Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Cząstki typu Janus : otrzymywanie, właściwości i zastosowanie

Gołąbiewska Anna, Głowienke Hanna, Sowik Jakub, Malankowska Anna

Wiadomości Chemiczne

|

2024

|

[Z] 78, 3-4

279--302

EN

Janus particles are a special class of materials whose uniqueness is based primarily on the lack of central symmetry of the particles, which causes their surfaces to have at least two different physical or chemical properties. Due to their asymmetric structure, Janus-type nanoparticles are used in the fields of chemistry, physics, engineering, and medicine. The work presents three groups of Janus particles: semiconductor-semiconductor, semiconductor-metal and metal-metal, and their methods of preparation and their applications.

2

Przemysłowe akceleratory elektronów i ich zastosowania w technologiach radiacyjnych zastosowanie technologii radiacyjnych do modyfikacji przyrządów półprzewodnikowych : wdrożenia przemysłowe

Bułka Sylwester

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2023

|

Vol. 64, Nr 9

21--24

PL

Modyfikacja przyrządów półprzewodnikowych wiązką przyśpieszo nych elektronów polega na skróceniu czasu życia nośników mniejszo ściowych. Aby uzyskać odpowiednie warunki dla tego procesu, wyso koenergetyczne elektrony wytwarzają szereg defektów w kryształach krzemu. Istotną kwestią doboru parametrów procesu napromieniowa nia jest uzyskanie kompromisu pomiędzy zmniejszającym się czasu życia nośników, co prowadzi do polepszania zdolności przełączania, a jednoczesnym wzrostem napięcia przewodzenia, co ogranicza po ziom dopuszczalnego prądu obciążenia. Technika obróbki radiacyjnej w porównaniu do dyfuzyjnego wprowadzania domieszek metalicznych w półprzewodnikach oferuje: precyzję, niezawodność i powtarzalność wymaganych parametrów. Precyzyjna kontrola koncentracji genero wanych defektów zapewnia bardziej jednorodną charakterystykę elektryczną. Zastosowanie przyrządów półprzewodnikowych, takich jak diody Si i tranzystory MOSFET jest uznawane za jedną z innowa cyjnych metod, które można zastosować do pomiarów dozymetrycz nych wykonywanych w obszarze medycznym, a także w typowych systemach przemysłowych, gdzie dawka pochłonięta może waha się od 10 Gy do 50 kGy.

EN

Electron beam modification of semiconductor devices is based on the decrease of the lifetime of minority carriers after radiation treatment. To obtain suitable conditions for this process a number of defects are created in silicon crystals by high energy electrons. Certain irradiation conditions should be followed to obtain a com promise between decreasing carriers’ lifetime, which leads to the faster switching properties, but at the same time reduces load current level due to increase of the conduction voltage drop. The radiation processing technique, as compared to the introduction of metal impurities in semiconductors, offers: precision, reliabi lity and reproducibility of required properties. Precise control of the concentration of defects that are generated provides more uniform electrical characteristics. The irradiation process is very flexible and can be used for the processing of raw semiconductor components and for final products as well as for the improvement of the device properties. The use of semiconductor devices, like Si diodes and MOSFET transistors, are recognized as one of innova tive methods which can be used for dosimetry measurements as performed in the medical area, and also in typical industrial irra diators where the absorbed dose can range from 10 Gy to 50 kGy.

3

Przemysłowe akceleratory elektronów i ich zastosowania w technologiach radiacyjnych: zastosowanie technologii radiacyjnych do modyfikacji przyrządów półprzewodnikowych: informacje podstawowe

Bułka Sylwester

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2023

|

Vol. 64, Nr 7

29--33

PL

Zasadniczą konsekwencją napromieniowania przyrządów elektronicznych są radiacyjnie indukowane zmiany własności materiałów, które mogą zakłócić funkcjonowanie przyrządów elektronicznych z nich wykonanych. Efekty te są powiązane zarówno z właściwościami napromieniowanego materiału, jak i rodzajem promieniowania. Można również wykorzystywać efekty wywołane promieniowaniem w przyrządach elektronicznych w produkcji, do zamierzonych modyfikacji materiałów półprzewodnikowych i właściwości produktu końcowego. Przyspieszone elektrony, wiązki jonów, promienie rentgenowskie, kosmiczne i gamma przenoszą swoją energię, wyrzucając elektrony z powłok atomów, które następnie mogą jonizować inne atomy w materiale pochłaniającym. Niektóre parametry elementów elektronicznych, takie jak: duża szybkość przełączania lub ujednolicony współczynnik wzmocnienia można osiągnąć poprzez selektywne zastosowanie obróbki radiacyjnej. Proces napromieniowania tworzy pierwotne i wtórne defekty w krysztale i generuje efektywne centra rekombinacji dla nośników mniejszościowych, toteż promieniowanie o wysokiej energii może być dobrze wykorzystane przy wytwarzaniu diod dużej mocy i tyrystorów o zadanych właściwościach czasu regeneracji.

EN

The principal consequence of irradiation on electronic devices is radiation-induced effects of materials, which can disturb the functioning of the electronic devices made from these materials. These effects are related both to the properties of the irradiated material and to the type of irradiation. Radiation-induced effects can also be used in the manufacture of electronic devices for intended modification of semiconductor material and the properties of the final product. Accelerated electrons, ion beams, X-rays, cosmic rays and gamma rays transfer their energy by ejecting atomic electrons, which can then ionize other atoms in absorbing material. Some parameters for electronic devices, such as high switching speed or unified gain coefficient can be achieved by selective use of radiation processing. The irradiation process forms the primary and secondary defects in the crystalline structure, and creates the effective recombination centers for minority carriers, hence high-energy radiation can be well used in the production of high-power diodes and thyristors with given properties of switching time.

4

Bezpieczniki szybkie do ochrony komponentów półprzewodnikowych

Piętka Rafał

Napędy i Sterowanie

|

2020

|

R. 22, nr 1

8--10

PL

Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki, zapoczątkowanym w latach 50. ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują się słabymi parametrami przeciążeniowymi, dlatego wymagają bardzo wrażliwej i szybko działającej ochrony. Błędy skutkujące zwarciami w urządzeniach energoelektronicznych mogą spowodować niemałe uszkodzenia zarówno samego urządzenia, jak i jego otoczenia z uwagi na ryzyko eksplozji. Optymalnym rozwiązaniem w tym przypadku stają się bezpieczniki szybkie, specyficznie zaprojektowane z myślą o ochronie półprzewodnikowych elementów mocy. Celem niniejszego artykułu jest przedstawienie podstawowych pojęć, parametrów i funkcji tych bezpieczników.

5

Calculations of transport parameters in semiconductor superlattices based on the Greens’ functions method in different Hamiltonian representations

Mączka M., Hałdaś G.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2019

|

Vol. 67, nr 3

631--641

EN

Two methods for calculating transport parameters in semiconductor superlattices by applying Green’s functions are compared in the paper. For one of the methods, the Wannier functions method, where computations in the complex space and Wannier functions base are required, the Hamiltonian matrix is small in size and its elements depend solely on the energy. For the real space method, as it operates in the floating point domain and uses the Hamiltonian containing the elements dependent both on energy and position, the Hamiltonian matrix is larger in size. The size makes the method computationally challenging. To find the consequences of choosing one of the methods, a?direct comparison between the computations, obtained for both methods with the same input parameters, was undertaken. The differences between the results are shown and explained. Selected simulations allowed us to discuss advantages and disadvantages of both methods. The calculations include transport parameters such as the density of states and the occupation functions, with regard to scattering processes where the self-consistent Born approximation was used, as well as the spatial distribution of electron concentration for two superlattices structures. The numerical results are obtained within the non-equilibrium Green’s functions formalism by solving the Dyson and the Keldysh equations.

6

Nadprzewodnictwo w półprzewodnikach

Sosnowski J.

Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska

|

2017

|

nr 7-8

18--22

PL

W pracy omówiono odkrycia z zakresu występowania nadprzewodnictwa w półprzewodnikach. Materiały te łącząc specyficzne właściwości tych dwóch klas – nadprzewodników i półprzewodników – stwarzają nowe możliwości ich zastosowania, w tym przy konstrukcji przyrządów elektronicznych. Przedstawiono pierwsze, wcześniejsze rezultaty badań półprzewodników nadprzewodzących, w tym przeprowadzone przez autora na selenku lantanu oraz wyniki nowych badań prowadzących do odkrycia nadprzewodników żelazowych, które także oparte są na lantanie i selenie.

EN

In the paper are discussed discoveries from range of occurrence superconductivity in semiconductors. These materials connecting peculiar specificities in these two classes – superconductors and semiconductors bring new capabilities of their applications at construction of electronic instruments. In paper are presented first, earlier results of research of superconducting semiconductors, including carried by author of publication on lanthanum selenide and then results of new research leading to discovery of iron-superconductors, which are also based on lanthanum and selenide.

7

Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych

Suproniuk M., Majda-Zdancewicz E., Pawłowski M., Wierzbowski M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 10

103--106

PL

Półprzewodnikowy przełącznik fotokonduktancyjny to urządzenie, w którym w wyniku pobudzenia sygnałem optycznym, następuje wzrost koncentracji nośników ładunku powodując zmniejszenie oporności materiału półprzewodnikowego nawet o kilka rzędów wielkości. W artykule przedstawiono wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych uwzględniając m.in. kwestie związane z szybkością włączania elementu, równomiernym rozkładem gęstości prądu, wytrzymałością termiczną, czasem eksploatacji i wysokim lokalnym polem elektrycznym wytwarzanym w miejscu elektrod.

EN

A photoconductive semiconductor switch is a device in which density of charge carriers increases causes decreases resistivity of semiconductor as a result of optically triggered. This paper shows selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing with regards issue related to the switch rise-times, uniform distributed current density, thermal resistance, device lifetime and high local electric field generated at the electrode site.

8

Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie

White C.

Napędy i Sterowanie

|

2017

|

R. 19, nr 1

32--35

PL

HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.

9

Fabrication of dye sensitized solar cell using chemically tuned CuO nanoparticles prepared by sol-gel method

Prabhin V. S., Jeyasubramanian K., Romulus N. R., Singh N. N.

Archives of Materials Science and Engineering

|

2017

|

Vol. 83, nr 1

5--9

EN

This work details about the isolation of CuO nanoflakes by a simple precipitation technique. Further it is coated over ITO substrate using spin coating technique. DSS cell capabilities were checked by placing a drop of plant dye derived from pomegranate. Design/methodology/approach: CuO nano flakes, a novel Nano sized metal oxide have been synthesized by sol-gel method. The synthesised flakes were characterized by using XRD (X-ray diffraction), FESEM, UV-VIS and PL measurements techniques. XRD studies show that, the copper oxide formed has monoclinic structure. Findings: The grain size of the synthesized copper oxide nanoflakes were measured from FESEM and found that the size was around 200 nm. The UV-VIS measurement show that the band gap of CuO nanoflakes were found to be 3.03 eV, which is in the range of a good semiconductor. Finally, the dye sensitized solar cell was fabricated and its power conversion efficiency η (PCE) was determined. Practical implications: The search for green sources or generators of energy is considered as one of the priorities in today's society and occupies many policy maker’s agenda. It is believed that nanocrystalline photovoltaic devices are becoming viable contender for large scale future solar energy converters.

10

Numerical simulations of epitaxial growth in MOVPE reactor as a tool for aluminum nitride growth optimization

Skibinski J, Caban P., Wejrzanowski T., Grybczuk M., Kurzydlowski K. J.

Journal of Power Technologies

|

2016

|

Vol. 96, nr 2

110--114

EN

The present study concerns numerical simulations and experimental measurements on the influence of inlet gas mass flow rate on the growth rate of aluminum nitride crystals in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy reactor model AIX-200/4RF-S. The aim of this study was to design the optimal process conditions for obtaining the most homogeneous product. Since there are many agents influencing reactions relating to crystal growth such as temperature, pressure, gas composition and reactor geometry, it is difficult to design an optimal process. Variations of process pressure and hydrogen mass flow rates have been considered. Since it is impossible to experimentally determine the exact distribution of heat and mass transfer inside the reactor during crystal growth, detailed 3D modeling has been used to gain insight into the process conditions. Numerical simulations increase the understanding of the epitaxial process by calculating heat and mass transfer distribution during the growth of aluminum nitride crystals. Including chemical reactions in the numerical model enables the growth rate of the substrate to be calculated. The present approach has been applied to optimize homogeneity of AlN film thickness and its growth rate.

11

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Andriyevsky B.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

5-8

EN

Thermal conductivity of Si, SiC and GaN crystals have been calculated by the reversed non-equilibrium molecular dynamics method using the Forcite program with the Universal force field potentials of the Materials Studio 7.0 package. The dependencies of thermal conductivity on the length of crystal’s supercell and density have been obtained and analyzed. Correlation of the degree of hybridization of vibrations of Si and C in SiC and Ga and N in GaN, from the one side, and coefficient of thermal conductivity, from the other one, has been revealed.

PL

Obliczono przewodność cieplną kryształów Si, SiC i GaN metodą odwrotnej nierównoważnej dynamiki molekularnej za pomocą programu Forcite przy potencjałach pól siłowych typu Universal z pakietu Materials Studio 7.0. Otrzymano i przeanalizowano zależności przewodności cieplnej kryształów w funkcji długości odpowiedniej superkomórki oraz gęstości. Ujawniono korelację stopnia hybrydyzacji drgań atomów Si i C w SiC oraz Ga i N w GaN, z jednej strony, a współczynnika przewodności cieplnej, z drugiej.

12

Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors

Struk P., Pustelny T., Gołaszewska K., Borysiewicz M. A., Piotrowska A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2015

|

Vol. 63, nr 4

829--836

EN

The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.

13

Właściwości elektrochemiczne nowych porfirazyn posiadających peryferyjne ugrupowanie 4-nitroimidazolilobutylosulfanylowe

Lijewski S., Rębiś T., Wachowska D., Milczarek G., Gośliński T.

Przemysł Chemiczny

|

2014

|

T. 93, nr 12

2229-2231

PL

Otrzymano 2 porfirazyny posiadające peryferyjne ugrupowania 4-nitroimidazolilobutylosulfanylowe. Były to porfirazyna bezmetaliczna oraz porfirazyna posiadająca w centrum koordynacyjnym jon manganu(III). Związki te scharakteryzowano z wykorzystaniem spektrometrii mas oraz spektroskopii UV–Vis. Porfirazynę manganową oceniono pod względem właściwości elektrokatalitycznych w kierunku redukcji tlenu. Stwierdzono, że modyfikacja elektrody z węgla szklistego za pomocą zaadsorbowanej cienkiej warstwy porfirazyny manganowej umożliwia poprawę wydajności reakcji elektroredukcji tlenu.

EN

Porphyrazine with peripheral 4-nitroimidazolylbutylsulfanyl substituents was complexed with Mn(III) ion and studied towards O2 redn. were also detd. The glassy C electrode modified with a thin layer of adsorbed Mn porphyrazine showed an improved efficiency in O2 electroredn.

14

Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+

Pyszniak K., Żuk J., Droździel A., Wójtowicz A., Prucnal S., Turek M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 5

281-283

PL

Zaprezentowano wyniki badań jonoluminescencji węglika krzemu bombardowanego jonami H+ o energiach 120 i 180 keV. Widma jonoluminescencji w zakresie 400-800 nm mają charakter ciągły z maksimum odpowiadającym fali o długości 730 nm. Badano także zmiany natężenia świecenia wywołane bombardowaniem jonowym. Zaobserwowano bardzo szybkie (dwa rzędy wielkości) osłabienie świecenia (dawki rzędu 4·1014 H+/cm2) wywołane zwiększającą się ilością defektów w tarczy. Artykuł zawiera także prezentację aparatury pomiarowej.

EN

Experimental results of the silicon carbide ionoluminescence induced by 120 and 180 keV H+ ion beams. The obtained spectra in the range 400-800 nm are continuous with the maximum at approximately 730 nm. Changes of the luminescence intensity caused by accumulated irradiation fluence were also studied. A very fast decrease of luminescence intensity (by two orders of magnitude) for a relatively small fluence (4·1014 H+/cm2) due to the increasing damage ot the target was observed. A brief description of experimental set-up is also given.

15

Novel, microwave assisted route of synthesis of binary oxide semiconducting phases - PbMoO4 and PbWo4

Kwolek P., Tokarski T., Łokcik T., Szaciłowski K.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2013

|

Vol. 58, iss. 1

217-222

EN

Highly crystalline powders of lead molybdate and tungstate were synthesized by a microwave assisted hydrothermal process in a microwave heated high pressure autoclave. Application of this novel and environmentally friendly technique in the synthesis of these compounds has never been reported before. The influence of a time of synthesis on a crystal structure, morphology and a value of a band gap for both PbMoO4 and PbWO4 was examined. The value of the band gap was determined using diffuse reflectance spectroscopy. For lead molybdate the medium value of the band gap equals to ca. 3.2 eV whereas for lead tungstate it oscillates around 4 eV and does not depend on the duration time of the synthesis.

PL

Krystaliczne proszki molibdenianu ołowiu i wolframianu ołowiu otrzymano metodą hydrotermalną w polu mikrofalowym za pomocą wysokociśnieniowego autoklawu mikrofalowego. Metodę ta można uznać za przyjazną dla środowiska, jak dotad nie odnotowano jej zastosowania do syntezy wymienionych związków ołowiu. Zbadano wpływ czasu trwania procesu na strukturę krystaliczną, morfologię i szerokość przerwy energetycznej proszków PbWO4 i PbMoO4. Szerokość pasma wzbronionego wyznaczono za pomocą spektroskopii refleksyjnej. Dla molibdenianu ołowiu otrzymane wartości oscylują wokół 3.2 eV, natomiast dla wolframianu ołowiu przerwa energetyczna jest szersza i wynosi ok. 4 eV. Szerokość pasma wzbronionego w obu przypadkach nie zależy od czasu syntezy.

16

Intercalated nanohybride structures of non-organic/organic polymer of GaSe and GaSe configuration

Grygorchak I., Ivashchyshyn F., Shvets R., Pokladok N., Stotsko Z.

Przetwórstwo Tworzyw

|

2012

|

[R.] 18, nr 3

200-204

EN

The introduction of polyaniline into a semiconductor GaSe matrix leads to decrease in specific resistance of GaSe system almost in 10 times, as compared to the initial expensed GaSe matrix. Under the exposure of such structure to light, a deformation of the spectrum ρ(ω) with simultaneous increase in specific resistance and in inductive response of the system takes place; increase in dielectric permittivity is also observed at a dielectric losses angle value less than unity, this is of prospect from the point of view of the application of such system in the manufacturing technology for high-quality radio-frequency capacitors and time-delay lines. The co-intercallation of the given structure with iodine leads to decrease of ρ(ω) in two times and to increase of photoconductance in two times. In GaSe structure, thermogalvanic and abnormal photovoltaic effects are detected.

17

Polishing of hard machining semiconductor materials made of silicon carbide

Gołąbczak M.

Mechanics and Mechanical Engineering

|

2011

|

Vol. 15, nr 1

81-93

EN

In the paper the application of silicon carbide (SiC) in electronics especially for production of p-i-n diodes have been shown. Also the technology of honing process of samples made of silicon carbide using grinding, lapping and polishing method has been presented. Finally the process of machining and the stand for surface preparation, selected investigation results concerning assessment of geometrical microstructure and morphology of SiC samples surface layer after machining process have been depicted.

18

Spintronika

Mydlarz T.

Biuletyn Naukowy Wrocławskiej Wyższej Szkoły Informatyki Stosowanej. Informatyka

|

2011

|

vol. 1

31--38

PL

W pracy pokazano przegląd wiedzy na temat mikro i spin elektroniki. Rozwój mikroelektroniki związany jest z fizyką półprzewodników. Poznanie własności fizycznych półprzewodników ich domieszkowanie i manipulowanie ładunkiem doprowadziło do rozwoju mikroelektroniki, powstawaniu zminiaturyzowanych podzespołów i urządzeń elektronicznych (diod i tnanzystorów, układów scalonych, mikroprocesorów, komputerów, telefonów komórkowych itp.). Pytanie jest zasadnicze „Czy manipulowanie ładunkiem w półprzewodnikach jest ograniczone jeśli tak to co dalej?” z rozwojem budową zminiaturyzowanych urządzeń elektronicznych nowoczesnych szybkich komputerów. Autor przedstawił krótki opis wiedzy i możliwości nowych materiałów magnetycznych mogących mieć ogromne zastosowanie w spinelektronice, nowej gałęzi wiedzy mającej początek w ostatnich latach ubiegłego wieku, w której to zasadniczą rolę odgrywa spin elektronu a właściwie manipulowanie nim.

EN

In the paper an overview of knowledge about microelectronics and spinelectronics is presented. The development of microelectronics is associated with the physics of semiconductors. Understanding the physical properties of semiconductors, their admixturing and manipulating of the charge has led to the development of the microelectronics and to the creating of the miniaturized components and electronic instruments and devices (diodes and transistors, integrated circuits, microprocessors, computers, mobile phones etc). The main question is: Is the manipulating of the charge in the semiconductors limited and if it is, what is next with the development and the construction of the miniaturized electronic devices and modern and fast computers? The author has presented a brief description of the knowledge and the possibilities of the new magnetic materials, that may have great applications in spinelectronics In the paper an overview of knowledge about microelectronics and spinelectronics is presented. The development of microelectronics is associated with the physics of semiconductors. Understanding the physical properties of semiconductors, their admixturing and manipulating of the charge has led to the development of the microelectronics and to the creating of the miniaturized components and electronic instruments and devices (diodes and transistors, integrated circuits, microprocessors, computers, mobile phones etc). The main question is: Is the manipulating of the charge in the semiconductors limited and if it is, what is next with the development and the construction of the miniaturized electronic devices and modern and fast computers? The author has presented a brief description of the knowledge and the possibilities of the new magnetic materials, that may have great applications in spinelectronics, which is a new branch of knowledge having the beginning in the last years of the previous century, and where the spin of the electron and the process of manipulation it plays the main role.

19

Krótkie wprowadzenie do tematyki ogniw fotoelektrochemicznych

Bieńkowski K., Gdula M.

Materiały Elektroniczne

|

2010

|

T. 38, nr 3-4

9-17

PL

Jednym z wyzwań stojących obecnie przed ludzkością jest produkcja czystej energii ze źródeł odnawialnych. Jedną z alternatyw jest wodór produkowany z rozkładu wody za pomocą energii słonecznej w ogniwach fotoelektrochemicznych (PEC). W artykule autorzy wprowadzają czytelnika pokrótce w tematykę PEC. Przedstawiony zostaje obecny stan wiedzy i stosowane rozwiązania. Obecnie wymagania wobec PEC są łatwe do sformułowania, ale spełnienie ich wszystkich jest jednym z wyzwań które stoją przed badaczami. W artykule zostały przedstawione również dziedziny w których poszukiwania wydają się niezbędne aby osiągnąć sukces w rozkładzie wody.

EN

A significant issue currently faced by humanity is the production of clean renewable energy. The decomposition of hydrogen produced from water using solar energy in photo electrolysis cells (PEC) is one of the possible methods of tackling the problem. In this article, the authors briefly introduce the reader to the theme of the PEC, ath the same time presenting the contemporary state of knowledge and rpviding exemplary solutions. A present, the requirements of photo electrolysis cells are easy to formulate, but their fulfillment is still a substanial challenge awaiting researchers. The article discusses the areas in which the search enquiry appears to be indispensable for achieving success in the distribution of water.

20

Optimization of thermoelectric properties of CoSb3 by donor doping

Wojciechowski K. T.

Materiały Ceramiczne

|

2010

|

T. 62, nr 4

461-464

EN

Cobalt triantimonide CoSb3 is a narrow-band semiconductor with very promising chemical and transport properties which make it a potential candidate for high-temperature thermoelectric applications. The work presents the results of theoretical investigations concerning optimization of concentration of donor carrier n in order to receive maximum value of thermoelectric figure of merit ZT.

PL

Trójantymonek kobaltu CoSb3 jest półprzewodnikiem o wąskim paśmie wzbronionym i bardzo obiecujących właściwościach chemicznych i transportowych, które czynią go potencjalnym kandydatem w przypadku wysokotemperaturowych zastosowań termoelektrycznych. Praca przedstawia wyniki badań teoretycznych dotyczących optymalizacji stężenia nośnika donorowego n w celu otrzymania maksymalnej wartości współczynnika dobroci termoelektrycznej ZT.