Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu

Dziarski K.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

|

2018

|

Nr 59

47--50

PL

W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.

EN

When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.

2

Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)

Klamka J.

Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska

|

2017

|

nr 18

18--20

PL

W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).

EN

Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).

3

Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)

Klamka J.

Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska

|

2017

|

nr 19-20

19--22

PL

W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).

EN

Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).

4

The current-voltage characteristics of semiconductor diodes as they are made highly defected

Dehimi L., Sengouga N., Jones B. K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 12

18-21

EN

The standard textbook treatment of the conduction in a semiconductor diode as a diffusion current is only correct for diodes and the junctions of bipolar transistors if they have a very high quality. The presence of shallow or deep donors or acceptors affects the size of the depletion width and the size of the diffusion current but the qualitative form of the current remains. However, mid gap generation-recombination (g-r) levels in the depletion region give rise to a g-r current which is apparent at low voltages. At high currents there is also a decrease in the expected current because of the voltage dropped across the resistance of the semiconductor material between the terminals and the diode itself. Of particular interest here, the current in a diode with a very high concentration of g-r centres is very different. It is shown that this is Ohmic with a resistance depending on the dimensions and the intrinsic semiconductor properties and not on the properties of the junction itself. This analysis with Ohmic characteristic and mid gap Fermi level pinning may not have been appreciated in bipolar or Schottky diodes and Ohmic contacts made with high resistance, irradiated and semi-insulating materials.

PL

Typowy opis mechanizmu przewodzenia diod półprzewodnikowych polegający na przepływie prądu dyfuzyjnego jest poprawny jedynie dla diod i złączy tranzystorów bipolarnych o wysokiej jakości. Obecność donorów bądź akceptorów powierzchniowych lub położonych głębiej wpływa na szerokość warstwy zubożonej i tym samym na wielkość prądu dyfuzyjnego, aczkolwiek charakter prądu pozostaje taki sam. Jednakże poziomy generacyjno-rekombinacyjne, usytuowane w środku pasma zabronionego w warstwie zubożonej powodują powstanie prądu g-r uwidaczniającego się przy małych napięciach. Przy dużych prądach występuje także spadek oczekiwanej wartości prądu wskutek spadku napięcia na rezystancji materiału półprzewodnikowego pomiędzy wyprowadzeniami a samą diodą. Prąd diody o bardzo dużej koncentracji centrów generacyjno – rekombinacyjnych jest bardzo różny. Wykazano, że ma on charakter omowy (liniowy) z rezystancją zależną od rozmiarów i właściwości półprzewodnika a nie od właściwości samego złącza. Analiza zakładająca charakterystykę omową i poziom Fermiego usytuowany w środku warstwy zabronionej może jednakże nie być adekwatna dla diod bipolarnych i Schottkiego o kontaktach omowych wykonanych z materiałów o dużej rezystancji, napromieniowanych i półizolacyjnych.