Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badanie wpływu naprężeń mechanicznych na wartość napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS

Piskorski K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 9

55-58

PL

W trakcie wieloletnich badań wykazano, że naprężenia mechaniczne w dielektryku pod powierzchnią metalowej bramki struktury MOS mają wpływ na niektóre parametry elektryczne tej struktury, m.in. na napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku VFB. W wyniku wielu prac dowiedziono, zarówno bezpośrednio jak i pośrednio, że wartości lokalne napięcia VFB mierzone na środku kwadratowej struktury są większe od wartości lokalnych tego napięcia mierzonych na krawędziach i rogach tej struktury. Za ten nierównomierny rozkład napięcia VFB w płaszczyźnie powierzchni bramki odpowiedzialne są, wg postawionej przez nas hipotezy, naprężenia w dielektryku. W pracy przedstawiono wyniki badania wpływu tych naprężeń na wartości napięcia VFB na podstawie pomiarów wykonanych dla różnych temperatur na różnych technologicznie strukturach MOS.

EN

It is known, that mechanical stress existing in the dielectric layer under the metal gate of the MOS structure influences some electrical parameters of this structure. Among these parameters is flat-band voltage in semiconductor VFB. On the basis of photoelectric measurements the characteristic shape of distributions over the gate area with highest local values in the middle of the gate and smaller values at the gate corners were determined. To confirm these observations another measurement procedure consisted in determination of the average values as a function of gate dimensions (expressed as ratio R – the gate perimeter to the gate area) was performed. The average values for whole structure decreases monotonically with the ratio R. These results consistently show that for smaller gates the influence of gate edges on the measured average parameter values is larger. In order to support our hypothesis that observed characteristic VFB distribution are caused by mechanical stress the following investigations were proposed. Measurements of the VFB = f(R) dependences on structures with different gate dimensions and gate thicknesses for wide range of temperatures were carried out. It was shown, that for higher temperatures the amplitude of the VFB = f(R) plots increases, what suggests direct influence of the mechanical stress on measured VFB values.

2

Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC

Piskorski K., Przewłocki H. M., Esteve R., Bakowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

109-114

PL

Wykorzystanie różnych elektrycznych i fotoelektrycznych technik pomiarowych oraz użycie odpowiednich metod obliczeniowych pozwala na uzyskanie informacji na temat wielu parametrów schematu pasmowego badanej struktury MOS. W pracy tej przedstawiono wyniki pomiarów przeprowadzonych na kondensatorach MOS wykonanych na podłożu 3C-SiC(n) różniących się materiałem bramki (Al, Ni oraz Au).

EN

n this work results are presented of the electrical and photoelectric measurements of MOS capacitors. consisting of different gate materials: Al. Ni and Au of different thicknesses SiO₂ insulator of thickness 60 nm, and n-doped 3C-SiC Many different measurement techniques are employed in order to completely define all parameters of the band diagram of the MOS structure which is the main goal of these investigations.

3

Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS

Piskorski K., Przewłocki H. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 10

18-22

PL

Jednym z najważniejszych parametrów struktury MOS (ang. Metal-Oxide-Semiconductor) jest napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku VFB . Napięcie to wpływa na wartość napięcia progowego, które jest podstawowym parametrem każdego przyrządu MOS. Stąd też, napięcie VFB jawi się jako parametr odgrywający dużą, praktyczną, rolę a możliwość precyzyjnego i dokładnego określania wartości VFB jest niezwykle ważna. W pracy zaprezentowano różne metody określania napięcia VFB w większości opartych na pomiarze charakterystyki pojemnościowo-napięciowej C(VG) struktury MOS. Wyniki uzyskane na podstawie obliczeń pokazują znaczny rozrzut wartości napięcia VFB, który często przekracza poziom tolerancji wyznaczony przez technologie nowoczesnych. zintegrowanych układów MOS. W pracy przedstawiono również założenia fotoelektrycznej metody LPT (ang. Light Pulse Technique), która w przeciwieństwie do technik elektrycznych nie wymaga znajomości parametrów konstrukcyjno-materiałowych badanej struktury.

EN

One of the most important parameters of the MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) structure is the flat-band voltage VFB in semiconductor. This voltage influences the threshold voltage VT which is the fundamental parameter of any MOS device. Hence, the VFB voltage has a great practical importance and the precise and accurate determination of its value is very important. In this paper, the measurement techniques for VFB voltage determination are presented. Most of these methods are based on electric measurements of capacitance-voltage C(VG ) characteristics of MOS structure. The results show considerable spread of VFB values, which exceeds the tolerances allowed by the technology of modern, scaled down MOS integrated circuits. Also, the photoelectric method of the VFB voltage determination is described. This method, called LPT (Light Pulse Technique), is based on simultaneous illumination (modulated light) of the semitransparent gate and polanzation of the substrate of the MOS structure. This technique does not require any knowledge about the investigated structure in contrast to the C(VG,/sub> ) characteristic methods, which require information about some parameters of MOS structure.