Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Output voltage control in the Class E ZVS inverter by frequency or reactance regulation

Mikolajewski Mirosław

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 9

8--15

EN

The paper presents results of an analysis of the Class E ZVS inverter in which output voltage is controlled by regulation of its operating frequency or by variations of the reactance of its series resonant circuit at the nominal frequency. Regulation characteristics of the inverter output voltage and output power versus operating frequency or reactance variation have been found. The boundaries of ZVS operation of the inverter have also been identified. Theoretical results have been validated by simulation and experimental results.

PL

W artykule prezentowane są wyniki analizy falownika klasy E ZVS, w którym napięcie wyjściowe regulowane jest poprzez zmianę częstotliwości pracy lub zmianę wartości reaktancji szeregowego obwodu rezonansowego przy stałej częstotliwości pracy. Dla analizowanego układu wyznaczono charakterystyki regulacji napięcia wyjściowego, mocy wyjściowej oraz warunki pracy ZVS. Otrzymany opis teoretyczny parametrów falownika zweryfikowano poprzez symulację i pomiary układu eksperymentalnego.

2

Wzmacniacz klasy E ze zmienną impedancją obciążenia

Mikołajewski Mirosław

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 9

136--141

PL

W wielu zastosowaniach rezonansowych wzmacniaczy klasy E np. nagrzewnicach indukcyjnych, przetwornicach napięcia stałego, bezprzewodowych ładowarkach itp. wymagana jest praca układu ze zmienną impedancji obciążenia i wysoką sprawnością energetyczną. W artykule przedstawiono wyniki analizy pracy wzmacniacza klasy E zaprojektowanego dla warunków optymalnych, sinusoidalnego prądu wyjściowego oraz unormowanego czasu włączenia tranzystora kluczującego D=0,5 w warunkach zmian zarówno impedancji obciążenia jak i częstotliwości pracy.

EN

In industrial applications such as e.g. induction heaters, dc/dc converters and wireless battery chargers Class E ZVS resonant amplifiers are often required to operate efficiently with variable both load impedance and operation frequency. The paper presents analysis results for the basic Class E ZVS amplifier designed for nominal operation with a sinusoidal output current and normalized transistor on-time D=0.5 loaded with variable impedance and operated at regulated frequency.

3

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

Mikołajewski M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 11

80--83

PL

W referacie przedstawiono obliczenia projektowe oraz rezultaty pomiarów dla rezonansowego wzmacniacza klasy E z tranzystorem GaN GS61008P. Dla zbudowanego układu o nominalnych parametrach: moc wyjściowa POnom= 100 W, częstotliwość fpnom= 13,56 MHz, napięcie zasilania EZnom= 24 V opracowano efektywny bramkowy układ sterujący o minimalnej mocy zasilania PZDR = 0,22 W. W pracy zbadano wpływ sposobu sterowania kluczem tranzystorowym na sprawność energetyczną wzmacniacza przy częstotliwościowej (FM) regulacji mocy wyjsciowej. Ponadto, wskazno na konieczność zabezpieczenia tranzystora GaN przed uszkodzeniem na wypadek zaniku bramkowego sygnału sterującego w układach zasilanych dławikowo.

EN

In the paper a design project and measurement results for a resonant Class E amplifier with a GaN GS61008P transistor have been presented. The designed and built amplifier operated at the frequency fnom= 13.56 MHz with output power POnom= 100 W from suppy voltage EZnom= 24 V, and minimum supply power of its gate driver was only PZDR= 0.22 W. Frequency control of the amplifier h.f. output power and the amplifer efficiency were tested for various methods of the transistor driving. Moreover, it was proved that GaN transistors require overvoltage protection circuits if applied to h.f. amplifiers with a supply choke.