PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 15 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 4 Nukleonika
  3. 3 Przegląd Elektrotechniczny
  4. 2 Archives of Materials Science and Engineering
  5. 2 Ceramic Materials
Więcej...
Autorzy help
  1. 3 Wojciechowski K.
  2. 3 Zybała R.
  3. 2 Berowski P.
  4. 2 Bogdanov I. T.
  5. 2 Bondarenko V. V.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2023
  2. 2 2021
  3. 1 2019
  4. 2 2018
  5. 2 2017
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 56

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  półprzewodniki
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
1
Content available Fotokatalizatory i fotoelektrokatalizatory w procesach wytwarzania nadtlenku wodoru
Gańczarczyk Roman M.
Wiadomości Chemiczne
|
2023
|
[Z] 77, 11-12
1017--1040
EN
A significant contemporary challenge in the field of science and technology pertains to the development of innovative and sustainable methods for energy acquisition. The dynamic advancement of solar energy conversion techniques has led to the swift commercialization of photovoltaic cell technology, concomitantly creating a demand for cost-effective energy conversion and storage systems. An interesting solution to this challenge lies in the application of photocatalytic and photoelectrocatalytic synthesis to produce energy-rich molecules. One of the possible solutions under consideration in this context is hydrogen peroxide artificial photosynthesis. In recent years, several research efforts have been dedicated to the photo-assisted generation of hydrogen peroxide through oxygen reduction and water oxidation. In this brief review, the fundamental aspects related to photocatalytic and photoelectrocatalytic processes have been presented. Particular attention was paid to issues related to various groups of active photo(electro)catalysts used in the synthesis of hydrogen peroxide, and the latest trends in the molecular engineering of these compounds were highlighted.
2
Content available Functional model for the synthesis of nanostructures of the given quality level
Suchikova Y. O., Kovachov S. S., Shishkin G. O., Pimenov D. O., Lazarenko A. S., Bondarenko V. V., Bogdanov I. T.
Archives of Materials Science and Engineering
|
2021
|
Vol. 107, nr 2
72--84
EN
Purpose: The aim of this paper is to develop a functional model for the synthesis of nanostructures of the given quality level, which will allow to effectively control the process of nanopatterning on the surface of semiconductors with tunable properties. Design/methodology/approach: The paper uses the IDEF0 methodology, which focuses on the functional design of the system under study and describes all the necessary processes with an accuracy sufficient for an unambiguous modelling of the system's activity. Based on this methodology, we have developed a functional model for the synthesis of nanostructures of the given quality level and tested its effectiveness through practice. Findings: The paper introduces a functional model for the synthesis of nanostructures on the surface of the given quality level semiconductors and identifies the main factors affecting the quality of nanostructures as well as the mechanisms for controlling the formation of porous layers with tunable properties. Using the example of etching single-crystal indium phosphide electrochemically in a hydrochloric acid solution, we demonstrate that the application of the suggested model provides a means of forming nanostructures with tunable properties, assessing the quality level of the nanostructures obtained and bringing the parameters in line with the reference indicators at a qualitatively new level. Research limitations/implications: Functional modelling using the IDEF0 methodology is widely used when process control is required. In this study it has been applied to control the synthesis of nanostructures of the given quality level on the surface of semiconductors. However, these studies require continuation, namely, the establishment of correlations between the technological and resource factors of synthesis and the acquired properties of nanostructures. Practical implications: This study has a significant practical effect. Firstly, it shows that functional modelling can reduce the time required to form large batches of the given quality level nanostructures. This has made it possible to substantiate the choice of the initial semiconductor parameters and nanostructure synthesis modes in industrial production from the theoretical and empirical perspective. Secondly, the presented methodology can be applied to control the synthesis of other nanostructures with desired properties and to reduce the expenses required when resources are depleted and the cost of raw materials is high. Originality/value: This paper is the first to apply the IDEF0 methodology to control the given quality nanostructure synthesis. This paper will be of value to engineers who are engaged in the synthesis of nanostructures, to researchers and scientists as well as to students studying nanotechnology.
3
Content available Chemical evaluation of the quality of nanostructures synthesized on the surface of indium phosphide
Kovachov S. S., Bogdanov I. T., Pimenov D. O., Bondarenko V. V., Konovalenko A. A., Skurska M. M., Konovalenko I. S., Suchikova Y. O.
Archives of Materials Science and Engineering
|
2021
|
Vol. 110, nr 1
18--26
EN
Purpose: The article proposes a methodology for determining the chemical quality criterion of porous layers synthesized on the surface of semiconductors, based on taking into account the chemical parameters of the surface that can affect the properties of nanostructures. Design/methodology/approach: The chemical quality criterion was evaluated in terms of stoichiometry, stability of structures over time, uniformity of distribution over the surface, and the presence of an oxide phase. As an example, a calculation is demonstrated for the por-InP/InP structure synthesized on a mono-InP surface. The results of calculating the chemical quality criterion were evaluated using the Harrington scale to rank samples by quality level. Findings: A chemical criterion for the quality of porous layers synthesized on the surface of semiconductors has been developed. This criterion contains a set of indicators sufficient for a comprehensive assessment of the surface condition and is universal in nature. The studies carried out make it possible to reasonably approach the determination of the modes of electrochemical processing of semiconductors and open up new perspectives in the construction of a model of self-organization of a porous structure. Research limitations/implications: The chemical quality criterion does not allow evaluating the obtained nanostructures in terms of geometric parameters. Therefore, in the future, there is a need to develop a morphological quality criterion and determine a methodology for assessing a generalized quality criterion for nanostructures synthesized on the surface of semiconductors, which may include economic, environmental, technological indicators, and the like. Practical implications: Study results are expedient from a practical point of view, since they make it possible to reasonably approach the determination of the modes of electrochemical processing of semiconductors, synthesize nanostructures with predetermined properties, and create standard samples of nanomaterial composition. Originality/value: Methodology for assessing the quality of porous semiconductors by a chemical criterion has been applied for the first time in engineering science. The article will be useful to engineers, who are engaged in the synthesis of nanostructures, researchers and scientists, as well as specialists in nanometrology.
4
Content available Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions
Andriyevsky Bohdan, Kashuba A., Ilchuk H.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2019
|
Nr 15
35--56
EN
We investigate an influence of the various crystal structure imperfections on the electronic properties and dielectric functions for In0.5Tl0.5I semiconductor in the frame of the density functional theory calculations. The tensor of electron effective mass m*ij of InI, In0.5Tl0.5I and TlI crystals has been calculated for the valence and conduction bands and different K-points of Brillouin zone. Dielectric functions ε(hν) of the defective crystals based on In0.5Tl0.5I solid state solution with iodine vacancy and thallium interstitial atom were calculated taking into consideration the inter-band and intra-band electron transitions. The studies of the defective crystals reveal increased low-frequency and stationary electron conductivity with anisotropy resulted from the anisotropy of the electron effective mass tensor. Our findings explain the origin of crucial changes in the band structure by formation the donor half-occupied levels close to the unoccupied conduction bands due to the crystal structure defects, i.e. iodine vacancy or thallium interstitial atom. It has been shown that in the case of real crystals, in particular metal-halides, the proper consideration of defects in quantum-chemical calculations results in a better matching of the theoretical and experimental results in comparison to the case when the perfect crystal structure had been used for calculations.
PL
Zbadano wpływ różnych niedoskonałości struktury krystalicznej na właściwości elektronowe i funkcje dielektryczne półprzewodnika In0.5Tl0.5I w ramach teorii funkcjonału gęstości. Został obliczony tensor efektywnej masy elektronów m* kryształów InI, In0.5Tl0.5I i TlI dla pasm walencyjnych i przewodnictwa oraz różnych K-punktów strefy Brillouina. Funkcje dielektryczne ε(hν) domieszkowanych kryształów roztworów stałych In0.5Tl0.5I z wakansami jodu i atomami międzywęzłowymi talu zostały obliczone z uwzględnieniem międzypasmowych i wewnątrz-pasmowych przejść elektronowych. Badania domieszkowanych kryształów ujawniły zwiększoną przewodność elektronową niskoczęstotliwościową i stacjonarną o anizotropii wynikającej z anizotropii tensora efektywnej masy elektronów. Przeprowadzone badania wyjaśniają obserwowane duże zmiany struktury pasmowej pochodzące z utworzenia pół wypełnionych poziomów donorowych w pobliżu niezajętych pasm przewodnictwa wynikających z defektów struktury krystalicznej, tj. wakansów jodu czy atomów międzywęzłową talu. Wykazano, że w przypadku kryształów rzeczywistych, w szczególności halogenków metali, właściwe uwzględnienie defektów w obliczeniach kwantowo-chemicznych daje możliwość lepszego dopasowania obliczeń teoretycznych do wyników doświadczalnych w porównaniu do obliczeń bazujących na strukturze krystalicznej doskonałej.
5
Content available Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu
Dziarski K.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2018
|
Nr 59
47--50
PL
W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.
EN
When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.
6
Content available Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej
Dreas A., Gordon R.
Badania Nieniszczące i Diagnostyka
|
2018
|
nr 4
62--64
PL
W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.
EN
This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.
7
Content available Model matematyczny zjawisk zachodzących w ogniwie Peltiera
Pniewski P., Kowalik R., Sadowski E.
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
|
2017
|
R. 18, nr 12
1237--1240, CD
PL
W artykule omówiono model matematyczny zjawisk fizycznych opisujących działanie elementu termoelektrycznego jakim jest ogniwo Peltiera. W uproszczeniu omawiany element funkcjonuje jako mała „pompa powietrza” zimnego lub ciepłego. Proces wymiany temperatury między poszczególnymi elementami ogniwa realizowany jest w sposób ciągły tzn. powierzchnia jednego półprzewodnika umieszczonego w module jest chłodzona, druga zaś ogrzewana. Cykl ten realizowany jest jednocześnie na obu elementach półprzewodnikowych. Biorąc pod uwagę, że materiał z którego wykonano element półprzewodnikowy zależny jest od temperatury środowiska w jakim pracuje, stąd w procesie modelowania fizycznego zwrócono szczególną uwagę na poszczególne etapy zmiany temperatury ze stanu zimnego w gorący. Podstawowe zjawiska fizyczne zachodzące w module Peltiera są ściśle powiązane z temperaturą, tak więc parametry użytkowe elementu zależne są od warunków pracy. Proces ten odwzorowano w modelowaniu komputerowym w specjalnie stworzonym do tego celu oprogramowaniu inżynieryjnym, w którym to zweryfikowano zależności matematyczne określające wydajność ogniwa Peltiera. Wyniki zaprezentowane w niniejszym artykule zostały wyznaczone dla pracy ogniwa w temperaturze powietrza mieszczącego się w przedziale (-20°C – +35°C).
EN
The article discusses the mathematical model of physical phenomena describing the operation of the thermoelectric element which is Peltier module. Simply discussed element functions as a small cold or warm "air pump". The process of the temperature exchange between different parts of the cell is executed continuously and it means that the surface of a semiconductor placed in the module is cooled and the other side is heated. This cycle is carried out simultaneously on both side of the semiconductor. The material from which the semiconductor element depends on the temperature of the environment where is place, there was highlighted various stages of temperature changes from cold to hot during the physical modeling. Bearing in mind that the basic physical phenomena occurring in the Peltier module are closely connected to the temperature, the operating parameters element depends on operating conditions. This process is mapped in computer modeling in a specially designed for this purpose engineering software where it was verified mathematical relations which determines the performance of Peltier modules. The presented results in this article are set for the module's operation temperature of air located in the range of between -20°C and + 35°C.
8
Content available Effect of rotation on a semiconducting medium with two-temperatures under L-S theory
Othman M. I. A., Tantawi R. S., Eraki E. E. M.
Archives of Thermodynamics
|
2017
|
Vol. 38, no. 2
101--122
EN
The model of the equations of generalized thermoelasticity in a semi-conducting medium with two-temperature is established. The entire elastic medium is rotated with a uniform angular velocity. The formulation is applied under Lord-Schulman theory with one relaxation time. The normal mode analysis is used to obtain the expressions for the considered variables. Also some particular cases are discussed in the context of the problem. Numerical results for the considered variables are obtained and illustrated graphically. Comparisons are also made with the results predicted in the absence and presence of rotation as well as two-temperature parameter.
9
Content available remote Determination of CdSxSe1-x thick films optical properties from reflection spectra
Tivanov M., Kaputskaya I., Patryn A., Saad A., Survilo L., Ostretsov E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
88--90
EN
A method for determining the band gap value and the refractive index near the absorption edge from reflection spectra was tested for CdSxSe1-x films prepared using the screen-printing and sintering technique.
PL
Przeanalizowano metodę wyznaczenia szerokości przerwy energetycznej i współczynnika załamania z pomiarów widma współczynnika odbicie warstw CdSxSe1-x otrzymanych metodami sitodruku i konsolidacji termicznej (sintering technique).
10
Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych
Piskorski K., Niemiec M., Borowicz L., Przewłocki H. M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 8
59--63
PL
Działanie przyrządów półprzewodnikowych w większości przypadków oparte jest na zjawiskach występujących w wielowarstwowych układach różnych materiałów i zależy od właściwości tych materiałów. Podstawowym elementem wchodzącym w skład niemalże każdego przyrządu półprzewodnikowego jest struktura MOS (ang. metal-oxidesemiconductor), w związku z czym struktura ta jest doskonałym narzędziem do oceny właściwości materiałowych i parametrów elektrycznych tych przyrządów. Wraz ze zmianą technologii wytwarzania struktur MOS konieczna jest umiejętność zrozumienia nowych zjawisk fizycznych w nich występujących oraz wymagany jest dalszy rozwój metod badawczych. Wiele kluczowych parametrów badanych struktur może być bardzo dokładnie wyznaczona na podstawie pomiarów fotoelektrycznych co sprawia, że metody te zyskują duże znaczenie w charakteryzacji rozmaitych struktur nanoelektronicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elektrycznych i fotoelektrycznych wykonanych na wielu strukturach MOS w celu prezentacji możliwości uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych. System ten powstał w Zakładzie Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych ITE na podstawie własnych koncepcji i założeń i realizuje oryginalne metody pomiarowe opracowane w tym Zakładzie.
EN
In this work the universal System for Photoelectric Measurements (USPM) is presented. This system, designed and constructed in Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures (Institute of Electron Technology, Warsaw) allows measurements of several important parameters of the investigated MOS structures. Some of the key parameters (e.g. effective contact potential difference, barrier heights on both sides of the dielectric layer) can be measured using photoelectric techniques which are known as the most accurate measurement methods of these parameters. The USPM system realizes measurements of different types of MOS structure characteristics, such as photocurrent-voltage IF(VG), capacitances-voltage C(VG) and other, examples of these measurements are shown in the article.
11
Content available Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Przybysz J., Owsiński M., Piątek Z.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2015
|
Z. 270
47--61
PL
W ramach prowadzonych w Instytucie Energetyki w Warszawie badań urządzeń elektroenergetycznych wykonywane są między innymi próby sprawdzania ich wytrzymałości zwarciowej. W niniejszym artykule zebrano doświadczenia uzyskane podczas badań dla elementów półprzewodnikowych dużej mocy. Przedstawiono zachowanie się obiektów wyposażonych w elementy półprzewodnikowe, między innymi podczas łączenia prądów zwarciowych w stanie pracy znamionowej i awaryjnej. Pokazano zalety stosowania takich rozwiązań oraz omówiono zasadność wykonywania badań pozwalających uzyskać charakterystyki dynamiczne wykorzystywanych elementów półprzewodnikowych. Zwrócono również uwagę na zalety wykorzystania na etapie konstruktorskim zależności przejściowej impedancji termicznej struktur półprzewodników.
EN
Short-circuit withstand of electric power system equipment is a part of the tests carried out by Institute of Power Engineering in Warsaw. In this article we have gathered our experience gained during the research of the power semiconductor devices. It shows the behavior of devices equipped with semiconductor components during short-circuit currents flow in case of nominal and emergency operation. The advantages of such solutions and method of obtaining the dynamic characteristics of semiconductor devices were shown as well. Attention was also drawn to the advantages of the use of transient thermal impedance based on semiconductor structures during the designing stage.
12
Content available remote Niebieskie, zielone i białe emitery światła wytwarzane z półprzewodników AIII-BN
Rudziński M., Wesołowski M., Strupiński W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 7
1--13
PL
Postępy w ostatnich dwudziestu pięciu latach w epitaksji i technologii wytwarzania materiałów z grupy AIII-BN doprowadziły do wytworzenia komercyjnych, wysoko wydajnych źródeł światła emitujących w kolorach ultrafioletu, niebieskim, zielonym i białym. W pracy przedstawiono przegląd technologii wytwarzania diod elektroluminescencyjnych z materiałów AIII-BN, między innymi różne rozwiązania strukturalne, uwzględniające właściwości materiałowe i wymagania wzrostu krystalicznego MOCVD. Przeanalizowano różne konstrukcje ekstrakcji światła, które są istotne dla uzyskania jak najwyższej wydajności zewnętrznego świecenia. Zaprezentowano najnowsze osiągnięcia dotyczące zewnętrznej wydajności kwantowej dla wysokiej mocy diod elektroluminescencyjnych, jak również wydajności świecenia białych diod opartych na konwersji światła przy użyciu luminoforów.
EN
Recent twenty five years of advances in epitaxial growth and fabrication technologies for the III-Nitrides have led to commercially available, high efficient solid state devices that emits ultraviolet, blue, green and white light. In this work LEDs technologies based on III-Nitrides have been presented. Different structural design choices are described, taking into account specific material properties and MOCVD crystal growth requirement. We review various light extraction schemes which are important for achieving the highest possible light output efficiencies. Recent performance in external quantum efficiency for high power LEDs is reviewed, as well as luminous efficacy of white LEDs based on luminophores down-conversion.
13
Content available Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon
Maliński M. A., Chrobak Ł. B., Bychto L., Pawlak M.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2013
|
Nr 5
17--22
EN
This paper presents experimental amplitude MFCA characteristics of the implanted silicon samples. Influence of the silicon implantation process for frequency MFCA characteristics has been analyzed. The idea and the experimental set-up of the proposed method have been presented and discussed. This paper proves that is possible to estimate depth of the implanted layer from MFCA experimental data.
PL
W artykule przedstawiono eksperymentalne charakterystyki MFCA dla próbek implantowanego krzemu. Przeanalizowano wpływ procesu implantacji krzemu na charakterystyki MFCA. Przedstawiono i poddano dyskusji ideę zaproponowanej metody oraz stanowisko eksperymentalne. Praca udowadnia, że możliwa jest estymacja głębokości warstwy implantowanej na podstawie eksperymentalnych charakterystyk MFCA.
14
Transmisja i przetwarzanie sygnałów optycznych o wysokich przepływnościach wykorzystująca półprzewodnikowe wzmacniacze optyczne
Turkiewicz J. P.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2013
|
z. 192
3--142
PL
W niniejszej pracy przedstawiono badania nad możliwością poszerzenia wykorzystania półprzewodnikowych wzmacniaczy optycznych SOA w systemach optotelekomunikacyjnych. Badania objęły zastosowania wzmacniaczy SOA zarówno do transmisji sygnałów, jak i całkowicie optycznego przetwarzania sygnałów. W ramach pracy naukowo-badawczej przebadano możliwość realizacji systemów DWDM o uproszczonej budowie i dużej pojemności transmisyjnej, wykorzystujących wzmacniacze SOA. Przebadano najważniejsze ograniczenia transmisji w oknie telekomunikacyjnym 1310 nm i określono zależności między pojemnością a zasięgiem dla badanej klasy systemów transmisyjnych. Zrealizowano i przebadano eksperymentalny system transmisyjny DWDM 8x40 Gbit/s i 8x54 Gbit/s wykorzystując SOA na pasmo 1310 nm. Przedstawiony system transmisyjny może być wykorzystany zarówno do połączeń 400 G i 1000 G Ethernet, jak i dla potrzeb centrów gromadzenia oraz przetwarzania informacji. W dalszej części pracy zaproponowano i przebadano innowacyjną metodę konwencji formatu modulacji OOK-QAM. Przedstawiono zasadę działania konwertera formatu modulacji OOK-QAM. Przedstawiono zasadę działania konwertera formatu modulacji OOK-QAM wykorzystującego konwertery długości fali. Następnie zweryfikowano możliwość generacji sygnałów 16-QAM w konwerterze wykorzystującym dwie równolegle połączone struktury SOA-MZI. Określono wrażliwość generowania sygnałów 160 Gbit/s 16-QAM na typowe zniekształcenia w transmisji światłowodowej oraz możliwość ich wykorzystania w systemach transmisyjnych o bardzo wysokiej pojemności. Przeprowadzone badania potwierdziły poprawną generację sygnału 16-QAM w proponowanym układzie konwertera formatu modulacji. Zaproponowany konwerter formatu modulacji może być wykorzystany do realizacji całkowicie optycznego styku sieci OOK i QAM oraz do generacji sygnałów o bardzo wysokich przepływnościach.
EN
The present work is dedicated to research on further expansion of semiconductor optical amplifier SOA applications in opto-telecommunication systems. The research covers transmission and all-optical signal processing applications. The feasibility to realize low-complexity high capacity DWDM transmission utilizing semiconductor optical amplifiers in the 1310 nm window is verified. Major transmission limitation in the 1310 nm window are identified, along with a presentation of countermeasures. The trade of between transmission capacity and distance is investigated. The 8x40 Gbit/s and 8x54 Gbit/s DWDM transmission system in the 1310 nm window utilizing semiconductor optical amplifiers was built and tested. The demonstrated system can be utilized in ultra-high speed 400 G and 1000 G Ethernet, as well as inter and intra center transmission. Next, a novel all-optical OOK-QAM modulation format conversion method has been presented. The principle of operation of the OOK-QAM modulation format converter based on the wavelength conversion is explained. Further feasibility of the 16-QAM signal generation in the proposed modulation format converter utilizing two parallel SOA-MZI is investigated including studies on the generated 160Gbit/s 16-QAM signal resilience to the typical fibre transmission impairments. The conducted wok has shown proper operation of the investigated OOK-QAM modulation format converter. The proposed converter can be applied at the OOK and QAM networks interface and to generate ultra-high bit rate signals.
15
Content available remote A Modular Simulation System for Semiconductor Manufacturing Scheduling
Li L., Qiao F.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 1b
12-18
EN
A modular simulation system (MSS) for the scheduling of semiconductor wafer fabrication facilities (fabs) is discussed. Firstly, the general structure model (GSM) for modeling a semiconductor wafer fab, composed of a configurable definition layer, a physical layer, a process information layer and a scheduling layer, is proposed. Secondly, a data-based dynamic modeling method is given. Thirdly, the architecture of MSS, composed of data layer, module layer and simulation layer, is presented. Finally, a case study is used to demonstrate the effectiveness of MSS.
PL
Zaprezentowano Isystem symulacji modularnej do planowania produkcji w przemyśle półprzewodnikowym. Bazuje się na warstwach: fizycznej, technologicznej i planowania. Zaproponowano też model dynamiczny. System składa się z trzech warstw: danych, modułu i symulacji.
16
Nowe zadania pomiarów ostrzowych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych
Kołodziejski J. F., Szczęsny J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 2
92-96
PL
W pracy opisano skrótowo zasadnicze cele pomiarów ostrzowych na płytkach, prowadzone w trakcie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Omówiono nowe zadania realizowane podczas pomiarów ostrzowych - ukierunkowane na efektywną kontrolę uzysku, osiągnięcie dużej niezawodności i obniżenie ogólnych kosztów wytwarzania przyrządów.
EN
Basic aims of wafer measurements, conducted in the course of fabrication of semiconductor devices, are shortly described. The new tasks of the measurements directed towards effective yield control, devices reliability and decreasing of general production cost, are analyzed.
17
Content available remote Otrzymywanie wybranych materiałów termoelektrycznych metodą krystalizacji kierunkowej i ich charakterystyka
Schmidt M, Zybała R., Wojciechowski K.T.
Materiały Ceramiczne
|
2010
|
T. 62, nr 1
56-59
PL
Celem pracy było otrzymanie monokryształów związków AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 oraz BiSbTe3 metodą Bridgmana. Materiały otrzymywano dwoma wariantami metody różniącymi się wytwarzanym gradientem temperatur w obszarze frontu krystalizacji. Obserwacje mikrostrukturalne oraz składu chemicznego przeprowadzono skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM) z analizatorem dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) oraz za pomocą emisyjnej spektroskopii atomowej (AES). Badania jednorodności właściwości termoelektrycznych przeprowadzono za pomocą mikrosondy Seebecka w temperaturze pokojowej. Stwierdzono, że współczynnik Seebecka dla materiału AgSbSe2 zmienia się monotonicznie w zakresie od 250 do 1000 μVK-1. Dla związku Ag0,9Sb1,1Se2 współczynnik Seebecka wynosi od -500 do -750 μVK-1. Monokryształy BiSbTe3 cechują się małymi zmianami wartości współczynnika Seebecka w przedziale od 200 do 280 μVK-1.
EN
The aim of this work was to prepare single crystals of AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 and BiSbTe3 by the Bridgman method. Materials were prepared by means of two variants of this method, differing in temperature gradients in the area of the crystallization front. Microstructural and chemical analysis were done using Scanning Electron Microscope (SEM) with Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) and Atomic Emission Spectroscopy (AES). Analysis of homogeneity of thermoelectric properties was carried out using the Seebeck microprobe at room temperature. It was found that the Seebeck coefficient for AgSbSe2 changed monotonically in the range from 250 to 1000 μVK-1. For Ag0,9Sb1,1Se2, the Seebeck coefficient is in range from -500 to -750 μVK-1. Single crystals of BiSbTe3 exhibit small changes of the Seebeck coefficient in the range from 200 to 280 μVK-1.
18
Content available remote Otrzymywanie i właściwości CoSb3 domieszkowanego Ag
Wojciechowski K., Nieroda P., Toboła J., Zybała R.
Materiały Ceramiczne
|
2010
|
T. 62, nr 1
60-64
PL
Przedmiotem pracy były badania wpływu domieszki Ag na wartość współczynnika efektywności termoelektrycznej, ZT, trójantymonku kobaltu CoSb3. W tym celu przygotowano serię próbek o składach nominalnych AgxCo8Sb24, gdzie x = 0-0,5. Badania strukturalne oraz składu fazowego wykonano za pomocą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Zbadano wpływ domieszki na przewodnictwo elektryczne, współczynnik Seebecka oraz przewodnictwo cieplne otrzymanych materiałów w zakresie temperatur od 300 do 560K. Na podstawie uzyskanych wyników wyznaczono zależności współczynnika efektywności termoelektrycznej, ZT, od temperatury.
EN
The aim of this work was to examine the influence of Ag additive on thermoelectric figure of merit, ZT, of cobalt triantimonide CoSb3. A series of samples with nominal composition of AgxCo8Sb24, (x = 0-0,5) was prepared. Structural properties and phase composition was analyzed by XRD diffraction method. The influence of Ag content on electrical conductivity, Seebeck coefficient, thermal conductivity and crystal structure parameter was investigated. The temperature dependence of thermoelectric figure of merit, ZT, was determined using measured thermal and electrical parameters.
19
Content available remote Environmental heterogeneous catalysis and water purification by activated interfaces: a survey of different ways of surface activation and demonstration of a novel, simple and efficient procedure
Franzle S., Silbernagel H., Uchlier L., Liepelt G.
Ecological Chemistry and Engineering. S
|
2010
|
Vol. 17, nr 1
25-36
EN
Besides the established procedures, a multitude of environmental organic compounds can be mineralized or at least degraded to species like acetate by irradiating iron(III) complexes adsorbed to certain broad-gap semiconductors by visible light. Quantum yields are increased considerably by adsorption with respect to LMCT photochemistry in homogeneous solution, and the semiconductor acts as a electron- (rather, valence band hole) transfer agent which conserves the oxidizing properties of the ligand radical originally produced for longer periods of time (although modulated down to �Ăvb). The SC colloid particle, not excited itself, transports the hole, then allowing to oxidize co-adsorbed species present in small concentrations but also accumulated by adsorption. Water purification from various kinds of pollutants is feasible, and the reaction which is photocatalytic at turnovers . 100 referring to Fe complex can be kept up by air input into the suspension also tolerating repeated inputs of compounds to be removed. Except for some acetate formed, mineralization of substrates is complete.
PL
Poza ustalonymi procedurami wiele związków organicznych występujących w środowisku może być mineralizowanych lub, co najmniej degradowanych do np. octanów przez naświetlanieświatłem widzialnym kompleksów z żelazem(III), zaadsorbowanych na niektórych szerokopasmowych półprzewodnikach. Wydajność kwantowa znacznie wzrasta dzięki adsorpcji ze względu na fotochemię LMCT (Ligand-to-Metal Charge Transfer) w jednorodnym roztworze. Półprzewodnik działa jak przekaźnik elektronu (lub raczej dziury w paśmie przewodnictwa), który utrwala utleniające właściwości rodnikow ligandu, pierwotnie wytwarzanych w dłuższych okresach czasu. Koloidalna cząstka półprzewodnika, sama niewzbudzona, jest nośnikiem dziury i umożliwia utlenianie współabsorbowanych związków występujących w niewielkich stężeniach, a także zgromadzonych w wyniku adsorpcji. Oczyszczanie wody z różnego rodzaju zanieczyszczeń jest możliwe, a reakcja fotokatalityczna o wydajności < 100 w odniesieniu do kompleksu Fe może zachodzi. z udziałem powietrza wprowadzanego do zawiesiny, tolerując ponowne wprowadzenie związków, które mają być usunięte. Z wyjątkiem niektórych octanów mineralizacja substratu zachodzi całkowicie.
20
Content available Detektory fotoemisyjne na bazie związków AIII BV
Wojas W., Wojas J.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2010
|
Vol. 59, nr 4
239-260
PL
Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy AIII BV w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków półprzewodnikowych do wykorzystania zjawiska ujemnego powinowactwa do budowy czułych fotoemiterów. Opisano procesy technologiczne otrzymywania takich emiterów przez nakładanie (napylanie) warstw tlenku cezu na arsenek galu. Wymieniono warunki, jakie powinien spełnić fotoemiter. Podano przykłady budowy i zastosowania detektorów do wykrywania padającego promieniowania bliskiej i średniej podczerwieni.
EN
The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors AIII BV in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negative electron affinity to construct sensitive photoemitters. The technological process of fabrication of these emitters with Cs2O layer on GaAs is described. We present the conditions for the photoemitter. We show the examples of detectors for detecting near infrared and middle infrared radiation.
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.