Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The kinetics of high temperature degradation of thin chromium protective layers on valve steels

Drożdż M., Pawlak W., Grzesik Z.

Ochrona przed Korozją

|

2015

|

nr 7

254--257

EN

The oxidation kinetics of four valve steels (X33CrNiMn23-8, X50CrMnNiNbN21-9, X53CrMnNiN20-8 and X55CrMnNiN20-8) covered by a sputter-deposited chromium layer with the thickness of 1 micrometer have been studied at 1173 K in air, using the microthermogravimetric technique. It has been found that coated steels show better oxidation resistance than uncoated ones. This phenomenon is a result of the formation of highly protective Cr2O3 scales on surfaces of coated materials. It has been also demonstrated that the better oxidation resistance of coated steels is observed during a much longer period of time than the lifetime of the chromium layers.

PL

W pracy badano kinetykę izotermicznego utleniania w powietrzu czterech stali zaworowych (X33CrNiMn23-8, X50CrMnNiNbN21- 9, X53CrMnNiN20-8 i X55CrMnNiN20-8), pokrytych w procesie rozpylania jonowego warstwą chromu o grubości 1 mikrometra. Badania prowadzono metodą termograwimetryczną w temperaturze 1173 K. Stwierdzono, że stale z naniesioną warstwą chromu charakteryzują się większą odpornością na utlenianie niż stale nie poddane modyfikacji powierzchni. Rezultat ten jest wynikiem powstawania na modyfikowanych powierzchniowo stalach podczas procesu utleniania ochronnych warstw tlenku Cr2O3. Wykazano również, iż większa odporność na utlenianie modyfikowanych powierzchniowo stali trwa znacznie dłużej od okresu stabilności naniesionych warstw chromu.

2

Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów o strukturze stop metaliczny FeCoZr w matrycy dielektrycznej PbZrTiO3

Boiko O., Kotunowicz T.N.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2015

|

nr 3

65--70

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów zmiennoprądowych właściwości elektrycznych ziarnistych nanokompozytów o strukturze (FeCoZr)x(PZT)(100-x). Praca zawiera wstępną analizę parametrów elektrycznych (pojemność Cp, tangens kąta strat dielektrycznych tgδ, rezystancja Rp

EN

Here, the AC electrical properties measurements of (FeCoZr)x(PZT)(100-x) granular nanocomposites are studied. The work contains a preliminary analysis of the electrical parameters (capacitance Cp, loss coefficient tgδ, resistance Rp and phase angle θ) for nanocomposite samples with different metallic phase content x studied in the frequency range 50 Hz – 5 MHz and temperature range 15 K – 375 K. It was established that the AC phenomena are typical for the conventional RLC circuits

3

Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych

Lichograj R., Olchowik J. M., Lichograj P., Czernik S.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2015

|

z. 62, nr 2

275--287

PL

Powszechnie wiadomo, iż w oddziaływaniu fotonów z materią może dojść do odbicia, absorbcji i przenikania. W rozwiązaniach fotowoltaicznych, możliwość pomiaru i kontroli tych zjawisk na poziomie badań i produkcji ma kluczowe znaczenie w odniesieniu do ich późniejszej wydajności. Możliwość kontroli grubości warstw w czasie ich nanoszenia metodą napylania magnetronowego, czy też ich redukowania stosując trawienie plazmą, pozwala na dobór optymalnych parametrów optycznych i elektrycznych tworzonych ogniw cienkowarstwowych. W niniejszej pracy trawiono plazmą cienkie warstwy CdTe i SnO2, naniesione we wcześniejszym etapie metodą rozpylania magnetronowego w próżni. Określono parametry technologiczne napylania magnetronowego i trawienia plazmą wpływające na właściwości warstw. Warstwy obrazowano przy użyciu AFM, natomiast pomiary grubości i pomiary współczynnika odbicia dokonano z wykorzystaniem elipsometrii. Przeprowadzone badania wykazały, że trawienie plazmą cienkich warstw w istotny sposób wpływa na zmianę ich refleksyjności (zarówno warstwy półprzewodnika ditlenku cyny jak i tellurku kadmu). Wykazano również ścisły związek użytej mocy i czasu trawienia z redukcją grubości warstwy. Obrazowanie AFM uwidoczniło zmiany w wielkości i ilości ziaren powierzchni trawionych warstw i wzrost ich nieregularności ułożenia, wraz ze zmieniającymi się parametrami procesu. Stwierdzono możliwość całkowitego usunięcia cienkich warstw w procesie trawienia plazmą i w efekcie możliwość uszkodzenia podłoża warstw trawionych co jednak wymaga dalszych badań w tym zakresie.

EN

It is well known that the reaction of photons with matter may lead to reflection, absorption and permeation. In the photovoltaic solutions, the ability to measure and control these phenomena at the level of research and production is crucial in terms of their performance and quality. The ability to control the thickness of the layers at the time of applying magnetron sputtering method or the plasma etching using a reduction allows for selection of the optimum optical and electrical parameters of the formed thin-layer cells. In this study, plasma was digested with thin layers of CdTe and SnO2, deposited by magnetron sputtering in a vacuum. Technological parameters of magnetron sputtering and plasma etching affecting the properties of layers have been specified. The layers were imaged using AFM, and the measurements of the thickness and reflectance measurements were made with the use of ellipsometry. The study showed the plasma etching of thin layers is an important contribution to change their reflectivity (both layers of semiconductors - tin dioxide and cadmium telluride). It was demonstrated the close relationship of the applied power and etching time with the reduction of the layer thickness. AFM imaging revealed changes in the size and number of grains etched surface layers and an increase of their irregular arrangement, together with changing process parameters. The possibility of complete removal of thin layers of plasma etching process, resulting in possible damage to the substrate etched layers has been stated, however, it requires further research in this area.

4

Equivalent circuits for FeCoZr-Al2O3 nanocomposite films deposited in argon and argon-oxygen atmospheres deposited in argon and argon-oxygen atmospheres

Koltunowicz T., Zhukovski P., Bury P., Larkin A., Fedotova J., Fedotov A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 4a

93-95

EN

The investigation of the equivalent circuits for granular nanocomposite films was performed according to the method of the impedance spectroscopy. The films, consisted of the Fe0.45Co0.45Zr0.10 ferromagnetic alloy nanoparticles embedded into amorphous dielectric alumina matrix, were deposited in pure argon or argon and oxygen mixture. The temperature dependences of active and reactive components in the equivalent circuits for the (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposite films are compared and analyzed. The presence of the inductive part in the equivalent circuits for the samples deposited in Ar gas below and beyond percolation threshold is shown. It is revealed that the equivalent circuits of the (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposites produced in argon + oxygen gas mixture show more strong inductive contribution than ones sputtered in pure argon.

PL

Przeprowadzono badania układów zastępczych ziarnistych nanokompozytowych warstw zgodnie z wymaganiami metody spektroskopii impedancyjnej. Warstwy, złożone z ferromagnetycznych stopów nanocząstek Fe0,45Co0,45Zr0,10 osadzonych w amorficznym podłożu dielektrycznym, zostały wytworzone w atmosferze czystego argonu lub mieszaninie argonu i tlenu. Dokonano analizy porównawczej temperaturowych zależności składowej czynnej i biernej w układach zastępczych nanokompozytowych warstw (Fe0,45Co0,45Zr0,10)x(Al2O3)(1-x). W przypadku próbek powyżej oraz poniżej progu perkolacji wytworzonych w atmosferze argonu wykazano obecność składowej indukcyjnej w układzie zastępczym. Zaobserwowano również, że układy zastępcze nanokompozytów (Fe0,45Co0,45Zr0,10)x(Al2O3)(1-x) wytworzonych w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu charakteryzują się znacznie silniejszym udziałem indukcyjności w porównaniu z warstwami naniesionymi w atmosferze czystego argonu.

5

Techniki rozpylania magnetronowego DC, MF i RF do nanoszenia cienkich warstw WO3

Jankowski H., Marszałek K., Sokulski J., Zabila Y., Stapiński T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 10

79-81

PL

Cienkie warstwy elektrochromowe są obecnie intensywnie badane z powodu ich potencjalnych zastosowań w systemach optycznych szczególnie z zasilaniem fotowoltaicznym. Tlenek wolframu jest najbardziej obiecującym materiałem ze względu na swoje właściwości optyczne. W niniejszej pracy przedstawiono szczegóły technologiczne nanoszenia tlenku wolframu różnymi metodami magnetronowego rozpylania jonowego; DC (stałoprądowego), MF (impulsowego) i RF (częstości radiowej). Rozpylanie było prowadzone z użyciem metalicznej tarczy wolframowej dla różnych składów mieszanki gazowej Ar/O2. Jednym z badanych parametrów rozpylania była prędkość rozpylania w funkcji mocy wyładowania. Otrzymano wartości zmieniające się od 5 nm/mim to 20 nm/min dla różnych technik nanoszenia i mocy od 200 W do 1 kW. W celu uzyskania warstw krystalicznych prowadzono wygrzewanie otrzymanych warstw po naniesieniu w temperaturach 380...450°C w powietrzu. Badania strukturalne prowadzono metody dyfraktometrii rentgenowskiej a badanie morfologii powierzchni metoda mikroskopii sił atomowych.

EN

Thin film electrochromic films are nowadays produced and investigated due lo their application in different optical systems with possible photovoltaic supply Between them metallic oxides WO3 are the most promising because of excellent optical parameters. This paper presents details of magnetron sputtering technology for WO3 thin film preparation. All types it means DC (direct current sputtering), MF (pulsed magnetron sputtering) and RF (radio frequency sputtering) were tested as preparation method Films were deposited from metallic tungsten target in Ar/O2 gas mixture to realize reactive sputtering process of WO3 film nucleation. One of the tested sputtering parameter was power supply (starting from 200 W to 1 kW). Deposition rate were calculated for all deposition method and was found from 5 nm/min to 20 nm/min. Deposition process was realized in ambient substrate temperature for all sputtering method. Cristal structure was defined by x-ray diffraction for all WO, films after post deposition annealing in 380 to 450°C air atmosphere. Surface properties of sputtered films were investigated by means of atomic force microscopy AFM.

6

Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE

Pyszniak K., Gluba Ł., Turek M., Droździel A., Filiks J., Wójtowicz A., Żuk J., Mączka D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

50-52

PL

Omówiono zastosowanie metody PIPE (Particie Induced Photon Emission) do wyznaczania rozkładów głębokościowych domieszek. Omawiana metoda pozwala również na dość dokładne wyznaczanie współczynników rozpylania... Artykuł zawiera opis stosowanej aparatury, krótkie omówienie procedury pomiarowej, oraz porównanie otrzymanych wyników z symulacjami komputerowymi.

EN

The application of PIPE (Particle Induced Photon Emission) method for dopant depth profiling is described. The method gives also a possibility to determine sputtering yields for targets. The paper contains the description of an experimental setup and the applied method, as well as the comparison of the obtained results with computer simulations.

7

Symulacja komputerowa właściwości elektrycznych nanokompozytów (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytwarzanych rozpylaniem jonowym

Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

28-31

PL

W pracy przedstawiono symulację komputerową przewodności skokowej oraz doświadczalną weryfikację częstotliwościowych zależności właściwości elektrycznych w nanokompozytach (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x wytwarzanych przy użyciu rozpylania jonowego w atmosferze argonu i tlenu. Ustalono, iż uzyskane doświadczalne zależności konduktywności w funkcji częstotliwości odpowiadają krzywym uzyskanym na drodze symulacji komputerowych.

EN

The paper presents computer simulation of hopping conductivity and experimental verification of electrical properties vs. frequency dependences in (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x nanocomposites produced by means of ion sputtering in the atmosphere of argon and oxygen. It has been established that experimentally obtained dependences of conductivity as a function of frequency correspond to curves obtained by means of computer simulation.

8

Określenie wymiarów nanocząsteczek fazy metalicznej i odstępów dielektrycznych w nanomateriałach (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytworzonych rozpylaniem jonowym

Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

25-27

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań przewodnictwa wlaściwego nanokompozytów (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytworzonego rozpylaniem kombinowaną wiązką jonów argonu i tlenu o różnych zawartościach fazy metalicznej x. Określono częstotliwościowe i temperaturowe zależności przewodnictwa właściwego dla prądu zmiennego. Z uzyskanych zależności doświadczalnych określono prawdopodobieństwo przeskoku elektronu p oraz energie aktywacji przeskoku elektronu ΔΕρ w badanych nanokompozytach, na podstawie których określono średnie długości przeskoku elektronu r i średnie wymiary nanocząsteczek D.

EN

The paper presents results of investigations into conductivity of (CoFeZr)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, nanocomposites produced by means of ion sputtering with a combined beam of argon and oxygen ions of varied metallic phase content x. Frequency and temperature dependences of conductivity have been determined for alternating current. Based on the obtained experimental dependences electron jump probability p has been determined as well as values of electron jump activation energy ΔΕρ in the tested nanocomposites, which have made a basis for the determination of mean electron jump lengths r and mean dimensions of nanoparticles D.

9

Sterownik procesu rozpylania pracujący w środowisku LabVIEW

Marszałek K., Sobków Z. S., Ciotuń J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

102-104

PL

W pracy przedstawiono nowy typ układu do sterowania procesem magnetronowego rozpylania jonowego zrealizowanego w środowisku LabVIEW. Pozwala on na łatwe sterowanie i monitorowanie pracy takich urządzeń jak pompy próżniowe, zawory, zasilacze wysokiego napięcia, silniki liniowe i krokowe oraz różnego typu urządzenia pomiarowe. Wykorzystane narzędzia programowe pozwalają na monitorowanie statusu poszczególnych urządzeń oraz parametrów procesu zarówno w formie graficznej jak i numerycznej. Możliwa jest również obserwacja parametrów zarówno w czasie rzeczywistym jak i zapis charakterystyk czasowych dla dowolnego urządzenia. Prezentowany sterownik został wykorzystany do kontroli procesu jonowego rozpylania magnetronowego. Środowisko graficzne LabVIEW umożliwia stworzenie elastycznych algorytmów sterowania procesem. Staje się ono standardowym narzędziem programowania wykorzystywanym zarówno dla systemów laboratoryjnych [1] jak i przemysłowych [2,3].

EN

A new family of control devices for magnetron sputtering processes working in a graphical LabVIEW environment is presented in this paper. The system could easily control external devices like pumps, valves, motors, power supplies etc. as well as different types of measuring devices. Using the programming tools one can check the status of different devices and process parameters in both graphical and numerical form. Real time visualisation and post process analysis are possible to use for every single device existing in the system or a process parameter. The control system was designed for the reactive magnetron sputtering. LabVIEW graphical language allows for an easy implementation of any changes of the process algorithm. This package becomes a standard for designing both laboratory [1] and industrial [2] systems.

10

Formation of thin polyaniline films by means of ionic sputtering in crossed electromagnetic field

Hotra Z., Stakhira P., Shandra Z., Cherpak V., Kremer I., Volynyuk D., Skoczylas M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 6

184-185

EN

The technological condition for polyaniline thin films deposition by me ans of ionic sputtering in argon atmosphere is considered. As result polyaniline films of conductive emeraldine form was obtained.

PL

W artykule przeanalizowano uwarunkowania technologiczne osadzania cienkich warstw polianiliny metodą rozpylania jonowego. W rezultacie otrzymano warstwy polianiliny w postaci przewodzącej emeraldyny.

11

Struktura geometryczna powierzchni stali i tytanu rozpylanej szeroką wiązką jonów

Kowalski Z. W., Martan J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 10

41-42

PL

Badanie struktury geometrycznej powierzchni (SGP), której podstawowymi parametrami są chropowatość oraz - rzadziej badane - falistość i wady powierzchni jest jednym z ważniejszych zagadnień związanych z modyfikacją powierzchni ciała stałego. Charakter SGP materiału zależy od rodzaju stosowanego procesu technologicznego. W opracowaniu zaprezentowano wyniki badań dotyczących wpływu bombardowania jonowego na charakter SGP. W badaniach tych wykorzystano szeroką wiązkę jonów argonu o względnie małej energii 800 eV do rozpylania powierzchni stali i tytanu oraz metodę analizy harmonicznych profilu powierzchni poddanej bombardowaniu.

EN

Investigation of surface geometrical structure (SGS) with its main components: roughness and less known and rarely investigated waviness and surface defects is one of the more important problems connected withsolid surface modification. SGS of the material depends on technological process used in the experiment. In this work the influence of ion beam bombardment on SGS character is presented. In the study broad 800 eV argon ion beam to sputter steel and titanium surfaces as well as harmonic analysis method, borrowed from electrical engineering, was utilized.

12

Stanowisko do badania rozpylania jonowego wiązkami średniej energii

Pyszniak K., Turek M., Droździel A., Sielanko J., Mączka D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 10

51-54

PL

Przedstawiono nowe stanowisko pomiarowe, skonstruowane w Instytucie Fizyki UMCS, służące do badania procesu rozpylania w trakcie bombardowania ciał stałych wiązkami jonów o średnich energiach. Zaprezentowano szczegółową analizę doboru parametrów pracy układu, mającą na celu uzyskiwanie dobrej jakości widm masowych rozpylanych substancji, przy jednocześnie zadowalającej wartości natężenia mierzonych prądów jonowych.

EN

In the paper new experimental apparatus for ion beam sputtering studies is presented. The set-up employs medium energy (20...70 keV) ion beams produced by electromagnetic mass separator. The detailed analyze of work parameters optimization is described. The goal of the optimization is to obtain good-quality mass spectra of sputtered substances keeping satisfactory level of sputtered ions current.

13

Hydroxyapatite coated dental implants by sputtering technique

Ozeki K., Fukui Y., Aoki H.

Biocybernetics and Biomedical Engineering

|

2006

|

Vol. 26, no. 1

95-101

EN

Hydroxyapatite (HA) was coated onto titanium substrates using radio frequency sputtering, and the coated HA films were crystallized in autocIave at 110°C using the low temperature hydtrothermal method. In pull-out tests, the adhesion strength of the sputtered film to the substrate increased from 1.9 : 0.2 to 5.3 : 1.6 MPa after the hydrothermal treatment. Sputtered films subjected to the hydrothermal treatment and plasma-sprayed coating on titanium columns were implanted in the diaphysis of the femora of six adult dogs, and pull-out tests were carried out after two, four, and 12 weeks. The sputtered film showed a higher bone bonding strength than the plasma-sprayed coating at the same periods. The coated implants were also placed into mandibles for 2,4, 12 and 24 weeks for histological examination. In the histological examination, connective tissue was noted after 2 and 4 weeks around the controls, whereas, in the sputter-coated implant, new bone formation was noted after 2 and 4 weeks, without any connective tissue.

14

Przygotowanie mikroskopu sił atomowych do pomiarów nanochropowatości powierzchni rozpylanej jonami : wstęp do analizy fraktalnej

Marendziak A., Gotszalk T., Rangelow I. W., Wilk J., Kowalski Z. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 6

15-17

PL

W opracowaniu przedstawiono wyniki wstępnych badań nad wpływem bombardowania jonowego na zmiany nanochropowatości powierzchni. Skoncentrowano się na podstawowych parametrach, opisujących cechy wertykalne profilu chropowatości, takich jak: średnie arytmetyczne odchylenie profilu chropowatości Ra i średnie kwadratowe odchylenie profilu Rq oraz na dwóch powszechnie stosowanych materiałach - stali nierdzewnej i tytanie. W badaniach stosowano jarzeniowe źródło z wnękową anodą, wytwarzające zneutralizowaną wiązkę jonów kryptonu o energii sięgającej kilku kiloelektronowoltów. Celem było badanie możliwości zastosowania opracowanego na Wydziale mikroskopu sił atomowych oraz oprogramowania do pomiarów nanochropowatości rozpylanej jonami powierzchni i w dalszej kolejności, jej analizy fraktalnej.

EN

This work presents results of initial studies on the influence of ion bombardment on surface nanoroughness modification. We concentrated on most often utilized in the world basic parameters describing vertical features of roughness profile, i.e.: arithmetical mean deviation of the surface profile Ra and the root mean square value of the surface roughness Rq as well as on two commonly used materials - stainless steel and titanium. In our research glow discharge ion gun with hollow anode generating neutralized krypton ion-beam with energy up to several keV was applied. The aim of the work was to investigate the possibility of application of atomic force microscope and software made in our department to nanoroughness measurements of ion sputtered surface and, in the next stage, after gathering sufficient amount of scientific material, its fractal analysis.

15

Badania profilometryczne mikrochropowatości powierzchni tytanu rozpylanej jonami jako wstępny etap jej analizy fraktalnej

Bałamucki J., Czarnecki P., Wilk J., Kowalski Z. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 6

31-32

PL

Przedstawiono wyniki badań wpływu rozpylania polikrystalicznego tytanu zneutralizowaną wiązką jonów kryptonu na mikrochropowatość jego powierzchni. Mierzono za pomocą wysokiej klasy profilometru parametry opisujące podstawowe cechy profilu: średnie arytmetyczne odchylenie profilu chropowatości Ra, wysokość chropowatości według 10 punktów Rz i maksymalną wysokość chropowatości Rm, udział nośny profilu tp. Analizowano wpływ czasu bombardowania oraz długości odcinka elementarnego (wzdłuż którego wyznaczane są parametry) na zmianę wartości tych parametrów. Przeprowadzone badania i uzyskane wyniki stwarzają możliwość analizy fraktalnej powierzchni tytanu poddanej rozpylaniu zneutralizowaną wiązką jonów kryptonu.

EN

The article presents results of studies on the influence of neutralized krypton ion-beam sputtering of polycrystalline titanium on its surface microroughness. Parameters describing the main profile features were measured by means of high quality profiometer: arithmetical mean deviation of the surface profile Ra, ten point height of irregularities Rz and maximum height of the surface profile Rm, profile bearing length ratio tp. The influence of bombardment duration and length of elementary segment (the parameters in question are measured along this segment) on those parameters changes were analysed. Experimentation and obtained results give possibility of fractal analysis of titanium surface subjected to neutralized krypton ion-beam sputtering.

16

Analiza fraktalna powierzchni stali poddanej rozpylaniu jonowemu

Kowalski Z. W., Martan J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 6

28-30

PL

Analiza fraktalna zjawisk zachodzących podczas bombardowania jonowego ciała stałego zajmuje wśród publikacji poświęconych fraktalom niewiele miejsca. Prace prowadzone w tym zakresie są nieliczne, szczególnie dotyczące analizy fraktalnej struktury geometrycznej powierzchni (SGP) materiałów poddanych bombardowaniu jonami o względnie małej energii (rozpylanie jonowe). Opracowanie koncentruje się na mikrochropowatości powierzchni stali poddanej rozpylaniu jonami argonu o energii 800 eV.

EN

Publications on fractal analysis of phenomena occurring during ion bombardment of solid are only a small part of scientific papers relating to fractals. Only a few of papers deal with that problem, especially the problem of geometrical structure of materials bombarded with the use of relatively low energy ions (ion sputtering). This article is concentrated on steel surface microroughness induced by 800 eV argon ion sputtering and this is an attempt to fill existing gap.

17

Fraktalna analiza profilu chropowatości powierzchni

Kowalski Z. W., Martan J., Tabaka R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 11

19-20

PL

Rozpylanie jonowe, występujące podczas bombardowania powierzchni ciała stałego jonami, wpływa na strukturę geometryczna tej powierzchni. Jednym z ważniejszych elementów struktury geometrycznej jest chropowatość powierzchni. Do jej analizy coraz częściej i chętniej wykorzystywany jest rachunek fraktalny. W niniejszej pracy omówiono wpływ zmian profilu powierzchni i wysokości nierówności na wymiar fraktalny analizowanej powierzchni. Wyniki teoretyczne porównano z danymi doświadczalnymi

EN

Ion sputtering is one of the effects occurring during ion bombardment of solid state surfaces. The geometrical structure of the surface is affected by ion sputtering. It is possible to analyse the roughness of the surface by use of fractals. In this paper the influence of the profiles changes and height of the irregularities of surface on the fractal dimension is presented.

18

Mikrosystem z procesorem sygnałowym do eliminacji mikrowyładowań w procesach PAPVD

Mrozek M.

Problemy Eksploatacji

|

2002

|

nr 3

83-92

PL

W artykule przedstawiono sposób realizacji mikrosystemu opartego o procesor sygnałowy DSP, który służy do monitorowania natężenia przepływającego prądu i eliminacji mikrowyładowań powstających na detalach obrabianych metodami PAPVD. Pomiar prądu odbywa się przez przetwornik prąd-napięcie bezstykowo, co zapewnia galwaniczną separację od obwodu sterowania. Sygnał napięciowy jest następnie zamieniany na postać cyfrową w przetworniku analogowo-cyfrowym i wprowadzany do procesora DSP. Zadaniem procesora jest analiza wartości prądu, rozpoznanie stanu tuż przed wystąpieniem mikrowyładowania i realizacja algorytmu sterowania wyjścia z modulacją szerokości impulsu (PWM). Uzyskano czas przetwarzania poniżej 1 mikrosekundy. Układ znalazł zastosowanie w stanowisku badawczym do monitorowania mikrowyładowań występujących w próżniowych procesach plazmo-chemicznych nanoszenia twardych powłok przeciwzużyciowych.

EN

The paper describes the design of control system based on Digital Signal Processor. The system continuously measures current flowing in monitored circuit. Measurement circuit is galvanically separated from current circuit. Obtained analog voltage signal is converted to digital from and delivered to DSP processor. The processor compares the current values with set values and controls circuit supply voltage trough pulse width modulation method. Response time is below 1 micro second which allows you to appropriate shut down of output voltage. System is implemented for monitoring arc discharges in a test stand for anti-wear layers deposition.

19

Study of microwave properties of Y1Ba2Cu3O7-x superconducting thin films: fundamental and applied aspects

Siejka J., Garcia-Lopez J., Mage J. C., Lemaitre Y., Marcilhac B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 11

23-26

EN

Fundamental aspects of these studies are illustrated by the search for correlations between the mechanism of Y1Ba2Cu3O7-x (YBCO) thin film growth, atomic composition and practicularly the oxygen composition, measured by nuclear micro-analysis, and physical properties. The applied aspects of these studies concern the optimization of the YBCO film growth conditions and of the technologies for circuit fabrication, which enables the preparation by Thomson of filtres and resonators based on the use YBCO super conducting elements. Some of these results are presented.

PL

W pierwszej części artykułu przedstawiono badania zależności mechanizmu wzrostu warstw Y1Ba2Cu307-x (YBCO) od ich składu atomowego, szczególnie zawartości tlenu. Warstwy wytwarzano na monokrystalicznych podłożach z LaAIO3 i MgO metodą reaktywnego rozpylania jonowego polikrystalicznej ceramiki YBCO o składzie stechiometrycznym. Skład i mikrostrukturę warstw określano metodami RBS i NRA, a parametry elektryczne mierzono wykorzystując metodę pomiaru rezystancji powierzchniowej i odpowiednie metody magnetyczne. Uzyskano warstwy wykazujące się zarówno efektem nadprzewodnictwa na skutek kontrolowanych warunków wzrostu, jak i chłodzenia, co zapewnia odpowiednią zawartość tlenu w warstwie. Aspekty praktyczne pracy omówiono w oparciu o optymalizację procesu wzrostu warstw YBCO z punktu widzenia ich zastosowania do produkcji układów filtrów i rezonatorów opartych na nadprzewodzących elementach YBCO.

20

Advantages of face-to-face sputtering technique for preparation of magnetic alloys and multilayered films

Stobiecki F., Szymański B., Luciński T., Urbaniak M., Dubowik J., Gontarz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 11

29-32

EN

A comparison of face-to-face and magnetron sputtering systems is presented. Low argon pressure, high sputtering rates that can be achieved also for ferromagnetic materials and convenient substrate position (outside the plasma area) are the principal advantages of the face-to-face sputtering configuration. It was demonstrated that such the sputtering system can be successfully used for deposition of several types of magnetic thin film structures such as alloy films, compositionally modulated films and multilayered films exhibiting perpendicular anisotropy or giant magnetoresistance effect.

PL

Opisany został proces nanoszenia cienkich warstw, prowadzony z dwóch targetów położonych naprzeciw siebie (face-to-face sputtering), na podłoże usytuowane prostopadle do ich powierzchni. Pole magnetyczne prostopadłe do powierzchni targetów zapewnia skupoenie plazmy w obszarze miedzy nimi oraz zwiększa prawdopodobieństwo jonizacji gazu. Konfiguracja ta, w porównaniu z magnetronowymi ukladami rozpylania, pozwala prowadzić proces osadzania warstw przy niższym cisnieniu gazu, uzyskać wyzsze szybkości nanoszenia dla materiałów ferromagnetycznych oraz zapewnia mniejsze bombardowanie podłoża elektronami. Odpowiedni dobór geometrii układu (średnice targetów, odległość między targetami, usytuowanie podłoża) pozwala uzyskać warstwy o jednorodnym rozkładzie grubości lub o zamierzonym gradiencie grubości. Warstwy stopowe o stężeniu regulowanym potencjałem targetów moga być otrzymywane przy wykorzystaniu do tego celu targetów wykonanych z czystych pierwiastków. System złożony z czterech targetów (dwie pary targetów w konfiguracji face-to-face) pozwala wytwarzać warstwy wielokrotne, złożone z subwarstw o grubościach kilku stałych sieciowych, charakteryzujące sie wysoką powtarzalnością periiodu oscylacji stężenia. Dzięki temu mozliwe było wykorzystanie opisanej techniki nanoszenia warstw do uzyskania magnetycznych układów warstowowych, charakteryzujących się anizotropią prostopadłą do powierzchni warstwy (warstwy do zastosowań w pamięciach magneto-optycznych) lub wykazujących zjawisko gigantycznej magnetorezystancji.