PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  thick films
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Determination of CdSxSe1-x thick films optical properties from reflection spectra
Tivanov M., Kaputskaya I., Patryn A., Saad A., Survilo L., Ostretsov E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
88--90
EN
A method for determining the band gap value and the refractive index near the absorption edge from reflection spectra was tested for CdSxSe1-x films prepared using the screen-printing and sintering technique.
PL
Przeanalizowano metodę wyznaczenia szerokości przerwy energetycznej i współczynnika załamania z pomiarów widma współczynnika odbicie warstw CdSxSe1-x otrzymanych metodami sitodruku i konsolidacji termicznej (sintering technique).
2
Investigation of multiple degradation and rejuvenation cycles of electroluminescent thick film structures
Mroczkowski M., Cież M., Kalenik J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 1
39-40
EN
An attempt to investigate the possibility of repeated rejuvenation of degraded electroluminescent (EL| lamps was undertaken. A set of samples of EL lamps with ZnS:Cu phosphor was fabricated. First, each of these samples worked for a period of time, driven by square voltage. After this process of degradation, samples were annealed in order to rejuvenate them. Such cycles of degradation and rejuvenation were repeated twice. Several parameters of investigated structures were estimated. Measurements were performed after fabrication of test samples, after degradation and after annealing. Luminance of EL lamps driven by voltage of different value of frequency was measured. Capacitance of these samples was measured to estimate the influence of changes in insulator layer of EL lamps on changes of luminance. Also an attempt to investigate the influence of degradation and rejuvenation on emission spectrum of electroluminescent thick film structures was undertaken.
PL
W ramach badań podjęto próbę wykonania wielokrotnej regeneracji zdegradowanych struktur elektroluminescencyjnych. Do tego celu został przygotowany zestaw testowych grubowarstwowych źródeł światła. Najpierw te źródła światła zostały zdegradowane przez starzenie przy zasilaniu napięciem prostokątnym. Następnie próbki wygrzano celem ich regeneracji. Taki cykl degradacji i regeneracji został wykonany dwukrotnie. Zmierzono wybrane parametry badanych struktur. Pomiary zostały wykonane po przygotowaniu próbek, po ich degradacji i po regeneracji. Zmierzono luminancję struktur zasilanych napięciem prostokątnym o różnej częstotliwości. W celu określenia wpływu zmian w warstwie izolacyjnej na luminancję struktury, zamierzono pojemność próbek. Dodatkowo, podjęto próbę określenia wpływu degradacji i regeneracji na widmo emisyjne elektroluminescencyjnych struktur grubowarstwowych.
3
Content available remote Studies of rejuvenation of electroluminescent thick film structures
Mroczkowski M., Cież M., Kalenik J.
Optica Applicata
|
2011
|
Vol. 41, nr 2
481--486
EN
A set of samples of electroluminescent (EL) lamps with ZnS phosphor was fabricated. These samples were degraded in different working conditions. Next, an attempt to rejuvenate these structures by annealing was undertaken. Several parameters of investigated structures were estimated. Then, measurements were performed after fabrication of test samples, their degradation and annealing. The luminance of the test structures as a function of applied voltage frequency was measured. Also, the spectrum of light emission before and after the degradation and rejuvenation processes was investigated.
4
Content available Dielectric properties of perovskite multiferroic Pb(Fe0.5Nb0.5)O3-Bi0.95Dy0.05FeO3 thick films
Stoch A., Kulawik J., Szwagierczak D., Groger B.
Materiały Elektroniczne
|
2008
|
T. 36, nr 3
138-150
EN
The paper reports the preparation and deposition of dielectric thick films exhibiting multiferroic properties. The developed layers are based on solid solutions of two multiferroic compounds with perovskite structure -- relaxor Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 and Bi0.95Dy0.05FeO3. Complex impedance and dielectric permittivity of thick films were determined as a function of temperature (from - 55 to 450°C) and frequency (10 Hz - 2 MHz). DC resistivity was measured in the temperature range 20 - 400°C. Microstructure of the samples was studied using a scanning electron microscope. In complex plane impedance spectra there exists a single arc at a given temperature associated with grains which decreases and shifts to higher frequencies with increasing temperature. The maximum values of dielectric permittivity of the investigated layers were 2000 - 4000 in the temperature range from -55 to 150°C at 1 kHz. Two broad ε'maxima ascribed to relaxor ferroelectric transition and dielectric relaxation occur in the temperature range from -55 to 450°C. Low sintering temperature appropriate for the conventional thick film procedure, dense microstructure and high dielectric permittivity slightly changing over a wide frequency and temperature ranges are advantages of the developed compositions.
PL
W artykule opisano przygotowanie i nanoszenie dielektrycznych grubych warstw wykazujących multiferroiczne właściwości. Opracowane warstwy oparte są na dwóch multiferroicznych związkach o strukturze perowskitu - relaksorze Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 i Bi0.95Dy0.05FeO3. Badano zespoloną impedancję i przenikalność elektryczną grubych warstw w funkcji temperatury (od -55 do 450°C) i częstotliwości (10 Hz - 2 MHz). Mierzono przewodnictwo dc w zakresie temperatur 20 - 400°C. Badano mikrostrukturę próbek przy użyciu mikroskopu skaningowego. Na wykresach zespolonej impedancji w danej temperaturze istnieje pojedynczy łuk, związany z ziarnami, który zmniejsza się i przesuwa w stronę wyższych częstotliwości ze wzrostem temperatury. Maksymalne wartości przenikalności elektrycznej badanych warstw wynoszą 2000 - 4000 w zakresie temperatur od -55 do 150°C dla 1 kHz. W zakresie temperatur od -55 do 450°C występują dwa szerokie maksima ε' przypisywane przemianie ferroelektrycznej i relaksacji dielektrycznej. Korzystnymi cechami opracowanych kompozycji są: niska temperatura spiekania odpowiednia dla konwencjonalnej procedury grubowarstwowej, zwarta mikrostruktura i wysoka przenikalność elektryczna słabo zmieniająca się w szerokim zakresie częstotliwości i temperatur.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.