PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 16

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotodioda
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Porównanie właściwości dynamicznych wybranych czujników fotometrycznych
Ptak Przemysław, Górecki Krzysztof, Gensikowski Michał
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
110--114
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów dynamicznych dwóch arbitralnie wybranych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te wykonano z użyciem fotodiody oraz fototranzystora. Mogą być one wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą wykonanego układu pomiarowego zarejestrowano kształt napięcia na oświetlonych czujnikach fotometrycznych. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the dynamic parameters of two arbitrarily selected photometric sensors. These sensors contain a photodiode or a phototransistor. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. The waveform of voltage of illuminated photometric sensors has been recorded with the use of the authors’ measurement system. The obtained measurement results were presented and discussed.
2
Content available Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Dobrovolsky Yurii G., Lipka Volodymyr M., Strebezhev Volodymyr V., Sorokatyi Yurii O., Sorokatyi Mykola O., Andreeva Olga P.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2020
|
T. 10, nr 1
36--39
EN
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
PL
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
3
Content available remote Porównanie właściwości statycznych wybranych czujników fotometrycznych
Ptak Przemysław, Gensikowski Michał, Kołodziejczyk Paweł, Górecki Krzysztof
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
138--141
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych czterech różnych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te mogą być wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą rozważanych czujników zmierzono parametry charakteryzujące promieniowanie emitowane przez pięć różnych źródeł światła. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the static parameters of four different light intensity sensors. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. Using considered light sensors, the radiation emitted by five different light sources was measured. The obtained results were presented and discussed.
4
Content available remote Temperature compensated bias supply circuit for photodiodes
Chughtai M. T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 10
207--209
EN
The light detection efficiency of Photon detecting components is very much dependent on the operating temperature. Rise in operating temperature reduces their ability of photon detection and reduced output signal. This effect becomes prominent in the cases where very weak signals are needed to be detected. There are various methods which can be applied to cater for the situation of changing ambient temperature or the temperature of the component itself. This study present a method which tracks the temperature changes as seen by the device and hence adjusts the bias voltage being supplied to it. The bias voltage mainly depends upon the temperature coefficient of the component and hence adjusts itself. Design and testing method of bias power supply are presented along with the graphical presentation of result.
PL
Pomiar światła przy wykorzystaniu fotodiody bardzo zależy od temperatury – szczególnie w przypadku małego sygnału wyjściowego. W zaproponowanym układzie zasilania zmienia się napięcie w zależności od temperaury.
5
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 18
18--20
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
6
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 19-20
19--22
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
7
Analiza wzmacniacza transimpedancyjnego współpracującego z fotodiodą i przełączanymi źródłami światła
Domański G., Konarzewski B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2017
|
Vol. 58, nr 7
23--27
PL
W artykule przedstawiono analizę układu wzmacniacza transimpedancyjnego współpracującego z fotodiodą i przełączanymi źródłami światła. Wyznaczono błąd sygnału spowodowanego pamiętaniem przez układ sygnału dla poprzedniego źródła światła oraz stosunek sygnału wyjściowego do niepewności pomiarowej. Wnioski z analizy mogą służyć do optymalizacji układów detekcji światła ze wzmacniaczami operacyjnymi i przełączanymi źródłami światła.
EN
In the article the analysis of the cross-talks in trans-impedance amplifier working with a photodiode and swicthed light sources was presented. The error caused by cross-talks and the signal to noise ratio were determined. The conclusions of this analysis may be used for optimization of light detection circuits with operational amplifiers and switched light sources.
8
White LED compared with other light sources: age-dependent photobiological effects and parameters for evaluation
Rebec K. M., Klanjsek-Gunde M., Bizjak M., Kobav M. B.
International Journal of Occupational Safety and Ergonomics
|
2015
|
Vol. 21, No. 3
391--398
EN
Ergonomic science at work and living places should appraise human factors concerning the photobiological effects of lighting. Thorough knowledge on this subject has been gained in the past; however, few attempts have been made to propose suitable evaluation parameters. The blue light hazard and its influence on melatonin secretion in age-dependent observers is considered in this paper and parameters for its evaluation are proposed. New parameters were applied to analyse the effects of white light-emitting diode (LED) light sources and to compare them with the currently applied light sources. The photobiological effects of light sources with the same illuminance but different spectral power distribution were determined for healthy 4–76-year-old observers. The suitability of new parameters is discussed. Correlated colour temperature, the only parameter currently used to assess photobiological effects, is evaluated and compared to new parameters.
9
Content available Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 8
583--586
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetlenia/napięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.
EN
The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
10
Fotodioda RGB w niskiej temperaturze
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 6
12-14
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania scalonej fotodiody krzemowej RGB (ang. R – red, G – green, B – blue) w zakresie temperatury od temperatury wrzenia ciekłego azotu do temperatury otoczenia (77K–300K). Przedstawiono charakterystyki zmian prądu fotodiody If w funkcji wymuszenia świetlnego dla różnych wartości temperatury, dla każdego kolory fotodiody. Dla dwóch wartości wymuszenia świetlnego przedstawiono charakterystyki przetwarzania: prąd fotodiody If w funkcji temperatury.
EN
The paper presents the results of tests of performance of 3-channel/1Chip RGB (R – red, G – green, B – blue) Si photodiode within the range of temperatures from the boiling point of liquid nitrogen to the ambient temperature (77K–300K). There are included characteristics of changes of photodiode current If in the function of light input for different temperature values, for each colour of the photodiode. For two values of light input are presented the processing characteristics: the photodiode current If in the function of temperature.
11
Analysis of temperature dependence of dark current mechanisms in MWIR type-II superlattice photodiodes
Wróbel J., Madejczyk P., Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
113-116
EN
We report on temperature dependence characteristics of mid wavelength InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes in a temperature range from 120 K to 240 K. A bulk based model with an effective bandgap of superlattice material has been used in modelling of the experimental data. Temperature and bias dependent differential resistances have been analyzed in detail due to contributing mechanisms that limit the electrical performance of the diodes. C1-HH1 reduced mass was estimated from the fitting to the high reverse bias (< - 1.0 V) voltage, and given about 0.015 m0 in the whole considered temperature range. This value agree well with much more complex simulations and cyclotron resonance measurements. Obtaining so good results was possible thanks to including series resistance into calculations.
PL
W pracy przedstawiono analizę charakterystyk prądowo-napięciowych oraz rezystancji dynamicznych fotodiod PIN z supersieci II typu InAs10ML/ GaSb10ML zakresu średniej podczerwieni. Rozważania teoretyczne transportu nośników przeprowadzono stosując teorię Shockley’a złącza wykonanego w materiale objętościowym. W zakresie temperatur 120 - 240 K zaobserwowano kilka mechanizmów składowych prądu ciemnego, w tym: mechanizm dyfuzyjny i generacyjno-rekombinacyjny, dwa mechanizmy tunelowania, oraz upływność powierzchniową. W obliczeniach uwzględniono również wpływ rezystancji szeregowej, który szczególnie w zakresie temperatur osiąganych przez chłodziarki termoelektryczne (T > 180 K), okazał się znaczący. Wybrane parametry dopasowujące uzyskane z analitycznych zależności na składowe prądu ciemnego (w tym masę zredukowaną przejścia C1-HH1) zostały porównane z dostępnymi literaturowymi danymi eksperymentalnymi.
12
Zachowanie fotodiody w niskiej temperaturze
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
30-32
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody krzemowej typu SFH203 w zakresie temperatury 77...300K. Przedstawiono charakterystyki zmian prądu zwarcia Ιf, w funkcji temperatury dla różnych wartości natężenia oświetlenia Ε dla 5 egzemplarzy fotodiody. Zaproponowano nowatorskie wykorzystanie fotodiody do konstrukcji kriogenicznego przetwornika światło/napięcie pracującego w temperaturze 77K. Zaprezentowano też charakterystyki przetwarzania kriogenicznego przetwornika i pokazano, jaki jest wpływ temperatury na działanie poszczególnych składników tego przetwornika.
EN
In the paper are presented results of the tests of behaviour of silicon photodiode SFH203 in temperature range from 77...300K. There are included characteristics of changes of short-circuit current Ιf, of the photodiode versus temperature for different values of illuminance Ε for 5 photodiodes. There is proposed innovative usage of the photodiode for building a cryogenic light-to-voltage converter working at temperature of 77K. The paper also includes characteristics of processing of the cryogenic converter and presents the influence of temperature on particular components of the converter.
13
Content available Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT101
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2011
|
R. 57, nr 12
1537-1539
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania czujnika optoelektronicznego OPT101, który jest fotodiodą zintegrowaną z wewnętrznym wzmacniaczem operacyjnym. Czujnik jest przetwornikiem natężenie oświetlenia/napięcie. Przedstawiono charakterystyki napięcia na wyjściu czujnika VO w funkcji temperatury T dla różnych wartości natężenia oświetlenia. Przedstawiono wyniki badań prądu fotodiody ID w funkcji temperatury i natężenia oświetlenia. Przebadano wzmocnienie wewnętrznego wzmacniacza operacyjnego. Pokazano wpływ temperatury na pasmo częstotliwościowe wewnętrznego wzmacniacza.
EN
The paper presents results of tests on behaviour of an OPT101 optoelectronic sensor (Figs. 1, 2) being a photodiode integrated with an internal operational amplifier. The sensor is a converter of luminous emittance to voltage. Fig. 3 shows a measuring position. The sensor was tested at temperature TX, and the model sensor was at temperature T = 20 °C. In Figs. 4 and Fig. 5 there are presented characteristics of voltage VI at the sensor output as a function of temperature T for five different values of the voltage at the sensor model output VM. There are also included the results of determining the photodiode current ID as a function of temperature for five different values of VM (Fig. 8). The internal amplifier gain was also tested and it was proved that the amplifier gain in low temperatures close to 77K depended strongly on the current of the feedback loop consisting of the internal operational amplifier; the higher the current, the lower the amplification decrease (Fig. 10). In the paper there is also discussed the influence of the temperature on the internal amplifier frequency band (Fig. 11). In the summary there is stated that, when taking into consideration the maximum relative error of 3% , it is possible to use the sensor in the temperature range from -180 °C to 20 °C.
14
Content available Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-XCdXTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Królicka A.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
14-29
PL
Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej oraz analiza tej metody. W pierwszej kolejności otrzymane warstwy epitaksjalne poddawano procesowi technologicznemu i w ten sposób uzyskiwano gotowe fotodiody. Dokonano też pomiarów czasu trwania poszczególnych etapów procesu technologicznego. Uzyskane detektory poddawano następnie pomiarom w celu wyznaczenia ich charakterystyk prądowo-napięciowych oraz spektralnych. Na podstawie analizy tych charakterystyk oraz z wykonanych obliczeń otrzymano parametry diod, które następnie porównano z parametrami na jakie zaprojektowano heterostruktury oraz z wartościami literaturowymi. Zarówno w tym przypadku, jak i podczas przeprowadzania procesu technologicznego dążono do jak największego zminimalizowania czasu potrzebnego na wykonanie każdego etapu przy jednoczesnym zachowaniu staranności i dokładności wykonywanych czynności. Istotą postępowania było bowiem jak najszybsze uzyskanie informacji zwrotnej dotyczącej parametrów otrzymanych heterostruktur w celu porównania ich z założeniami wstępnymi i ewentualnego szybkiego skorygowania procesu epitaksji, dążąc tym samym do jego usprawnienia.
EN
The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedures and thus complete photodiodes were fabricated. The duration of measurements of each process stage was quantified. Detectors were then measured to determine their current-voltage and spectral characteristics. On the basis of the analysis of both these characteristics and calculations, the parameters of diodes were obtained. They were subsequently compared with the parameters of designed target heterostructures and with literature values. Both here and during the process the goal was to minimize as much as possible the time needed to complete each stage, while maintaining diligence and accuracy of the performed operations. The essence was to be provided with rapid feedback concerning the parameters of the obtained heterostructures in order to compare them with the initial assumptions and, if needed to correct next epitaxy processes, aiming at their improvement.
15
Content available remote Eliminacja wybranych zakłóceń w optoelektronicznym układzie służącym do pomiaru natężenia pola elektrycznego
Kasprzak W., Gardecki S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11b
36-39
PL
W niniejszym artykule omówiono zakłócenia występujące w układzie pomiarowym służącym do pomiaru natężenia pola elektrycznego przy wykorzystaniu elektrooptycznego efektu Kerra. Zakłócenia te są związane z oddziaływaniem na typowe układy mierzące natężenia światła składowej elektrycznej pola elektromagnetycznego, generowanej przez źródła wysokiego napięcia. W celu eliminacji zakłóceń pochodzących z tego źródła skonstruowano autorski układ detekcyjny, wykorzystujący do transmisji sygnałów zamiast powszechnie stosowanych przewodów koncentrycznych.
EN
This paper describes disturbances which occurred in measurement setup designed for electric field intensity, based on electro-optic Kerr effect. These disturbances were caused by the placement of typical device, designed for light intensity measurement, near HV source. Although some changes in cabling were made, they consequenced only in mere elimination of disturbances. In order to eliminate low frequency disturbances, a well shielded, dedicated measurement device was built. It takes advantage of shielded twisted pairs in place of commonly used concentric cables.
16
Porównanie układów pomiaru prądu fotodiody w dyfuzyjnej tomografii optycznej
Domański G., Konarzewski B., Trybuła A., Marzec J., Zaremba K., Kurjata R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 4
135-139
PL
W pracy porównano dwa układy odbioru sygnału prądowego z fotodiody: pierwszy z integratorem o działaniu ciągłym (wzmacniaczem transimpedancyjnym) i drugi z integratorem kluczowanym. Układ z integratorem kluczowanym zapewnia lepszy stosunek sygnał-szum. Wnioski z analizy posłużyły do konstrukcji wielokanałowego systemu do badania ukrwienia tkanek metodą optyczną.
EN
In this work two circuits for photodiode current measurement were compared: the first with trans-impedance amplifier (current-to-voltage converter) and the second - switched integrator. The switched integrator has a better signal-to-noise ratio. The conclusions were used in designing multi-channel system for blood concentration changes in tissue by optical technique.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.