Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Review on metallic oxide nanoparticles and their application in optoelectronic devices

Sosna-Głębska Aleksandra, Szczecińska Natalia, Znajdek Katarzyna, Sibiński Maciej

Acta Innovations

|

2019

|

no. 30

5--15

EN

Among the large family of metallic oxides, there is a considerable group possessing excellent semiconducting properties. What follows, they are promising materials for applications in the field of optoelectronics and photonics. Thanks to the development of nanotechnology in the last few decades, it is now possible to manufacture a great variety of different nanostructures. By controlling their size, shape, composition and crystallinity, one can influence such properties as band gap, absorption properties, surface to volume ratio, conductivity, and, as a consequence, tune the material for the chosen application. The following article reviews the research conducted in the field of application of the metallic oxide nanoparticles, especially ZnO, TiO2 and ITO (Indium-Tin Oxide), in such branches of optoelectronics as solid-state lightning, photodetectors, solar-cells and transparent conducting layers.

2

Analiza właściwości wybranych warstw typu TCO jako optycznych luster podczerwieni

Domaradzki J., Kaczmarek D., Wojcieszak D, Mazur M., Poniedziałek A., Głodek S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

20-23

PL

Cienkie warstwy przezroczystych tlenków przewodzących (TCO) oraz półprzewodnikowych (TOS) stanowią dobrze już znaną grupę materiałów o unikatowych właściwościach. Łączą one bardzo dobrą przezroczystość dla światła w zakresie widzialnym promieniowania optycznego z jednoczesnym dobrym przewodnictwem elektrycznym. Do najbardziej znaczących materiałów tego typu należą takie tlenki, jak SnO2, In2O3, ZnO. Niniejsza praca zawiera dyskusję oraz wyniki modelowania komputerowego, dotyczącego zastosowania przykładowych warstw TCO jako optycznych luster cieplnych. Przedyskutowano wpływ na położenie krawędzi absorpcji w zakresie podczerwieni takich czynników, jak koncentracja nośników swobodnych oraz grubość warstwy. Modelowanie komputerowe wykonano wykorzystując charakterystyki dyspersji zespolonego współczynnika załamania światła otrzymane dla warstw In2O3-SnO2 naniesionych metodą rozpylania magnetronowego.

EN

Transparent oxide conducting (TCO) and semiconducting (TOS) thin films are already well known group of unique materials with high transparency for light in the visible part of optical radiation and simultaneously sufficiently well electrical conduction. To the leading group of such materials belong such oxides like SnO2, In2O3, ZnO. TCO thin films with n-type of electrical conduction are commonly used in the construction of transparent electrodes in many, especially portable electronics devices. However, increasing of electrical conduction in TCO or TOS thin films is usually possible by an increase in free charge carriers concentration in such thin films that results in the appearance of reduced light transmission in the infrared region of electromagnetic waves. The present work consists discussion and results of computer designing and on application of exemplary TCO thin films as optical heat mirrors. Computer simulations were performed using complex refractive index dispersion data elaborated for In2O3-SnO2 deposited by magnetron sputtering method.

3

Wpływ trawienia na właściwości powierzchni tlenku indowo-cynowego (ITO)

Araźna A., Janeczek K., Kozioł G., Futera K., Stęplewski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 4

82-84

PL

W pracy oceniano właściwości powierzchni warstw tlenku indowo- cynowego (ITO) poddanych różnym sposobom przygotowania podłoża. Określano wartości kąta zwilżania i swobodnej energii powierzchniowej próbek warstw ITO. Zastosowano trzy sposoby przygotowania powierzchni ITO: czyszczenie w płuczce ultradźwiękowej w acetonie i alkoholu etylowym w temperaturze otoczenia, czyszczenie w roztworze amoniakalnym w temperaturze 60°C oraz wygrzewanie w tlenowej plazmie wyładowania jarzeniowego pod ciśnieniem 0,1 x 10 ⁻³ Ba. Wyniki badań wykazały że właściwości powierzchni ITO ściśle zależą od zastosowanego sposobu przygotowania podłoża. Stwierdzono, że spośród badanych najbardziej efektownym sposobem przygotowania powierzchni ITO jest trawienie w tlenowej plazmie wyładowania jarzeniowego. Dla próbek czyszczonych tym sposobem uzyskano znaczący wzrost wartości energii powierzchniowej od 23,4 mJ/m² do 66,7 mj/m². Oznacza to, że ten sposób trawienia był najbardziej efektywny spośród badanych i czynił powierzchnię warstw ITO najbardziej hydrofilową.

EN

In this work, a study of the surface properties of treated indium tin oxide (ITO) substrates was made. The surface characteristics of ITO thin films are investigated by contact angle and surface free energy (SFE) measurements. We used three differenf cleaning treatments among others: washing in an ultrasonic bath of acetone and ethyl alcohol (R1) in room temperature, dipping into alkaline solution at 60°C as well as oxygen glow discharge under pressure 0.1x10⁻³ Ba. Experimental results show that the ITO surface properties are closely related to the treatment methods. We stated that the most efficient cleaning treatment was oxygen glow discharge. This way of treatment yields the highest surface energy (66.7 mJ/ m2) and brings about the maximum reduction in contact angles of ITO substrates. It means that this manner of the etching was most effective and made the most hydrophilic surface of ITO layers.

4

Formowanie transparentnych warstw przewodzących na bazie ITO

Domaradzki J., Kaczmarek D., Mazur M., Wojcieszak D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 7

20-23

PL

Tlenek indowo-cynowy, powszechnie znany jako ITO, stosowany jest od wielu lat, przede wszystkim do wytwarzania przezroczystych elektrod w różnego rodzaju urządzeniach elektronicznych. W ostatnich latach największe zastosowanie materiał ten znajduje w ekranach wyświetlaczy LCD. Potencjalnie ogromne możliwości wykorzystania ITO związane są z jego unikatowymi właściwościami, które sprawiają, że tlenek ten jest przezroczysty dla światła z zakresu widzialnego promieniowania optycznego, a jednocześnie wykazuje stosunkowo małą wartość rezystywności, zazwyczaj poniżej 10-3 Ωcm. W niniejszej pracy przedyskutowano aspekty technologiczne związane z wytwarzaniem cienkich warstw ITO metodą parowania wiązką elektronową.

EN

Indium-tin oxide, commonly known as ITO, is well known for years and applied usually as transparent electrodes for different electronics devices. In the last few years ITO was the most utilized in such applications as LCD displays. Ability of wide application of ITO results from its unique properties, that is its excellent transparency in the visible part of light irradiation and relatively low electrical resistivity, usually below 10-3 Ωcm. In the present paper some technological aspect connected with preparation of ITO thin films by electron beam evaporation method have been discussed.

5

Efektywne, niskotemperaturowe osadzanie tlenku indowo-cynowego (ITO) metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

Cichy B., Posadowski W., Górecka-Drzazga A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 6

101-103

PL

Badano proces osadzania cienkich warstw tlenku indowo-cynowego (ITO) na podłoża szklane metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego targetu ITO (90% In₂O₃, 10% SnO₂) w temperaturze pokojowej. W celu poprawienia elektrycznych i optycznych właściwości napylonych warstw po procesie rozpylania wygrzewano je w próżni. Wygrzane warstwy charakteryzowały się niską rezystywnością około 10⁻⁴ Ω oraz wysoką transmisją światła w zakresie widzialnym, sięgającą 85%.

EN

Results of the room temperature deposition of indium-tin (ITO) layers from In₂O₃ : SnO₂ target (10% SnO₂) by pulsed magnetron sputtering are presented. ITO thin layers were deposited on the glass substrates. Sputtering process was performed in pure Ar and Ar + O₂ mixture. Post deposition vacuum annealing of ITO thin films caused meaningful decrease of their resistivity. The transparency of obtained layers was greater than 85% in visible spectrum.