PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 34

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  niskie temperatury
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Praktyczne badania utraty udarności polipropylenu w niskich temperaturach
Gardyński Leszek
Dozór Techniczny
|
2020
|
z. 3
22--24
PL
W artykule opisano wyniki badań doświadczalnych odporności na obciążenia dynamiczne pojemników z polipropylenu w obniżonych temperaturach. Głównym wnioskiem jest to, że przy ujemnych temperaturach badane tworzywo jest znacznie bardziej podatne na uszkodzenia dynamiczne. Należy o tym pamiętać przy transporcie produktów w opakowaniach wykonanych z tego materiału.
2
Bezpieczna praca w niskich temperaturach
Romanowska Justyna
Promotor BHP
|
2019
|
nr 12
8--13
PL
Praca w niskich temperaturach jest zaliczana do pracy w warunkach uciążliwych. Zgodnie z art. 232 Kodeksu pracy pracodawca jest zobowiązany zapewnić nieodpłatnie odpowiednie napoje i posiłki przy pracy w warunkach niesprzyjających dla ludzkiego organizmu.
3
Content available remote Skłonność olejów silnikowych do tworzenia żelu w niskich temperaturach
Ziółkowska M., Biernat K.
Przemysł Chemiczny
|
2018
|
T. 97, nr 6
938--941
PL
Przedstawiono wyniki badań skłonności olejów silnikowych do żelowania w niskich temperaturach. Określono indeks żelowania oraz temperaturę żelowania dla olejów silnikowych bez i z dodatkiem FAME. Określono wpływ oleju bazowego i FAME na skłonność do żelowania olejów w niskich temperaturach.
EN
Six com. engine oils were studied for ability to gelation by std. methods. The addn. of fatty acid Me esters to the oils resulted in increasing their gelation indexes.
4
Content available remote Możliwości pomiaru niskich temperatur z wykorzystaniem oscylatora RC mikrokontrolera ATmega16A
Arnold K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 11
103--106
PL
W artykule zaprezentowano wyniki badań oscylatora RC mikrokontrolera ATmega16A dla temperatur zmniejszanych do 77K. Zaproponowano wykorzystanie oscylatora RC jako wbudowanego częstotliwościowego czujnika temperatury. Wyznaczono temperaturowe charakterystyki względnych zmian częstotliwości oraz charakterystyki czułości omawianego sensora. Sformułowano wnioski dotyczące właściwości cieplnych i nieliniowych charakterystyk sensora przy pracy w systemach pomiarowych w zakresie niskich temperatur.
EN
The article presents the results of RC oscillator tests for ATmega16A microcontroller with the lowest thermal point at 77K. The integrated RC oscillator was proposed as a cryogenic thermometer. Then, the temperature characteristics of the relative frequency changes and sensitivity of low-temperature sensor are calculated. The author formulates conclusions concerning the thermal properties and non-linear characteristics of the sensor at low temperatures.
5
Content available Nowa metoda obliczania niskotemperaturowych naprężeń termicznych w warstwach asfaltowych nawierzchni i przykłady jej zastosowań
Judycki J.
Drogownictwo
|
2017
|
nr 2
39--44
PL
W artykule przedstawiono opis nowej metody obliczania naprężeń termicznych w warstwach asfaltowych nawierzchni opartej o teorię lepkosprężystości. Omówiono dwie istniejące starsze metody. Podano zastosowania nowej metody do różnych przypadków oddziaływania temperatury na nawierzchnie. Przedstawiono także weryfikację nowej metody według testu: Thermal Stress Restrained Specimen Test (TSRST).
EN
The paper presents the description of the new method of calculation of thermal stresses in asphalt layers of pavements based on theory of viscoelasticity. It shortly presents two existing older methods. It provides applications of the new method for various cases of the impact of temperature on pavements. Verification of the new method according to the TSRST test was also presented.
6
Terapeutyczne działanie niskich temperatur
Maree A.
Technika Chłodnicza i Klimatyzacyjna
|
2014
|
nr 8-9
300--311
PL
Artykuł ma charakter przeglądowy i składa się z dwóch części. W jego części pierwszej autorka wskazuje obszary zastosowania kriogeniki w medycynie, z jednej strony jest to diagnostyka medyczna (np. obrazowanie metodą rezonansu magnetycznego). Innym obszarem jest przechowywanie oraz transport komórek. oraz tkanek biologicznych. Kriogenikę wykorzystuje się również do bezpośredniego oddziaływania niskimi temperaturami na organizm pacjenta. W dalszej części publikacji omówione zostało oddziaływanie niskich temperatur na organizm człowieka, w tym złożone zagadnienie jego termoregulacji. W części drugiej opracowania prezentowany jest przegląd istniejących rozwiązań komór przeznaczonych do zabiegów krioterapii, czyli tzw. kriokomór. Część końcowa poświęcona jest diagnostyce termowizyjnej jako skutecznej metodzie oceny skutków oddziaływania niskich temperatur na organizm człowieka.
EN
Is a review article and consists of two parts. In the first part, the author points out areas of application of cryogenics in medicine, on the one hand it is a medical diagnostics (eg. Magnetic resonance imaging). Another area is the storage and transport of cells. and biological tissues. Cryogenics is also used for the direct impact of low temperatures on the body of the patient. The rest of the publication is discussed impact of low temperatures on the human body, including the complex issue of its thermoregulation. The second part presents the overview of the development of existing solutions chambers for cryotherapy treatments, ie. cryochambers. The final part is devoted to the diagnosis of thermal imaging as an effective method of assessing the effects of low temperatures on the human body.
7
Content available Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 8
583--586
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetlenia/napięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.
EN
The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
8
Fotodioda RGB w niskiej temperaturze
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 6
12-14
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania scalonej fotodiody krzemowej RGB (ang. R – red, G – green, B – blue) w zakresie temperatury od temperatury wrzenia ciekłego azotu do temperatury otoczenia (77K–300K). Przedstawiono charakterystyki zmian prądu fotodiody If w funkcji wymuszenia świetlnego dla różnych wartości temperatury, dla każdego kolory fotodiody. Dla dwóch wartości wymuszenia świetlnego przedstawiono charakterystyki przetwarzania: prąd fotodiody If w funkcji temperatury.
EN
The paper presents the results of tests of performance of 3-channel/1Chip RGB (R – red, G – green, B – blue) Si photodiode within the range of temperatures from the boiling point of liquid nitrogen to the ambient temperature (77K–300K). There are included characteristics of changes of photodiode current If in the function of light input for different temperature values, for each colour of the photodiode. For two values of light input are presented the processing characteristics: the photodiode current If in the function of temperature.
9
Content available Żeliwo ADI przeznaczone do pracy w warunkach obciążenia dynamicznego
Sokolnicki M., Guzik E.
Archives of Foundry Engineering
|
2014
|
Vol. 14, iss. 4 spec.
115--118
PL
Żeliwo ADI posiada wiele odmian. Tematem artykułu jest najbardziej popularna odmiana ADI - (Austempered Ductile Iron) hartowanie z przemianą izotermiczną. Dzięki zastosowaniu w.w. rodzaju obróbki cieplnej uzyskuje się żeliwo o wyjątkowo korzystnych właściwościach wytrzymałościowych i plastycznych. Istotnym elementem procesu otrzymywania żeliwa wysokojakościowego jest aby w strukturze występował ausferryt.
EN
ADI makes an alternative to steel casting for constructors. High mechanical properties of ADI compare with parameters of quenched and tempered structural cast steel. A factor that is decisive for replacing steel casting with cast iron is elongation. For castings used in temperatures below 0oC a specified level of impact energy in negative temperature is needed. Impact energy in low temperature ausferritic cast iron was evaluated on samples without notch, with notch V and notch U. The research was carried out in temperatures +20oC, 0oC, -20oC, -40oC and -60oC. Two kinds of cast iron were evaluated: GJS-800-10 and GJS-1200-3 Grade. The value of temperature transition zone for high and low impact energy was evaluated. ADI cast iron was chosen, as one that can successfully replace the low-alloyed structural cast steel in low temperature conditions.
10
Content available Optimisation of the deoxidation degree and modification on the cast steel properties improvement at low temperature
Sierant Z.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2013
|
Vol. 58, iss. 3
763--767
EN
Industrial conditions of obtaining thick-walled and shaped castings intended for operations at temperatures: minus 40÷60°C are presented in the paper. The selection of a cast steel grade is based on known studies [1,10,14], however due to castings wall thickness (70-240mm), the way of preparing liquid metal (deep deoxidation and modification, argon stirring in a ladle) and conditions of filling mould cavities (gating system assuring quiet filling, directional solidification and avoiding a formation of inessential heat centres), were developed to assure the required impact strength. Maintaining these parameters as well as the selection of heat treatments for the produced massive castings allowed to achieve the impact strength over 50 J/cm2 at minus 40°. This value was obtained for walls of various thickness.
PL
Przedstawiono przemysłowe warunki otrzymywania grubościennych i kształtowych odlewów, przeznaczonych do pracy w temperaturze minus 40÷60°. Dobór gatunku staliwa oparto o znane prace [1,10,14], jednak ze względu na grubość ścianek odlewów (70-240 mm), opracowano sposób przygotowania ciekłego metalu (głębokie odtlenianie i modyfikacja, argonowanie w kadzi) oraz warunki zapełnienia wnęki formy (układ wlewowy zapewniający spokojne wypełnianie, kierunkowe krzepnięcie i unikanie tworzenia zbędnych węzłów cieplnych), dla zapewnienia wymaganej udarności. Zachowanie tych parametrów jak również dobór obróbki cieplnej dla produkowanych masywnych odlewów, pozwoliły na uzyskanie udarności w minus 40° wynoszącej powyżej 50 J/cm2. Wartość tą otrzymano dla ścianek o różnej grubości.
11
Content available Ocena efektu samopodgrzewania układu PLD w niskich temperaturach
Arnold K., Pająkowski J., Michalak S.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2012
|
R. 58, nr 7
641-643
PL
W pracy opisano zachowanie programowalnego układu PLD po poddaniu go działaniu niskich temperatur, obniżanych do temperatury ciekłego azotu. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, zmierzających do określenia wpływu temperatury i poboru mocy przez wykonaną w technologii CMOS strukturę EE PLD na czasy propagacji zintegrowanych bramek logicznych. Zaprezentowano charakterystyki średniego czasu propagacji pojedynczej bramki w zakresie niskich temperatur i porównano uzyskane wyniki z prognozami, formułowanymi w oparciu o zjawisko samopodgrzewania struktury półprzewodnikowej.
EN
In this paper behavior of a programmable logic device (PLD) in the low temperature range, including temperature of liquid nitrogen, is presented. There are given the results of experiments in which we tried to determine the influence of temperature and power consumption on the propagation delay of integrated logic gates implemented in an EE PLD CMOS structure. The thermal conditions of work resulting from the ambient temperature, clock signal frequency, value of voltage supply and current consumption connected with output loads and switching frequency are discussed. The PLD device properties in the nominal range of ambient temperatures and expected behavior after reducing the temperature are described. The main idea of the circuit for average propagation delay measuring (Fig. 1) and the voltage-current dependence for recommended test output loads (Figs. 2 and 3) are discussed. The test circuit with pull-up resistors for increasing self-heating effect is proposed (Fig. 4). The results for the propagation delay (Fig. 5) and current consumption (Fig. 6) at 1 kHz and 1 MHz switching fre-quency as a function of the temperature changing from -196°C to 20°C are shown. The propagation delay vs. temperature (Figs. 7 and 8) and the current consumption vs. temperature (Fig. 9) for the circuit with external pull-up resistors are presented. The influence of voltage supply value changes on the obtained results is taken into consideration. The results are discussed and compared with expectations.
12
Eksploatacja uszczelnień polimerowych w niskich temperaturach
Okularczyk W.
Hydraulika i Pneumatyka
|
2012
|
nr 4
5-8
PL
Wskazano na znaczenie właściwego doboru uszczelnień elastomerowych do pracy w niskich temperaturach roboczych. Przedstawiono stanowisko m.in. do badań uszczelnień plastomerowych z elastomerem silikonowym i sprężynką stalową. Opisano rodzaj planowanych badań z uwzględnieniem pomiaru sił tarcia uszczelnień oraz ciągłego pomiaru siły nacisku uszczelnienia na powierzchni tłoczyska.
EN
It has been pointed out the importance of proper selection of elastomeric seals for operating at low temperatures. Test sand for examination of plastomer seals with elastomer silicone and steel spring has been presented. The schedule of the planned studies including the measurement o seals friction, as well as the continuous measurement of sealing pressure on the surface o the piston rod.
13
Zachowanie fotodiody w niskiej temperaturze
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
30-32
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody krzemowej typu SFH203 w zakresie temperatury 77...300K. Przedstawiono charakterystyki zmian prądu zwarcia Ιf, w funkcji temperatury dla różnych wartości natężenia oświetlenia Ε dla 5 egzemplarzy fotodiody. Zaproponowano nowatorskie wykorzystanie fotodiody do konstrukcji kriogenicznego przetwornika światło/napięcie pracującego w temperaturze 77K. Zaprezentowano też charakterystyki przetwarzania kriogenicznego przetwornika i pokazano, jaki jest wpływ temperatury na działanie poszczególnych składników tego przetwornika.
EN
In the paper are presented results of the tests of behaviour of silicon photodiode SFH203 in temperature range from 77...300K. There are included characteristics of changes of short-circuit current Ιf, of the photodiode versus temperature for different values of illuminance Ε for 5 photodiodes. There is proposed innovative usage of the photodiode for building a cryogenic light-to-voltage converter working at temperature of 77K. The paper also includes characteristics of processing of the cryogenic converter and presents the influence of temperature on particular components of the converter.
14
Content available Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT101
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2011
|
R. 57, nr 12
1537-1539
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania czujnika optoelektronicznego OPT101, który jest fotodiodą zintegrowaną z wewnętrznym wzmacniaczem operacyjnym. Czujnik jest przetwornikiem natężenie oświetlenia/napięcie. Przedstawiono charakterystyki napięcia na wyjściu czujnika VO w funkcji temperatury T dla różnych wartości natężenia oświetlenia. Przedstawiono wyniki badań prądu fotodiody ID w funkcji temperatury i natężenia oświetlenia. Przebadano wzmocnienie wewnętrznego wzmacniacza operacyjnego. Pokazano wpływ temperatury na pasmo częstotliwościowe wewnętrznego wzmacniacza.
EN
The paper presents results of tests on behaviour of an OPT101 optoelectronic sensor (Figs. 1, 2) being a photodiode integrated with an internal operational amplifier. The sensor is a converter of luminous emittance to voltage. Fig. 3 shows a measuring position. The sensor was tested at temperature TX, and the model sensor was at temperature T = 20 °C. In Figs. 4 and Fig. 5 there are presented characteristics of voltage VI at the sensor output as a function of temperature T for five different values of the voltage at the sensor model output VM. There are also included the results of determining the photodiode current ID as a function of temperature for five different values of VM (Fig. 8). The internal amplifier gain was also tested and it was proved that the amplifier gain in low temperatures close to 77K depended strongly on the current of the feedback loop consisting of the internal operational amplifier; the higher the current, the lower the amplification decrease (Fig. 10). In the paper there is also discussed the influence of the temperature on the internal amplifier frequency band (Fig. 11). In the summary there is stated that, when taking into consideration the maximum relative error of 3% , it is possible to use the sensor in the temperature range from -180 °C to 20 °C.
15
Environment for automated low-temperature measurements of electronic circuits
Balik F., Sommer W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 3
84-89
EN
The aim of this work was to develop an environment which allows us to perform automated measurements of electronic circuits and elements characterization in low-temperature conditions. For instance, the characteristics of transistor or integrated amplifiers, or thick-film or thin-film elements parameters can be automatically measured by using this system in wide cryogenic temperature range. The low temperatures are achieved using nitrogen-helium continuous-flow cryostat K115. Depending on the freezing liquid, minimal temperature achieved might be 4.2K for helium and 77.35K for nitrogen. The system consists of a part used for controlling the freezing process and a part used for performing measurements. Both parts are controlled from the host computer using the NI Labview software and communicating with the equipment utilising the GPIB interface. Range ot the used equipment allowed us to develop a various virtual instruments in order to perform required measurements in wide thermal range with high accuracy. In this work the fundamental problems, which have to be solved during building such system, have been described. Moreover, the algorithms improving a performance of the whole system working in noise and distortion circumstances (i.e. stabilizing the amplitude in the function of frequency, noise/distortion cancelation and optimal temperature regulation and the zero crossing point determination) were developed. Some examples of the measurements of electronic circuits in low temperatures have been also included.
PL
W pracy omówiono środowisko pomiarowe opracowane dla automatycznych pomiarów układów i elementów elektronicznych w zakresie niskich temperatur. Opracowany system pozwala w sposób zautomatyzowany mierzyć np. charakterystyki wzmacniaczy tranzystorowych lub zintegrowanych a także parametry struktur grubo- lub cienkowarstwowych w szerokim zakresie temperatur kriogenicznych. W systemie zastosowano kriostathelowy/azotowy, przepływowy, typ K115. W zależności od zastosowanego chłodziwa osiągnąć można w nim następujące najniższe temperatury: dla helu 4.2K dla azotu 77.35K. System pomiarowy składa się z części kontrolującej proces chłodzenia oraz z części służącej do przeprowadzania pomiarów. Obie części są sterowane z komputera typu PC przy użyciu oprogramowania typu NI LabWiew oraz komunikują się z poprzez interface typu GPIB. Zastosowane w systemie urządzenia pozwalają tworzyć różne wirtualne przyrządy w zależności od potrzeb pomiarowych. W niniejszej pracy zostały omówione podstawowe problemy, z jakimi może spotkać się inżynier konstruujący podobny system pomiarowy. Ponadto, w systemie opracowano szereg algorytmów usprawniających jego działanie w warunkach szumów i zakłóceń. Niektóre z nich takie, jak np. stabilizacja amplitudy sygnału, optymalna regulacja temperatury, redukcja szumów i identyfikacja punktu przejścia sygnału przez zero zostały zwięźle opisane. Załączono również przykłady pomiarów układów elektronicznych w zakresie temperatur kriogenicznych.
16
Behavior of light emitting diodes at low temperature
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 6
49-51
EN
Light emittig diodes (LED] are junction semiconductors emitting visible, infrared or ultraviolet light. They are used in signaling, in telecommunication for optical fiber transmission, in medicine for spectrometry tests etc. More and more frequently they are also used for illuminating buildings. High intensity LEDs are used in 4th generation light bulbs. Typical temperatures of LEDs' operation range from -40 to 100°C (from 233 to 373K). However, numerous technical devices are supposed to operate within the range of lower temperatures, including devices used in space research, solid-state physics, cryotherapy and food industry. The article presents behavior of LEDs in temperature range from 77K to 300K and influence of temperature on diode's forward voltage V (sub)f and luminosity L. The tested diodes included red, yellow, green, blue, amber, yellow-green, white and violet colors. It was proved that along with change of work temperature also slightly changes light spectrum as lowering temperature shortens wavelength of light emitted by diode [2]. Lowering temperature from 300 to 77K causes shift of light spectrum of LEDs by approx. 30 nm in the direction of shorter wavelengths of light.
PL
Diody LED to półprzewodniki złączowe emitujące światło widzialne, podczerwone lub ultrafioletowe. Stosowane są w sygnalizacji, w telekomunikacji do transmisji światłowodowej, w medycynie do testów spektrometrycznych itd. Coraz częściej są one też stosowane do oświetlania budynków. Diody LED o dużej światłości wykorzystywane są w źródłach światła czwartej generacji. Typowy zakres temperatur pracy diod LED sięga od -40 do 100°C (od 233 do 373K). Jednakże liczne urządzenia techniczne przeznaczone są do pracy w zakresie niższych temperatur, w tym urządzenia stosowane do badań kosmicznych, w fizyce stała stałego, krioterapii i w przemyśle spożywczym. Artykuł prezentuje zachowanie diod LED w zakresie temperatur od 77K do 300K oraz wpływ temperatury na napięcie przewodzenia diod V (sub)f i jasność L. Badane diody obejmowały kolory: czerwony, żółty, zielony, niebieski, bursztynowy, żółto-zielony, biały i fioletowy. Wykazano, iż wraz ze zmianą temperatury niewielkiej zmianie ulega też widmo światła, gdy wraz ze spadkiem temperatury skraca się długość fal emitowanych przez diodę [2]. Obniżenie temperatury od 300 do 77K powoduje przesunięcie widma diod o około 30 nm w kierunku fal krótszych.
17
Staliwa typu Cr-Mo-V-Cu-Ni do pracy w warunkach zużycia ściernego w niskich temperaturach
Mikulska A.
Logistyka
|
2009
|
nr 6
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań zużycia ściernego w temperaturze 233 K staliw typu Cr-Mo-V-Cu-Ni pod kątem ich zastosowań w budowie maszyn na elementy odporne na ścieranie w niskich temperaturach. W artykule zaprezentowano plan badań doświadczalnych, technologię próbek, metodykę i wyniki badań zuzycia ściernego. Pokazano, ze dla każdego z rodzajów staliw w tym pracujących w niskich temperaturach celowe jest stosowanie metody planowania doświadczeń z komputerowym wspomaganiem obróbki wyników. Zastosowanie pełnoczynnikowej macierzy ortogonalnej 23
EN
In the article the results of tribological wear of cast steel Cr-Mo-V-Cu-Ni type on size in 223 K temperature conditions are presented. The plan of experimental researches, technology, methodics and the results of researches of abrasive wear are also presented. There was shown that for each of the cast steel type also for these working in low temperatures, it is useful to put the method of planning researches with the computer support of processing results into practice. Using the fullfactored orthogonal matrix 23st
18
Content available Pomiar wzmocnienia napięciowego scalonych wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 K do 300 K
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2008
|
R. 54, nr 6
371-373
PL
W artykule opisane jest badanie wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 K do 300 K. Charakterystyczną cechą wzmacniaczy operacyjnych CMOS jest histereza wejściowego napięcia niezrównoważenia dla pracy wzmacniacza przy otwartej pętli sprzężenia zwrotnego. W artykule opisany jest sposób, który pomimo istnienia histerezy wejściowego napięcia niezrównoważenia, pozwala na wykonanie pomiarów wzmocnienia napięciowego wzmacniaczy operacyjnych CMOS.
EN
The article describes study of the CMOS operational amplifiers within the temperatures ranging from 4,2 K to 300 K. The characteristic feature of CMOS operational amplifiers is hysteresis of input offset voltage for performance of amplifiers with open loop feedback. The method presented allows conducting measurements of voltage gain of CMOS operational amplifiers despite this hysteresis.
19
Content available Międzynarodowe porównania wzorców temperatury dla zakresu niskich temperatur
Szmyrka-Grzebyk A., Lipiński L., Kowal A., Manuszkiewicz H.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2008
|
R. 54, nr 9
662-665
PL
Międzynarodowa Skala Temperatury z 1990 r. zdefiniowana jest w zakresie temperatur od 0,6 K aż do kilku tysięcy stopni Celsjusza. W zakresie temperatur od 13,8033 K do 273,16 K termometrem interpolacyjnym jest czujnik platynowy termometru rezystancyjnego typu kapsułkowego wzorcowany w sześciu punktach stałych. Termometr platynowy oraz komórki do realizacji punktów stałych skali MST-90 stanowią wzorce temperatury w omawianym zakresie temperatur. W celu określenia dokładności realizacji skali i zapewnienia spójności pomiarowej między wzorcami państwowymi prowadzone są międzynarodowe porównania parametrów metrologicznych komórek termometrycznych i czujników temperatury.
EN
The International Temperature Scale of 1990 (ITS-90) defined between 0,65 K up to a few thousands Celsjus degrees is divided for several subranges where different types of interpolating thermometers are used. In the low temperature range from 13,8033 K up to 273,16 K a capsule type standards platinum resistance thermaometr calibated at six or eight fixed points is the interpolating instrument. The thermometer and cells for realization the fixed points are temperature standards in the temperature range. In order to determine of an accurace of the ITS-90 realization and to establish a degree of equivalence of the national standards international comparisons are organized. In the comparison, described in the paper, the temperature standards from INTiBS participate too.
20
Wzmacniacz AD8594 w niskich temperaturach
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 6
156-158
PL
W artykule opisano właściwości wzmacniaczy operacyjnych CMOS AD8594 w zakresie temperatur 4,2...300 K. Przedstawiono charak­terystyki trzech podstawowych parametrów w funkcji temperatury: wzmocnienia napięciowego, wejściowego napięcia niezrównoważenia i częstotliwości granicznej trzydecybelowej. W niniejszym artykule pokazano, że możliwa jest praca wzmacniacza AD8594 w temperaturze wrzenia ciekłego helu.
EN
The article describes behaviour of CMOS operational amplifiers AD8594 at temperatures from 4,2 to 300 K. The three basic parameters versus temperature are presented: open loop gain, offset and 3dB limit frequency. The article shows that operation of AD8594 amplifier is possible at temperature of liquid helium.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.