Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Przestrzennie skorelowana, submikrometrowa analiza właściwości morfologicznych, mechanicznych i chemicznych kompozycji epoksydowej domieszkowanej nanokrzemionką

Sikora A., Bednarz Ł., Warycha J., Moroń L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 10

14-16

PL

Submikrometrowe badania nanomateriałów są źródłem cennych informacji o ich unikatowych właściwościach. Jednak ze względu na często występujące niejednorodności materiałów, w zależności od lokalizacji wykonanych pomiarów, różnice między uzyskanymi wynikami mogą wynosić nawet kilkaset procent, istotnie utrudniając uzyskanie spójnych i miarodajnych rezultatów pomiarów przeprowadzanych z wykorzystaniem wielu metod i narzędzi diagnostycznych. Wobec powyższego konieczne jest zastosowanie łatwych w implementacji rozwiązań, pozwalających na skuteczną korelację przestrzenną uzyskanych wyników. W niniejszej pracy zaprezentowano zastosowanie nanomarkerów, wytwarzanych za pomocą sondy mikroskopu sił atomowych, w wieloetapowym procesie pomiarowym. Wykorzystanie wytworzonych nanostruktur umożliwiło przeprowadzenie analizy właściwości morfologicznych, mechanicznych oraz chemicznych kompozycji ściśle określonych struktur próbki epoksydowej domieszkowanej nanokrzemionką.

EN

Submicron investigations of the nanomaterials are the source of valuable data about their unique properties. However, due to often nonhomogeneities of the materials, the results of local properties measurements may vary even few hundred percents as various areas are analyzed. Therefore one needs the solution that would be easy to implement and provide effective positioning of the sample in order to obtain coherent and reliable outcome of the measurements carried out using various methods and diagnostic methods. In this work the utilization of the nanomarkers developed with the atomic force microscopy probe for multi-stage measurement procedure is presented. The application of the developed nanostructures allowed to perform spatially correlated analysis of the morphological, mechanical and chemical properties of the epoxy matrix with nanosilicate filler.

2

Koncepcja stanowiska do badań rozkładu przestrzennego czułości widmowej detektorów

Mikołajczyk J., Rakowski R., Rutecka B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 1

29-32

PL

W artykule przedstawiono koncepcję stanowiska do badań rozkładu przestrzennego czułości widmowej detektorów na potrzeby metrologii promieniowania z zakresu skrajnego nadfioletu EUV (ang. Extreme Ultraviolet) oraz miękkiego promieniowania X (ang. Soft X-ray). Zakres ten obejmuje promieniowanie o długości fali od 0,1 nm do 50 nm [1]. Badania będą miały na celu nie tylko wyznaczenie czułości detektorów, ale również ich powierzchniowej niejednorodności. Głównym elementem tego stanowiska jest źródło laserowo-plazmowe z tarczą gazową. Na podstawie przeprowadzonych wyników badań określono wymagania dotyczące doboru układu optycznego, jak również metody pomiarowej. Omówiono także układ pomiarowy przeznaczony do wyznaczania niejednorodności powierzchniowej czułości detektorów. Przedyskutowano wyniki wstępnych badań fotodiody krzemowej stosowanej w przyrządach pomiarowych promieniowania EUV oraz Soft X-ray.

EN

The paper presents a project of laboratory setup for detectors investigation applied in metrology of extreme ultraviolet and soft X-ray radiation. The main task of the work is determination both the detector responsivity and the non-uniformity of spatial responsivity. At the setup, a laser-plasma source with gas-puff target is used. Basing on the measured parameters of the source, the requirements for optical elements and a measurement method have been specified. A special investigation procedure of the spatial non-uniformity of detector responsivity is described. The preliminary results of silicon photodiode investigations are also presented and discussed.

3

Jak powstają te maleństwa?

Sulima R.

Nowa Elektrotechnika

|

2008

|

nr 5 (45)

1--4

4

Wytwarzanie mikro- i nanostruktur metodami mikroskopii bliskich oddziaływań

Kolanek K., Gotszalk T., Zielony M., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 5

9-11

PL

Postęp w dziedzinie wytwarzania urządzeń półprzewodnikowych i układów scalonych wynika głównie z procesu miniaturyzacji. W wyniku miniaturyzacji wzrasta wydajność oraz zmniejsza się pobór mocy zaawansowanych przyrządów elektronicznych. W chwili obecnej technologia fotolitografii jest podstawowym narzędziem pozwalającym wytwarzać zawansowane przyrządy półprzewodnikowe. Tworzenie przyrządów o rozmiarach poniżej 100 nm powoduje znaczne problemy technologiczne. Nanolitografia, technika mikroskopii bliskich oddziaływań, wykorzystująca proces lokalnej anodyzacji powierzchni, jest zaawansowaną techniką pozwalającą wytworzac wzory na powierzchni półprzewodnika. Ze względu na precyzyjną kontrolę procesu lokalna anodyzacja jest wszechstronną techniką pozwalającą wytwarzać wzory nanostruktur. Łącząc technikę nanolitografii z procesem mokrego trawienia można wytworzyć nanostruktury o szerokości linii poniżej 100 nm. Przedstawiona technologia może w niedalekiej przyszłości posłużyć do wytwarzania przyrządów elektroniki kwantowej.

EN

Rapid progress in fabrication of the semiconductor devices and integrated circuits is mainly due to miniaturization. As a result of the miniaturization process improved performance and reduced power consumption is introduced to high- end electronic devices. At the present state mainly photolithography tools are used for developing electronic devices. Fabrication of nanostructures below 100 nm regime by conventional photolithographic techniques leads to technological limitations. Nanolithography based on local anodic oxidation by atomic force microscopy is a promising technique for patterning nanostructures on silicon substrates. Due to its versatility and precise control, local anodic oxidation is suited for preparing well defined nanostructures. By the combination of nanolithography and wet etching, nanostructures with a line width below 100 nm may be fabricated. Presented technology could be used to fabricate quantum devices in the near future.

5

Application of laser-plasma source with gas-puff target for calibration of EUV radiation detectors

Mikołajczyk J., Bielecki Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 12

51-54

EN

The paper presents a laboratory setup with a procedure used for measurements of detector responsivity. The responsivity is specified in the range of extreme ultraviolet radiation (wavelength of 13.5 nm). This spectrum range is an important factor determining the next step of nanolithography. The main issue of this technology is an absolute measurement of radiation energy. The constructed laser-plasma source with a metrology chamber gave opportunity to design a special calibration procedure of EUV detectors used in energy meters. The described laboratory setup is characterized by a good reliability, low costs of operation, and a short time of measurement procedures.

PL

Przedstawiono stanowisko laboratoryjne do pomiarów czułości widmowej detektorów promieniowania zakresu skrajnego nadfioletu (λ= 13,5 nm). Promieniowanie to jest szczególnie istotne, gdyż stanowi perspektywę dalszego rozwoju nanolitografii. Obecnie zasadniczym zagadnieniem tej technologii są bezwzględne pomiary energii promieniowania. Skonstruowanie w Instytucie Optoelektroniki WAT źródła laserowo-plazmowego z tarczą gazową dało możliwość przygotowania specjalnej procedury testującej. Opracowane na podstawie badań wstępnych stanowisko laboratoryjne charakteryzuje się dużą niezawodnością małymi kosztami eksploatacji oraz krótkim czasem trwania procedury pomiarowej detektorów promieniowania z zakresu skrajnego nadfioletu.

6

Modelowanie wieloskalowe w zastosowaniach do nanotechnologii

Paszyński M.

Hutnik, Wiadomości Hutnicze

|

2006

|

Vol. 73, nr 4

188-194

PL

W artykule przedstawiono ideę modelowania wieloskalowego, w którym problemy makro- i mezoskalowyrozwiązywane są w tym samym czasie. Jest to możliwe poprzez równoczesne rozwiązanie równań statyki cząsteczkowej dla problemu mezoskalowego oraz sformułowania wariacyjnego Metodą Elementów Skończonych (MES) dla problemu makroskalowego. Model mezoskalowy zastosowano w tych obszarach, w których konieczna jest duża dokładność rozwiązania, podczas gdy w pozostałych obszarach zastosowano model makroskalowy. Na łączu pomiędzy modelami cząstki modelu mezoskalowego utożsamiane są z węzłami siatki MES. Przedstawiono przykładowe symulacje wieloskalowe procesu nanolitografii (Step-and-Flash Lithography SFIL).

EN

The paper presents an idea of multiscale modelling, where macro- and mezo-scale problems are solved at the same time. It is done by simultaneous solving equations of molecular statics for mezoscale problem and variational formulation by Finite Element Method (FEM) for macroscale problem. On the interface between macroscale and mezoscale models, mezoscale particles are identified with nodes of FE mesh. The presented example involves simulations of the nanolithography process (Step-and-Flash Imprint Lithography SFIL).

7

Wytwarzanie przyrządów elektroniki kwantowej metodami mikroskopii bliskich oddziaływań

Kolanek K., Gotszalk T., Woszczyna M., Masalska A., Zawierucha P., Mulak P., Szeloch R., Zielony M., Janus P., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 5

27-29

PL

Ciągły rozwój technologii półprzewodnikowej powoduje wzrost skali integracji, szybkości działania układów elektronicznych oraz zmniejszenie pobieranej przez nie mocy. Obecny stan technologii opiera się głównie na technice fotolitografii i osiąga kres swoich możliwości zmniejszania charakterystycznych wymiarów przyrządów półprzewodnikowych. Przewiduje się, że fotolitografia nie zapewni tworzenia przyrządów półprzewodnikowych o rozmiarach charakterystycznych mniejszych od 30 nm. Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do lokalnej anodyzacji powierzchni otwiera nowe perspektywy wykonywania wzorów o wymiarach mniejszych od 30 nm. Zaletą tej techniki jest możliwość zarówno wytwarzania, jak i jednoczesnej diagnostyki wygenerowanych wzorów. Przedstawiono wyniki eksperymentów prowadzonych w laboratorium mikroskopii bliskich oddziaływań, nanostruktur i nanomiernictwa WEMiF z Politechniki Wrocławskiej.

EN

Rapid progress in semiconductor technology leads to greater scale of integration, improved speed and a reduced amount of the needed power of the electronic devices. At the present time mainly photolithography tools are used for developing electronic devices. Now the tools are working on the edge of the performance. Scanning probe microscopy is one of the methods which may be applied not only to surface visualization but also to modification. In this paper we describe local anodization process, which may be applied to create patterns on semiconductor and metallic surfaces. Control software of the atomic force microscope transfers designed patterns on the surface. We will present our research conducted in Laboratory of scanning probe microscopy, nanostructures and nanometrology in the Faculty of Microsystems Electronics and Photonics at Wroclaw University of Technology.

8

Układy detekcji promieniowania z zakresu skrajnego nadfioletu

Bielecki Z., Mikołajczyk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 9

46-51

PL

Przedstawiono układ detekcji promieniowania z zakresu skrajnego nadfioletu (13,5 nm). Układ służy do kontrolowania pracy źródła laserowo-plazmowego z tarczą gazową, skonstruowanego w Instytucie Optoelektroniki WAT. Składa się on z głowicy detekcyjnej oraz układu filtrów optycznych, które są umieszczone w specjalnej konstrukcji mechanicznej. Jego dodatkowym wyposażeniem jest układ przetwarzania sygnałów umożliwiający zautomatyzowanie procesu pomiarowego. Prezentowany układ detekcji został użyty w badaniach optymalizujących pracę źródła laserowo-plazmowego. Wyniki porównano z danymi otrzymanymi z miernika komercyjnego E-mon i spektrografu.

EN

The paper presents a measuring system of extreme ultraviolet radiation pulses (13.5 nm). The system is used for monitoring a gas-puff laser-plasma source constructed at the Institute of Optoelectronics. The radiation source and the system are used in metrology of EUV optics. The system consists of a detection head and a system of optical filters, which are housing in a special construction. Additional element of the measuring system is a special processing unit. The measuring system was used during investigations of the plasma-laser source optimization. The results were comparable with the ones from a spectrograph and an E-mon energy meter.

9

Pomiary energii promieniowania skrajnego nadfioletu

Mikołajczyk J., Bielecki Z.

Diagnostyka

|

2006

|

nr 3(39)

155-160

PL

W pracy omówiono system detekcji promieniowania skrajnego nadfioletu. Umożliwia on pomiar energii impulsów promieniowania w zakresie długości fal (13,5 š 0,5) nm. Przeprowadzone analizy i badania miały na celu określenie możliwości odniesienia wyników uzyskanych w tym zakresie długości fal do pasma (13,5 š 0,13) nm. W pracy zaprezentowano wyniki pomiaru widma promieniowania emitowanego ze źródła laserowo-plazmowego z ksenonową tarczą gazową dla różnych warunków wytwarzania plazmy. Na podstawie rezultatów otrzymanych za pomocą wzorcowego przyrządu E-Mon wyznaczono wartość tzw. skalibrowanej czułości widmowej systemu, która umożliwia odniesienie wyników pomiarów do pasma (13,5 š 0,13) nm.

EN

The paper presents the IOE detection system for energy measurement of EUV radiation. The system measures energy of radiation pulses within the wavelength range of (13,5 š 0,5) nm. The described analyses and experiments determine possibilities of reference of results obtained from the system to the spectral range of (13,5 š 0,13) nm. The changes of radiation spectrum emitted from a laser-plasma source with xenon gas-puff target are presented. The results obtained from the standard E-Mon meter make it possible to determine a calibrated sensitivity of the IOE detection system within the wavelength range of (13,5 š 0,13) nm.

10

Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie

Gotszalk T., Sikora A., Kolanek K., Szeloch R., Szmidt J., Grabiec P., Rangelow I. W., Mitura S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

14-18

PL

Obserwowane obecnie tendencje w rozwoju systemów elektronicznych i tzw. mikrosystemów, które łączą w sobie zarówno funkcje przetwarzania sygnałów elektronicznych, jak i oddziaływań mechanicznych, chemicznych, itp. wyrażają się w znacznym zmniejszeniu tzw. wymiaru charakterystycznego do setek i dziesiątek nanometrów. W opracowaniu przedstawiono przegląd metod bliskiego pola zarówno w zastosowaniach diagnostycznych jak i technologicznych, które pozwalają zaspokoić skrajnie trudne warunki powstałe na drodze do nanoelektroniki, a ogólnie do nanotechnologii. Badania i wytwarzanie tego typu układów wymagają nowatorskiego podejścia, które musi uwzględniać prawa fizyki kwantowej.

EN

In last decades rapid progress in fabrication of integrated circuits and microsystems has been observed. Simultaneously novel problems connectec with measurements of such devices and microelectronical materials were defined. In our work we will describe the application of scanning probe microscopy based methods in measurements of physical properties of microelectronical devices and materials. We will present methdos and techniques, which were developed at the Faculty of Microsystem Electronic; and Photonics of Wroclaw University of Technology. In this experiments we used novel nearfield sensors and measurement electronics to describe quantitavely the surface properties. We will present preliminary results on fabrication of nanostructures, which can be applied as quantum electronical devices like: quantum points and single electron transistors.