has been first discretized and next the Laplace's equation formulated for it has next been numerically solved using edge elements method. As an example the results of surface charge density calculations on the surface of the bottom metal gate have been presented. The results of the potential distribution calculations have been shown for the height in the one-electron transistor where the electron gas exists. The influence of the selected interelectrode voltages on the barrier height (Vb) and the well depth (Vo) determining the potential distribution in the direction of the electrical transport has been analysed on the basis of the obtained numerical results. It has been found that Vband Vo are mainly determined by the voltages UGS between the bottom gate and the source and UES between the upper electrodes and source. On the basis of the obtained numerical results the influence of the upper electrodes shape on potential distribution in the transport direction has been analysed. It has been found that the most important is in this area the size of the protrusions in the upper electrodes. When the size of these protrusions is small enough the barrier height can diminish to zero.