PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  rectifer diodes
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zymmer K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 5
55-60
PL
Analiza uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy (PPM) daje wartościowe informacje niezbędne do racjonalnego projektowania urządzeń energoelektronicznych. Omówiono różnice w mechanizmach uszkodzeń PPM-ów i przyrządów sygnałowych. Przedstawiono podstawowe przyczyny uszkodzeń diod prostowniczych, tyrystorów konwencjonalnych SCR, tyrystorów wyłączalnych GTO i tranzystorów IGBT. Naświetlono procesy zmęczeniowe spowodowane narażeniami emperaturowo - mechanicznymi. Rozważania zilustrowano przykładowymi fotografiami zniszczonych PPM-ów.
EN
The failure analysis of power semiconductor devices (PSD) is valuable information to make some necessary converter circuit correction. Differences between PSD and signal device failures are described. Main failure mechanisms of rectifier diodes, SCR thyristors, GTO thyristors and IGBT transistors are discussed. Failures due a thermal fatigue are given as well. Selected results with example photos of PSD destroyed surfaces are presented. Application of an expert system for the PSD failure analysis is also discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.