PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  siła termoelektryczna
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Termodynamiczne zależności w toczeniu swobodnym
Storch B., Zawada-Tomkiewicz A., Żurawski Ł.
Mechanik
|
2016
|
R. 89, nr 10
1502--1503
PL
W badaniach zajęto się zagadnieniem pracy ostrza skrawającego w warunkach toczenia swobodnego. Przedstawiono wyniki analizy siły skrawania i siły termoelektrycznej dla skrawania wałków. Wnioski z badań wskazują, że przebiegi składowych siły skrawania i siły termoelektrycznej w funkcji prędkości skrawania mają charakter nieliniowy.
EN
The study addresses the problem of a single point orthogonal cutting. The results of the analysis of cutting force and SEM turning of shaft for were presented. The conclusions of the research indicate that components of the cutting force and SEM behave nonlinearly in a function of cutting speed.
2
Content available remote A Batteryless low Input Voltage micro-scale Thermoelectric Based Energy Harvesting Interface Circuit with 100mV Start-up Voltage
Sarker M. R., Mohamed R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 4
49--52
EN
A Batteryless low input voltage micro-scale thermo electric based energy harvesting interface circuit with 0.1V start-up voltage presents in this paper. The active technique and its components have been chosen such as MOSFET and thyristor to design the proposed DC-DC boost converter with low input voltage (i.e., 0.1V) for energy harvesting interface circuit. The minimum working voltage as low as 0.1V an input the equivalent voltage of thermoelectric transducer has been proposed to design the boost converter. This paper presents techniques for the systematic modeling, analysis, and design of interface circuitry used in the equivalent voltage of the micro-scale thermoelectric energy harvesting systems. In the development of active-based circuits, the DC-DC step-up (boost) converter with thyristor have been designed instead of mainly diode and other components because the forward voltage of diode is (0.7V) higher than the incoming input voltage (0.1V). Finally, the complete proposed energy harvester circuit have been designed and simulated using the PSPICE software. The proposed circuit is capable to step-up regulated DC voltage up to 3.75V. The efficiency of the proposed circuit is greater than 65% following the simulation results. This work has focused on the application of micro-devices Wireless Sensor Network (WSN) device can be operated without battery.
PL
W artykule opisano oszczędnościowe źródło napięcia wykorzystujące jedynie siłę temoelektryczną. Układ elektroniczny startuje już przy napięciu zasilania 0.1V i potrafi wytworzyć wyjściowe napięcie o poziomie blisko 4 V. Jako zastosowanie układu przewiduje się możliwość zasilania czujników bezprzewodowych jedynie z baterii słonecznej.
3
Content available remote Temperature and pressure properties of the resistance alloy ZERANIN30 implanted by high dose, middle energy, C+ ions
Wilczyńska T., Wiśniewski R., Konarski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 10a
292-295
EN
The influence of carbon ions implantation into Zeranin30 alloy on their sensitivities to pressure and temperature has been investigated . Specimens were foil type, 20µm thick and planar dimensions 1x50mm). The C+ ions, of energy 100, 150 and 250keV, were implanted on the one side of specimens with doses of 1-, 2- and 3x10 17 ions C+/cm2 respectively. Depth distribution of carbon ions were calculated using SRIM method. The implantation range was less than 0.5µm. Due to C+ ions implantation of max energy and dose a12% increase of mean pressure sensitivity of specimens was noted. Using developed earlier method for more accurate interpretation of implanted flat specimens it was possible to determined properties of modified layer we can estimate the pressure sensitivity coefficient (PSC) of the strongly implanted part as three times higher than the value for not implanted one. High-dose implantation with C+ ions remarkably changes also the temperature - resistance characteristic of Zeranin30 specimens, making it more convenient for the use in the further vicinity of the room temperature. The thermo power of implanted Zeranin30 against copper at room temperature appeared to be about 30% smaller than those for not implanted one. SIMS method of determination of concentration of basic Zeranin30 components and introduced C was used. An anomalous concentration of basic component in depths of 300nm has been observed. The maximal depth of implanted carbon atoms was detected as less than 1µm. Investigated specimens were annealed before and after implantation by 100h at temperature of 150oC.
PL
W pracy przedstawiono wpływ średnio-energetycznej, wysoko dawkowej implantacji węglem Zeraninu30 na charakterystykę rezystancja - temperatura oraz na czułość ciśnieniową. Próbki miały wymiary 20µm x2mm x50mm. Zastosowano energie implantacji 100,150 i 250keV i jednostronną implantację dawkami 1- ,2- i 3x1017 jonow C+ / cm2, odpowiednio. Do określenia rozkładu jonów węgla użyto kodu SRIM 2000 określającego maksymalny zasięg na 0.5µm. Po implantacji maksymalną energią i dawką zauważono 12% wzrost średniego współczynnika czułości ciśnieniowej. Stosując metodę określania właściwości warstw silnie implantowanych w próbkach planarnych określono jego trzykrotny wzrost w stosunku do czułości ciśnieniowej zeraninu czystego. Zaobserwowano, korzystne dla zastosowań, rozpłaszczanie się charakterystyki R-T w okolicy temperatury pokojowej, oraz niewielki (30%) spadek siły termoelektrycznej zeraninu30 względem miedzi w temperaturze pokojowej. Metodą SIMS określono rzeczywiste rozkłady podstawowych składników Zeraninu i zaimplantowanych jonow C (z zasięgiem 1µm) stwierdzając anomalne wartości koncentracji składników podstawowych w głębokościach do 200nm. Próbki przed i po implantacji były stabilizowane termicznie w temperaturze 150oC w czasie 100h. (Temperaturowe i ciśnieniowe właściwości rezystancyjnych stopów ZERANIN30 implantowanych jonami C+ o wysokich dawkach i średnich energiach).
4
Porównawcze charakterystyki sensorów typu rezystancyjnego i termoelektrycznego wykonanych na bazie cienkich warstw dwutlenku cyny
Luhin V. G., Zarapin V. G., Zharsky I. M., Kołtunowicz T. N.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 6
110-113
PL
Porównano charakterystyki cienkowarstwowych sensorów typu rezystancyjnego i termoelektrycznego na bazie dwutlenku cyny. Zbadano wpływ temperatury i koncentracji tlenu na przewodnictwo i siłę termoelektryczną. Pokazano, że zastosowanie sił termoelektrycznych w charakterze mierzonego sygnału pozwala udoskonalić charakterystyki pomiarowe sensorów gazów.
EN
Comparative characteristics of resistive and thermoelectric thin film sensors based on tin dioxide have been investigated. The influence of temperature and oxygen concentration on electrical conductivity and thermoelectric force of films was investigated. It has been shown that the application of thermoelectric force as measured signal makes possible to enhance measuring characteristics of gas sensors.
5
Content available remote Scanning thermoelectric and acoustic emission diagnostic of structural inhomogeneities of thermocouple materials
Prokhorenko V. J., Prokhorenko S. V., Mudry S. I., Sheregii E. M., Dominjuk T. I.
Archives of Foundry Engineering
|
2010
|
Vol. 10, iss. 1 spec.
381--386
EN
New method for diagnostic of constructional and functional materials by means of thermoelectric and acoustic- emission measurements is proposed. The method allows not only to establish the defect location, but its partial temperature relaxation achieve.
6
Content available remote Application of the method of thermo-power in diagnosing fatigue strength and intergrain corrosion
Prokhorenko V. J., Prokhorenko S. V., Koval P. M., Dominjuk T. I.
Archives of Foundry Engineering
|
2009
|
Vol. 9, iss. 2
201-204
EN
In area of flat defect, predefined a gradient tireless - corrosive tensions, a double electric layer, conditioned the spatial redistribution of electronic closeness, is formed. It shows up a local rejection mikro-thermo-power at use of heating edge of tungsten thermocouple. Test approbation of method is conducted on the deformed chromel.
7
Zastosowanie sensorów termoelektrycznych do analizy gazów
Luhin V., Zarapin V., Zharsky I., Żukowski P., Kolasik M., Kozak C.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 6
262-264
PL
W pracy zbadano możliwość zastosowania siły termoelektrycznej powstającej przy dużych gradientach temperatur w cienkich warstwach tlenków metali o właściwościach półprzewodnikowych do rejestracji odpowiedzi adsorpcyjnej w czujnikach gazowych. Wykazano, że zastosowanie siły termoelektrycznej pozwala poprawić charakterystyki metrologiczne czujników gazowych.
EN
Application possibilities of thermoelectric force that forms at big temperature gradients in thin metal-oxide layers of semiconducting properties to record adsorption response in gas sensors have been investigated. It has been shown that the application of thermoelectric force makes possible to enhance measuring characteristics of gas sensors.
8
Content available remote Physical and technological preconditions of melting-crystallisation temperature stabilisation
Prokhorenko V., Prokhorenko S., Mudry S., Bylica A.
Archives of Materials Science and Engineering
|
2008
|
Vol. 32, nr 1
29-32
EN
Purpose: The precise temperature measurements need the using of temperature reference points - "temperature fixpoints" (TFP). The increase of measuring temperature interval and other reasons require of new TFP with high stability in different working conditions. On that reason the studying of liquid metals and metallic eutectic alloys has been carried out in this work. Design/methodology/approach: For experimental studies the physical properties measurements were used. Findings: Non-reproducibility of temperature fixpoints exist due to some reasons: no accounting the structural - thermodynamic state of melt; mass-heat processes are not enough taken into account. It is fixed, that the temperature fluctuations (and non-stability of crystallization plateau) are of two types: small fluctuations (up to (1-2) mK) are caused by phases (stages) of crystallization process; major fluctuations (at us: ±0,2K) crystallizations are caused convectional streams at the front. Fluctuations can be essentially reduced by approach to requirements of thermodynamic balance, but their complete elimination - is problematic. Research limitations/implications: The main parameters obtained from them are analysed. It is shown that melting-crystallization phase transition is influenced by structural state of melt and cooling condition. Practical implications: The results obtained here can be used in analysis of errors at high-precision temperature measurements and constructing of new temperature measuring and holding systems of high stability. Originality/value: The results of this study can be useful for researches in field of metrology, material science and physics of metals.
9
Content available remote Badania siły termoelektrycznej żeliwnych wałków rozrządu
Orłowicz W., Trytek A., Pająk D.
Archives of Foundry Engineering
|
2008
|
Vol. 8, iss. 1 spec.
237--240
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań żeliwnych wałków rozrządu silnika spalinowego z krzywkami utwardzonymi metodą odlewniczą. Na przekroju poprzecznym krzywek oceniono mikrostrukturę, twardość, oraz wartość siły elektrotermicznej.
EN
Papers present testing cam made for cast iron. It were measured microstructure, hardness and thermoelectric force.
10
Content available remote Study of valence state of U ion in the quasi-two dimensional ternary uranium compounds
Troć R.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
585--589
EN
The valence states and thermoelectric properties of two Ru-based uranium ternaries, namely U2Ru2Sn and U2RuGa8, have been studied. Intermediate-valence behaviour manifests themselves in broad peaks in the susceptibility, largely negative values of the paramagnetic Curie temperature and in the occurrence of maxima in the thermoelectric power. At the same time the specific heat data show no transition at low temperatures for both the compounds studied. The experimental results are fitted to the equations given in the literature relevant to a valence fluctuating state. The studied compounds are unique examples of such a state found for the first time among the huge family of known up to know uranium compounds usually being magnetically ordered at low temperatures.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.