Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The effect of repeated heating on corrosion resistance, hardness and microstructure of a Co-Cr-W prosthetic alloy

Rzepkowska M., Burnat B., Pietnicki K., Skrzypek S., Klimek L.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2020

|

Vol. 99, nr 2

64--71

EN

Purpose: of this article is to present the results of tests carried out on the impact of repeated heating on the corrosion resistance of a Co-Cr-W prosthetic alloy. Design/methodology/approach: The study used samples prepared in a manner analogous to the production of a dental prosthesis. The effect of three and six-time heating of the material on its properties such as corrosion resistance, microstructure and material hardness were carried out. Findings: Repeated heating of the chromium-cobalt alloy has no significant effect on the polarization resistance and the potentiodynamic characteristics of the material. The introduction of heating in alloy treatment results in an increase in the hardness of the material, however, the number of annealing cycles does not affect this feature significantly. Samples subjected to different amounts of thermal treatments have different microstructure; it should be assumed that this will change the mechanical properties. Research limitations/implications: Microstructure tests carried out after electrochemical corrosion tests showed changes in the microstructure of samples subjected to subsequent annealing. The tests of material hardness and corrosion did not show any significant differences that may result from differences in structure, therefore further tests characterizing the physical properties of the material will be carried out. Originality/value: The article is a description of preliminary research on the impact of multiple annealing used in dental prosthetics on the properties of metallic material. Further work will be carried out to identify the properties that may be affected by the indicated changes in microstructure.

2

Wpływ wysokotemperaturowego wygrzewania na właściwości cienkich warstw TiO₂ wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego

Mazur M., Wojcieszak D., Obstarczyk A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2018

|

Vol. 59, nr 7

10--13

PL

W pracy przedstawiono wyniki badania wpływu wygrzewania wysokotemperaturowego cienkich warstw TiO₂ na ich właściwości strukturalne, optyczne oraz trybologiczne. Cienkie warstwy TiO₂ zostały wytworzone w ciągłym oraz sekwencyjnym procesie rozpylania magnetronowego. Wygrzewanie wysokotemperaturowe miało znaczący wpływ na zmianę struktury cienkich warstw z fazy anatazu na mieszaninę anatazu i rutylu. Ponadto wygrzewanie poprocesowe spowodowało znaczny spadek współczynników transmisji światła w obu przypadkach z 80% do 50%. Zaobserwowano także przesunięcie długości fali odcięcia w kierunku podczerwieni o około 20÷25 nm. Badania przedstawione w pracy pokazały, że twardość również się zmniejsza z 10 GPa dla warstw po naniesieniu do zaledwie 3 GPa (proces ciągły) oraz 6,2 GPa (proces sekwencyjny).

EN

This paper provides research investigation results and analysis of influence of the high-temperature annealing on the structural, optical and tribological properties of TiO₂ thin film coatings. Thin-film coatings were deposited in continuous and sequential processes using multi-magnetron sputtering stand. High-temperature annealing had a significant effect on the change of the structure of thin film coatings from the anatase to the mixture of anatase and rutile phase. In addition, post-process annealing caused a significant decrease of the transparency level in both cases from 80% to 50%. It was also observed that λcut-off was shifted towards the infrared wavelength range of ca. 20÷25 nm. Research on tribological properties shown that hardness decreases from 10 GPa for as-deposited thin films to 3 GPa (deposited in continuous process) and 6.2 GPa (deposited in sequential process) for annealed coatings.

3

Wpływ wysokotemperaturowego wygrzewania próżniowego na lutowność Inconelu 718 lutem Palnicro 36

Dul I., Senkara J., Bober M., Jakubowski J.

Przegląd Spawalnictwa

|

2013

|

R. 85, nr 9

15--19

PL

Lutowanie twarde Inconelu 718 jest utrudnione ze względu na zawartość w materiale dodatków stopowych o wysokim powinowactwie do tlenu. Ponadto w praktyce przemysłowej detale przed lutowaniem przechodzą szereg operacji technologicznych w podwyższonej temperaturze w próżni. Celem pracy było zbadanie, jaki wpływ mają procesy wyżarzania próżniowego na lutowność Inconelu 718 lutem Palnicro 36. Badano zwilżalność i rozpływność ciekłego lutu na powierzchni materiału wyżarzanego uprzednio w próżni w różnych warunkach czasu i temperatury, a także mikrostrukturę złączy lutowanych. Ustalono, iż lutowność Inconelu 718 lutem Palnicro 36 pogarsza się ze wzrostem temperatury uprzedniego wyżarzania w próżni.

EN

Brazing of Inconel 718 is difficult due to the presence of alloying material with high affinity for oxygen. Moreover, in commercial practice, the machine parts before brazing pass a number of technological operations at elevated temperature in vacuum. The aim of this study was to investigate the effect of vacuum annealing processes of Inconel 718 on the brazeability of Palnicro 36 brazing filler metal. The wetting and spreading of the liquid brazing filler metal were studied on the surface of the material previously annealed in vacuum at different conditions of time and temperature, and the structure of brazed joints. It was found that the brazeability of Inconel 718 by Palnicro 36 brazing filler metal deteriorates with increasing the previous annealing temperature in the vacuum.

4

The changes of ADI structure during high temperature annealing

Krzyńska A., Kaczorowski M.

Archives of Foundry Engineering

|

2010

|

Vol. 10, iss. 1 spec.

87--92

EN

The results of structure investigations of ADI during it was annealing at elevated temperature are presented. Ductile iron austempered at temperature 325 °C was then isothermally annealed 360 minutes at temperature 400, 450, 500 and 550 °C. The structure investigations showed that annealing at these temperatures caused substantial structure changes and thus essential hardness decrease, which is most useful property of ADI from point of view its practical application. Degradation advance of the structure depends mainly on annealing temperature, less on the time of the heat treatment. It was concluded that high temperature annealing caused precipitation of Fe3C type carbides, which morphology and distribution depend on temperature. In case of 400 °C annealing the carbides precipitates inside bainitic ferrite lath in specific crystallographic planes and partly at the grain boundaries. The annealing at the temperature 550 °C caused disappearing of characteristic for ADI needle or lath – like morphology, which is replaced with equiaxed grains. In this case Fe3C carbides take the form very fine precipitates with spheroidal geometry.

5

Procesy wysokotemperaturowe w węgliku krzemu

Kalinowski A., Kubiak A., Kubiak J., Polański K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

38-40

PL

Omówiono wykorzystanie węglika krzemu w nowoczesnej mikroelektronice. Właściwości tego materiału pozwalają na stosowanie go do wytwarzania nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych mocy. które ze względu na szeroką przerwę energetyczną SiC mogą pracować w wysokich temperaturach. Wysokie krytyczne natężenie pola przebicia pozwala na wykonywanie złączy wysokonapięciowych o napięciach przebicia przekraczających 10 kV. Prace prowadzone w Zakładzie Przyrządów Półprzewodnikowych nad węglikiem krzemu mają na celu opracowanie technologii wytwarzania złączy metodą dyfuzji termicznej.

EN

The primary goal of the paper is to present advantages of silicon carbide as a new material in modern microelectronics. Due to its unique physical parameters silicon carbide is suitable to produce semiconductor power devices working in high temperatures because of wide bandgap. The high permissible electrical field allows making high breakdown voltage junctions up to 10 kV. The investigations run in Semiconductor Devices Division concern thermal diffusion technology in silicon carbide.