Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Efekty polowe w warstwach tlenkowych

Olesik J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 3

85-89

PL

W pracy badano właściwości emisyjne cienkich i domieszkowanych warstw In₂O₃ i SnO₂ (ITO). Warstwy tlenkowe były nałożone na podłoża szklane i poddane działaniu pola elektrycznego i światła UV. Badano wtórną emisję elektronów sterowaną polem elektrycznym oraz połowo indukowaną emisję elektronową. Natężenie pola elektrycznego wewnątrz emitera było rzędu 1 MV/m. Polowe zjawiska emisyjne bazują na efekcie Maltera. Metoda emisji indukowanej polem polega na analizie widma impulsów napięciowych z powielacza elektronowego. Wyznaczono wydajność emisyjną i rozkłady energetyczne elektronów w zależności od natężenia pola elektrycznego wewnątrz emitera, grubości warstwy ITO oraz oświetlenia. Wyjaśniając mechanizm tych zjawisk podano główne założenia polowego rozdziału warstwy ITO na strefę zubożoną i wzbogaconą w nośniki ładunku. Zaproponowano fenomenologiczny model zjawisk emisyjnych uwzględniający cztery typy mechanizmów emisji elektronowej wywołanej działaniem pola elektrycznego oraz efektami powierzchniowymi i objętościowymi.

EN

In this work, emission properties of thin and doped In₂O₃ and SnO₂ layers (ITO) have been studied. The films were deposited on a glass substrate and exposed to electric field and UV light. The studied emission phenomena were: field induced secondary electron emission and field induced electron emission. Electric field inside the emitter was of the order of 1 MV/m. The field induced electron emission (FIEE) is based on Malter effect. The FIEE measurements relied on determination and analysis of voltage pulse amplitude spectra from a photomultiplier. Emission yield and electron energy distributions as a function of field intensity in the emitter, the ITO thickness and UV illumination have been determined. A phenomenological model of the investigated phenomena has been suggested which includes four types of emission mechanisms: an ordinary one (induced exclusively by electric field) and another caused mainly by surface, volume and tunnel effects.

2

Fotowoltaika - wykorzystanie energii słonecznej

Sosnowski J.

Nowa Elektrotechnika

|

2007

|

nr 9 (37)

28--31

3

Photoemission study of CeRh(1-x)PdxAl. The effect of Pd doping on the electronic structure

Głogowski W., Ślebarski A.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

551--555

EN

In view of a contrasting behaviour of Pd-containing and Rh-containing systems, we investigate solid solutions CeRh1-xPdxAl in order to determine the dependence of their electronic properties on the number of the conduction electrons. We present structural and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) data for CeRh1-xPdxAl. We also discuss the influence of the number of free electrons in the conduction band on the stability of the crystallographic structure and the occupation number of the f-shell.

4

Fotoemisja a przejścia optyczne

Wojas J., Wojas W.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2003

|

Vol. 52, nr 12

49-88

PL

Treścią pracy jest analityczne przedstawienie mechanizmu fotoemisji skorelowanego z przejściami optycznymi. Przedyskutowano klasyczne modele pasmowe fotoemisji zależne od przejść objętościowych. Omówiono wpływ przypowierzchniowego wygięcia pasm energetycznych na parametry fotoemisji. Z danych doświadczalnych: z widm odbicia, z widm wydajności kwantowej i rozkładu fotoelektronów zostały wyciągnięte informacje co do energetycznej struktury warstw przypowierzchniowych półprzewodników, przedstawionych na rysunkach.

EN

The paper is devoted to the analysis of photoemissive mechanism which is corelated with the optical transitions of electrons. The classical models of photoemission based on the volume, optical transitions are discussed. The dependence of the photoemissive parameters of semiconductors on the surface band bending is described. From the experimental data: for example from the reflective spectra the quantum yield functions and the photoelectron distributions, the informations about the energy structure of surface layers of semiconductors are indicated and presented in the graphic form.