PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  reaktywne rozpylanie
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Metoda kontroli stanu plazmy podczas megnetronowego wyładowania jarzeniowego
Stec A.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2005
|
z. 153
67-74
EN
The paper presents some aspects of reactive sputtering. most popular control methods are described. Current-voltage relation and modelling dynamics of reactive sputtering are presented. Block diagram of a feedback system for process control is proposed.
2
Content available Sterowanie procesem reaktywnego rozpylania magnetronowego
Stec A.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2005
|
R. 51, nr 1
53-55
PL
W pracy przedstawiono wybrane zagadnienia związane ze sterowaniem procesem rektywnego rozpylania magnetronowego. Omówiono najczęściej stosowane metody sterowania. Przedstawiono zależność opisującą charakterystykę prądowo-napięciową oraz sposób modelowania dynamiki procesu związanego z reaktywnym rozpylaniem. Zaproponowano układ regulacji do pracy w trybie przejściowym.
EN
Some aspects of reactive sputtering process control are presented. Most popular control methods are described. current-voltage relation and modelling dynamics of reactive sputtering are presented. Block diagram of a feedback system is proposed.
3
Modelowanie dynamiki reaktywnego rozpylania magnetronowego
Stec A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
34-35
PL
Przedstawiono model dynamiki opisujący zależności między podstawowymi wielkościami charakteryzującymi reaktywne rozpylanie, takimi jak prąd i napięcie wyładowania, przepływ i ciśnienie gazu reaktywnego. Wykorzystano statyczne charakterystyki rzeczywistego magnetronu i przyjęto inercyjny charakter zmian wszystkich zmiennych procesowych. Model umożliwia przeprowadzenie analizy skuteczności stosowania metod sterowania prądem, napięciem, przepływem lub ciśnieniem gazu reaktywnego.
EN
The paper presents a dynamic model that describes relations between basic quantities of reactive sputtering, such as current and discharge voltage, flow and pressure of reactive gas. Static characteristics of real magnetron are used and inertial dynamics of all process variabies is assumed. The model permits to determine whether particular control method, i.e. by using current, voltage, flow or pressure of reactive gas, is effective.
4
Metody sterowania procesami reaktywnego jonowego rozpylania
Leja E., Stec A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2003
|
Vol. 44, nr 11
12-15
PL
Duża szybkość osadzania powłok jest jednym z wymogów stawianych urządzeniom do reaktywnego jonowego rozpylania. Aby to osiągnąć, proces musi odbywać się w trudnym do kontrolowania przejściu po-między trybem metalicznym a reaktywnym. W artykule przedstawiono kilka metod stosowanych obecnie do sterowania takim procesem.
EN
High rate deposition is one of requirements for reactive sputtering devices. To achieve this the process must take place in difficult to control transition between metallic and reactive mode. The article presents a few methods currently used to control such a process.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.