PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 25

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  rezystancja termiczna
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Analiza przydatności metody histerezowej do wyznaczania strat mocy w rdzeniu ferromagnetycznym
Detka Kalina, Górecki Krzysztof
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
139--142
PL
W pracy przeanalizowano przydatność metody wyznaczania strat mocy w materiałach magnetycznych bazującej na pomiarze pola powierzchni pętli histerezy. Dodatkowo zastosowano model Steinmetza w celu weryfikacji zakresu częstotliwości i amplitudy indukcji, dla których model ten pozwala na poprawne wyznaczenie strat mocy w materiale magnetycznym. Wykorzystując straty mocy w rdzeniu wyznaczone przy zastosowaniu metody histerezowej zbadano wpływ amplitudy indukcji magnetycznej na rezystancję termiczną rdzeni ferromagnetycznych. Do badań wykorzystano 2 rdzenie toroidalne o podobnych rozmiarach wykonane z różnych materiałów ferromagnetycznych, tj. sproszkowanego żelaza (-26) oraz ferrytu SM-100. Z przeprowadzonych badań wynika, że zastosowanie metody histerezowej powoduje nawet siedmiokrotne zawyżenie wartości strat mocy w rdzeniu. Obliczenia przy zastosowaniu modelu Steinmetza pozostają w dobrej zgodności z danymi katalogowymi dla rdzenia wykonanego ze sproszkowanego żelaza.
EN
The paper analyzes the usefulness of the method of determining power losses in magnetic materials based on the measurement of the hysteresis loop surface area. Additionally, the Steinmetz model was used to verify the range of frequency and the induction amplitude, for which this model allows for the correct determination of power losses in the magnetic material. Using the power losses in the core determined with the hysteresis method, the influence of the magnetic flux density on the thermal resistance of ferromagnetic cores was investigated. Two similar-sized toroidal cores made of different ferromagnetic materials (powdered iron (-26) and SM-100 ferrite) were used for the investigation. The obtained results show that the application of the hysteresis method causes even a sevenfold increase in the value of the power dissipated in the core. Calculations using the Steinmetz model are in good agreement with the catalog data for a core made of powdered iron.
2
Content available remote Wpływ wyboru parametru termoczułego na zmierzone wartości rezystancji termicznej tranzystora IGBT
Górecki Krzysztof, Górecki Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
106--109
PL
W pracy przeanalizowano problem doboru parametru termoczułego na wynik pomiaru rezystancji termicznej tranzystora IGBT. Przedstawiono metody wykonywania pomiaru rezystancji termicznej tego tranzystora przy wykorzystaniu w charakterze parametru termoczułego napięcia między bramką a emiterem lub napięcia na spolaryzowanej w kierunku przewodzenia diodzie antyrównoległej. Przedyskutowano czynniki wpływające na dokładność pomiaru realizowanego przy wykorzystaniu tych metod. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów rozważanych parametrów uzyskanych przy wykorzystaniu omawianych metod dla różnych warunków chłodzenia badanego tranzystora. Oceniono uzyskane rozbieżności między tymi wynikami pomiarów.
EN
In this paper the problem of the selection of the thermo-sensitive parameter on the result of the measurement of thermal resistance of the IGBT is analysed. Methods of the measurements of thermal resistance of this transistor using the voltage between the gate and the emitter or voltage on forward biased antiparallel diode as the thermo-sensitive parameters are presented. Factors influencing measuring error of the considered measurement methods are discussed. Measurement results of thermal resistance obtained with the use of considered methods for different cooling conditions of the tested transistor are presented and discussed. Obtained differences between these results of measurements are evaluated.
3
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Szelągowska Joanna, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 2
178--181
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
4
Content available remote Zagadnienia termiczne przy konstrukcji urządzeń iskrobezpiecznych w ujęciu norm i dyrektyw
Chmielarz S., Molenda T., Korski W., Oset K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 10
221--225
PL
Artykuł przedstawia formalne aspekty dotyczące projektowania urządzeń, których budowa przeciwwybuchowa osiągana jest poprzez iskrobezpieczeństwo. Szczegółowo zostały rozważone zagadnienia związane z temperaturą elementów i powierzchni. Przedstawione zostały stawiane w tym zakresie wymagania oraz środki i sposoby ich spełnienia przewidziane przez normy i dyrektywy.
EN
The article presents formal aspects of designing intrinsically safe explosion-proof apparatus, with main focus on requirements towards temperatures of elements and surfaces. Formal requirements as stated by normative documents, as well as means of fulfilling them and possible pitfalls, are addressed.
5
Content available A new method for calculation of high-temperature capacitors thermal resistance
Hapka A.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2016
|
Nr 9
99--106
EN
In this paper, issues related to the self-heating phenomenon in high-temperature capacitors are described. Measurements of capacitance and parasitic resistance, as a function of frequency and ambient temperature of considered capacitors are presented. Novel procedures for calculation of internal temperature changes are proposed and a novel method for acquiring thermal resistance values is developed and its numerical error is estimated.
PL
W niniejszej pracy, opisano zagadnienia związane ze zjawiskiem samonagrzewania w kondensatorach wysokotemperaturowych. Przedstawiono wyniki pomiarów pojemności i oporności pasożytniczej wybranych kondensatorów w funkcji częstotliwości i temperatury otoczenia. Zaproponowano nową metodę obliczania zmian temperatury wewnątrz elementu oraz wyznaczania jego rezystancji termicznej. Oszacowano błędy numeryczne proponowanej metody.
6
Content available remote Parametry cieplne wybranych paneli fotowoltaicznych
Krac E., Górecki K.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
92--98
PL
W artykule przedstawiono metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej paneli fotowoltaicznych. Omówiono sposób realizacji wymienionej metody oraz zaprezentowano uzyskane wyniki pomiarów parametrów cieplnych wybranych paneli fotowoltaicznych. Przedyskutowano również wpływ wybranych czynników na przebiegi przejściowej impedancji termicznej rozważanych paneli fotowoltaicznych.
EN
The article presents the method of measuring the transient thermal impedance and thermal resistance of photovoltaic panels. Implementation of said method has been discussed as same as the results of measurements of thermal parameters of selected photovoltaic panels. Moreover, the impact of selected factors on transient thermal impedance of mentioned photovoltaic panels is also discussed.
7
Content available Rezystancja termiczna diod led a wiarygodność danych katalogowych
Wesołowski M., Skrzypczak P., Hauser J.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2016
|
Z. 272
6--20
PL
Współczesne diody LED charakteryzują się imponującymi parametrami eksploatacyjnymi, zarówno w odniesieniu do generowanych strumieni świetlnych, jak i sprawności przetwarzania energii elektrycznej. Jednak w wielu przypadkach, parametry podawane w notach aplikacyjnych, nie są możliwe do osiągnięcia. Fakt ten wynika z prezentacji tych danych w warunkach cieplnych nie występujących podczas normalnej eksploatacji. W niniejszym artykule analizie poddano problematykę skutecznego odprowadzania ciepła z złącz p-n, do obudów diod. Intensywność tego procesu zależna jest od tzw. rezystancji termicznej, będącej jednym z istotnych parametrów podawanych w notach katalogowych. Z uwagi na znaczną liczbę awarii, zwłaszcza tanich diod LED, podjęto próbę oceny rzeczywistych wartości rezystancji termicznych tych elementów oraz porównanie ich z wartościami podawanymi w katalogach.
EN
Today’s LEDs are characterized by high exploitation parameters. Both light intensities and efficiencies are the highest in the comparison to other light sources. However, in many cases, parameters given in application notes are impossible to reach. In the article, some aspects of thermal energy dissipation from p-n junctions were discussed. Some methods for the measurements of the thermal resistance of LED junctions were presented. The measurement results were compared to application data.
8
Content available remote Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Lipińska L., Krzyżak K., Dąbrowski A., Sobczak G., Kozłowska A., Matkowski P., Młożniak A., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
1-4
PL
Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm.
EN
It has been shown that covering side walls of a laser diode’s chip with graphene oxide (GO) results in reduction of the laser diode's thermal resistance. Reduction of the temperature of the diode itself is also observed. In turn, additional covering the n-contact of the chip with GO results in the diode's temperature increase. On the other hand, alternative application of a chemical graphene layer in this place gives further temperature decrease. This can be explained by much higher emissivity of graphene layer compared to GO. The shifts of lasing spectral characteristics (in the 880 nm band) as well as changes in chip's deflection connected with GO and graphene applications are also shown.
9
Thermal resistance of LED diodes : precission of catalogue data
Wesołowski M., Skrzypczak P., Hauser J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 12
45-49
EN
Today’s LED’s are characterized by high exploitation parameters. Both light intensities and efficiencies are highest in comparison to other light sources. But, in many cases, parameters given in application notes are impossible to reach. In the article some aspects of thermal energy dissipation from p-n junctions were discussed. Some methods for measurements of thermal resistance of LED junctions were presented. Measurements results were compared to application data.
PL
Współczesne diody LED charakteryzują się imponującymi parametrami eksploatacyjnymi, zarówno w odniesieniu do generowanych strumieni świetlnych, jak i sprawności przetwarzania energii elektrycznej. Jednak w wielu przypadkach, parametry podawane w notach aplikacyjnych, nie są możliwe do osiągnięcia. Fakt ten wynika z prezentacji tych danych w warunkach cieplnych nie występujących podczas normalnej eksploatacji. W niniejszym artykule analizie poddano problematykę skutecznego odprowadzania ciepła z złącz do obudów diod. Intensywność tego procesu zależna jest od tzw. rezystancji termicznej, będącej jednym z istotnych parametrów podawanych w notach katalogowych. Z uwagi na znaczną liczbę awarii, zwłaszcza tanich diod LED, podjęto próbę oceny rzeczywistych wartości rezystancji termicznych tych elementów oraz porównanie ich z wartościami podawanymi w katalogach.
10
Content available System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
Bisewski D., Zarębski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 12
1150--1153
PL
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
EN
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
11
Content available Analysis and verification of integrated circuit thermal parameters
Frankiewicz M, Gołda A., Kos A.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2014
|
nr 4
11--15
EN
The paper describes thermal model of an ASIC designed and fabricated in CMOS 0.7 µm (5 V) technology. The integrated circuit consists of analogue and digital heat sources and some temperature sensors. It has been designed to carry out some thermal tests. During tests thermal resistances, capacities, time constants and convection coefficients for different packages, positions and cooling methods were extracted. The parameters of thermal model were used in simulation to compare results with real-world measurements.
PL
Artykuł opisuje model termiczny układu ASIC zaprojektowanego i sfabrykowanego w technologii CMOS 0,7 µm (5 V). Układ scalony składa się z analogowych i cyfrowych źródeł ciepła oraz czujników temperatury a został zaprojektowany w celu wykonywania testów termicznych. Podczas przeprowadzonych testów zmierzone zostały rezystancja termiczna, pojemność termiczna, termiczna stała czasowa i uogólniony współczynnik konwekcji dla różnych wariantów obudowy, jej położenia i metody chłodzenia. Parametry modelu termicznego zostały użyte w symulacjach w celu porównania wyników z rzeczywistymi pomiarami.
12
Investigation of integrated circuit thermal parameters for different package configurations
Frankiewicz М., Gołda A., Kos A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 1
13-15
PL
Artykuł opisuje zmiany parametrów termicznych układu scalonego zaprojektowanego w technologii CMOS 0,7 μm. Testowany układ typu ASIC dedykowany do pomiarów zjawisk termicznych zawiera sterowane źródła ciepła i czujniki temperatury rozproszone po powierzchni układu scalonego. Układ został przebadany w różnych konfiguracjach typu obudowy, jej położenia i rodzaju chłodzenia. Rezultaty zostały zebrane przez dedykowany mikrokontrolerowy układ pomiarowy i przesłane do komputera w celu akwizycji i prezentacji danych. Wyniki wskazują na istotność warunków pracy układu i jego temperatury na zachowanie termiczne układu scalonego.
EN
The paper investigates changes of parameters of RC thermal parameters of integrated circuit designed in CMOS 0.7 μm technology. The chip under tests is an ASIC dedicated for measurements of thermal phenomena in integrated circuits and consists of several heat sources and temperature sensors spread over the circuit area. The chip is tested for several different package, position and cooling configurations. The results are gathered by microcontroller-based measurement system and sent to PC application for acquisition and presentation. Results indicate importance of work environment and its influence on temperature of the integrated circuit and its thermal behaviour.
13
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Kopyt P., Wojtasiak W., Gryglewski D., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
22-25
PL
W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.
EN
In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.
14
Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 12
13-15
EN
In the paper paths of the heat flow generated inside a semiconductor structure to the surrounding are considered. On the basis of the literature information, typical construction of semiconductor devices cooling systems are analysed. Apart from this, the results of measurements of the thermal resistance and transient thermal impedance of such devices illustrating the influence of some factors on the value of thermal parameters are discussed. The general form of the device thermal model including the multipath of the heat flow and thermal properties of the elements of the heat flow path is proposed.
PL
W pracy rozważane są drogi przepływu ciepła generowanego w strukturze półprzewodnikowej do otoczenia. W oparciu o informacje literaturowe przeanalizowano typowe konstrukcje układów chłodzących elementów półprzewodnikowych oraz przedstawiono wyniki pomiarów rezystancji termicznej takich elementów ilustrujące wpływ wybranych czynników na wartość tego parametru. Zaproponowano ogólną strukturę modelu termicznego elementu półprzewodnikowego uwzględniającego wielodrogowość przepływu ciepła oraz właściwości cieplne elementów toru przepływu ciepła.
15
Obliczenia cieplne urządzeń elektronicznych
Maj G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 7
111-116
PL
W artykule przedstawiono dwie metody przeprowadzania analiz cieplnych urządzeń elektronicznych. Pierwsza uproszczona polegająca na oszacowaniu wymaganej wartości rezystancji termicznej radiatora i doboru gotowego o pożądanych właściwościach termicznych. Druga umożliwia to szacowanie właściwości termicznych dowolnych radiatorów, także projektowanych osobiście. W zależności, z jakimi projektowanymi urządzeniami mamy do czynienia możemy dobierać do niego gotowe rynkowe radiatory na podstawie pierwszej przedstawionej metody. Gdy mamy do czynienia z urządzeniami, do których z pewnych względów utrudniony jest dobór gotowych radiatorów, możemy dokonać obliczeń zgodnie z drugą metodą. W przypadku, gdy dodatkowo w obliczeniach należy uwzględnić spadek temperatury wraz z oddalaniem się od źródła ciepła obliczenia stają się ciężkie do wykonania. W spółce Bumar Elektronika poradzono sobie z tym tworząc aplikację do dokonywania analiz cieplnych urządzeń elektronicznych, która w szybki sposób pozwala na dokonywanie analiz cieplnych przeprowadzanych często jeszcze podczas koncepcyjnych prac nad urządzeniem. Podstawa tej aplikacji opiera się na zależnościach przedstawionych w tym artykule.
EN
This paper presents two methods of thermal analyses for electronic devices. The first simplified method relies on estimating the required thermal resistance values of heat sink and the final selection of the desired thermal properties. The second method allows to estimate the thermal properties of any heat sink, also designed personally. Depending on what kind of projected equipment we deal with, we can choose ready-made heat sinks on the basis of the first described method. In case of we deal with devices, which in some respects have difficult selection of ready-made heat sink, we can make a calculation in accordance with the second method. If we have to include in calculations the temperature decrease and the distance from the heat source calculations are difficult to perform. The Bumar Electronics Company solved this problem by creating an application to perform thermal analysis for electronic devices that quickly allows you to make thermal analyses often during the conceptual work over the device. The basis for this application is based on the relationships presented in this paper.
16
DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 12
10-12
EN
In this paper a new direct-current measuring method of thermal resistance of power MOS transistors is proposed. The conception of this method and the way of its realization are presented. The discussion on the influence of selected factors on the accuracy of the elaborated method is included in this paper. The correctness of the method is verified by comparing the results of measurements obtained with the use of the new method with the results obtained with the infrared method.
PL
W pracy zaproponowano nową statoprądową metodę pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS. Przedstawiono koncepcję tej metody i sposób jej realizacji. Przedyskutowano wpływ wybranych czynników na dokładność opracowanej metody. Poprawność metody zweryfikowano przez porównanie wyników pomiarów otrzymanych z wykorzystaniem tej metody z wynikami uzyskanymi przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.
17
Content available remote Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu
Hapka A., Janke W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
152-154
PL
W pracy omówiono wpływ warunków zasilania na charakterystyki prądowo-napięciowe diod Schottky’ego z węglika krzemu, z dodatkowym złączem PiN (Merged PiN Schottky). Zaprezentowano symulacje nieizotermicznych charakterystyk I-V przykładowej diody MPS, w których uwzględniono wpływ temperatury otoczenia na parametry krytyczne, takie jak prąd, moc oraz temperatura wnętrza, dla których element narażony jest na zniszczenie. W symulacjach uwzględniono wpływ temperatury otoczenia i wnętrza na rezystancję termiczną elementu.
EN
In the paper, the influence of operation conditons, especially ambient temperature, on the nonisothermal current-voltage characteristics of the silicon carbide Merged PiN Schottky diodes is disscussed. The investigations are mainly devoted to the dangerous regions of the DC, I-V characteristics. The simulations of the nonisothermal characteristics, with the critical parameters such as current, power and junction temperature, depending on the ambient temperature are presented. Also, the influence of the ambient and junction temperature on the thermal resistance has been included.
18
Content available remote Metody pomiaru rezystancji termicznej diod laserowych
Dąbrowska E., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 4
232-238
PL
Przedstawiono pięć różnych sposobów pomiarów rezystancji termicznej diod laserowych. Przeanalizowano ich przydatność do charakteryzacji praktycznie wytwarzanych przyrządów różnej jakości, także takich, których charakterystyki są nietypowe. Porównano dokładności przedstawionych metod.
EN
Five different measurement methods of the laser diodes thermal resistance have been presented. Usability of these methods to characterize practical devices of different quality including those of untypical characteristics is analyzed. Also the exactness of the methods is compared.
19
Content available remote Badanie wpływu temperatury na parametry termiczne i elektryczne diod LED mocy
Kraśniewski J., Oleksy M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
180-182
PL
W niniejszym artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych prądowo-napięciowych (zarówno izo- jak i nieizotermicznych) białych diod LED wysokiej mocy w różnych temperaturach otoczenia. Zaprezentowano również wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej tych diod.
EN
In the following article the measurement results of static current-voltage characteristics (both iso and non-isothermal) of white powerLED are presented. Also, measurement results of thermal transient impedance of the powerLED are presented.
20
Content available Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Malag A.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
3-9
PL
W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
EN
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.