PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystor bipolarny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Szelągowska Joanna, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 2
178--181
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
2
Content available remote Multiwibrator astabilny jako przykład układu tranzystorowego ze sprzężeniem zwrotnym w nauczaniu podstaw elektroniki
Dąbrowski Adam, Pawłowski Paweł
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
121--124
PL
W artykule zaprezentowano analizę tranzystorowego multiwibratora astabilnego, wykorzystywaną w nauczaniu podstaw elektroniki, jako przykład układu ze sprzężeniem zwrotnym. Mimo prostej budowy, wytłumaczenie zasady działania tego układu wraz ze wszystkimi istotnymi aspektami nie jest trywialnie. Multiwibrator astabilny pozwala na zobrazowanie i wyjaśnienie wielu zagadnień, koniecznych do zrozumienia podstaw elektroniki. Są to m. in.: zachowanie się tranzystora bipolarnego w różnych stanach (odcięcia, przewodzenia, nasycenia), dobór rezystorów w układach polaryzacji (w celu wprowadzania tranzystora w pożądany stan), dodatnie sprzężenie zwrotne i warunki generacji drgań, zachowanie się kondensatorów w układach impulsowych, stała czasowa ładowania i rozładowania kondensatora w układzie RC, itp. Zaproponowano stopniowe przedstawienie działania układu, które nie tylko ułatwia zrozumienie omawianych zagadnień, ale przekazuje inżynierskie zasady analizy układów elektronicznych przez ich dekompozycję na proste bloki składowe oraz technikę kolejnych przybliżeń w celu poprawy dokładności analizy.
EN
The paper presents an analysis of the astable multivibrator with bipolar transistors as an example of the positive feedback circuit used for teaching the basics of electronics. Despite the simple construction, precise explaining the principle of operation of this circuit, together with all relevant aspects is non-trivial. The astable multivibrator allows to illustrate and explain many important issues, that are necessary to discuss while teaching the basics of electronics. Among them are: behavior of the bipolar transistor in different modes of operation (cutoff, active mode, saturation), selection of resistor values in transistor polarization circuit (putting the transistor into the desired mode), positive feedback applications and oscillations generation conditions, capacitor behavior with pulse train, time constant for charging and discharging the capacitor in the RC circuit, etc. A progressive presentation of the structure and operation of the system has been proposed, which not only facilitates easier understanding the principle of operation, but also conveys the engineering principle of analyzing complicated electronic circuits by decomposing them into basic blocks, as well as the technique of subsequent approximations in the more and more accurate analysis.
3
Content available remote Modelowanie tranzystorów mocy SiC BJT w programie PSPICE
Patrzyk J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
168--176
PL
Artykuł dotyczy problematyki modelowania bipolarnych tranzystorów mocy, wykonanych z węglika krzemu, w programie PSPICE. Przedstawiono wyniki eksperymentalnej weryfikacji dokładności symulacji wyjściowych charakterystyk statycznych tranzystora BT1206AC firmy TranSiC oraz tranzystora 2N7635-GA firmy GeneSiC, wykonanych z węglika krzemu, z wykorzystaniem modelu tranzystora bipolarnego, wbudowanego w program PSPICE.
EN
This paper deals with the problem of modeling bipolar power transistors made of silicon carbide in PSPICE. The accuracy of built-in PSPICE model of a bipolar transistor was verified experimentally for two silicon carbide power transistors: BT1206AC (produced by TranSiC) and the 2N7635-GA (produced by GeneSiC) The results of simulations and measurements of the output static characteristics of the considered devices are given as well.
4
Content available remote Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics
Miskiewicz S., Komarov F., Komarov A., Żukowski P., Michailov V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 11
236--238
EN
We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages.
PL
Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora.
5
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
Zarębski J., Bisewski D., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 10
114-117
PL
W pracy porównano podstawowe charakterystyki statyczne bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu. Oceniono wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na charakterystyki i parametry rozważanych przyrządów półprzewodnikowych.
EN
In the paper a comparison of static characteristics of bipolar power transistors made of silicon and silicon carbide, is presented. The influence of selfheating phenomenon on the characteristics and parameters of considered transistors is examined.
6
Content available remote Hybrid IGBT-IGCT Switch
Blinov A., Vinnikov D., Ivakhno V., Zamaruev V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 1a
12-15
EN
This paper presents an analysis of a hybrid high-voltage switch based on the parallel connection of IGBT and IGCT. The proposed configuration allows combining the advantages of both semiconductors, resulting in substantially reduced power losses. Such energy efficient switches could be used in high-power systems where decreased cooling system requirements are a major concern. The operation principle of the switch is described and simulated and power dissipation is estimated at different operation conditions.
PL
Artykuł prezentuje analizę hybrydowego łącznika wysokonapięciowego bazującego na równoległym połączeniu tranzystora IGBT i tranzystora IGCT. Proponowana konfiguracja pozwala na uzyskanie zalet dwóch półprzewodników, w rezultacie czego otrzymano znaczne zmniejszenie strat mocy. Takie energooszczędne łączniki, mogą być używane w systemach dużej mocy, gdzie zmniejszenie urządzeń systemu chłodzenia jest głównym problemem. Opisano i zasymulowano działanie łączników, oraz oszacowano rozpraszanie energii dla różnych warunków pracy.
7
Tranzystor - 60 lat minęło i co dalej?
Jakubowski A., Łukasiak L.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2008
|
R. 81, nr 5
666-671
PL
Przedstawiono historię elektroniki półprzewodnikowej ze szczególnym uwzględnieniem tranzystora MOS, trudności związane z dalszą miniaturyzacją, możliwe kierunki rozwoju oraz wybrane ograniczenia fundamentalne.
EN
The papers briefly presents the history of semiconductor electronics with emphasis on MOS transistor, difficulties associated with further miniaturization, possibile directions of development and selected fundamental limitations.
8
Sterowanie bipolarnych, wysokonapięciowych tranzystorów mocy
Kania J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 12
19-23
PL
Właściwości bipolarnych tranzystorów mocy odbiegają znacznie od wymagań na idealny element kluczujący, co jest źródłem znacznych strat mocy zarówno w okresie przewodzenia jak i wyłączania tranzystora. Straty mocy, zwłaszcza w okresie wyłączania, można znacznie zmniejszyć przez dobór kształtu i wartości prądu bazy zarówno w okresie przewodzenia jak i zatkania tranzystora.
EN
Parameters of high-power, high-voltage bipolar switching transistors and ideal electronics switches are different at many points. During conducting and switching times of transistors occurs some amount of dissipation. There are at least two ways to reduce dissipation of bipolar power transistors. A very effective technique is to optimize base driving parameters and to apply a new generation of switching NPN transistors with a relatively wide base width.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.