Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The effect of molding conditions on the quality of geopolymer surfaces

Jaglarz Janusz, Wyszyński Dominik, Lach Michał, Mikuła Janusz, Duraj Ryszard

Optica Applicata

|

2020

|

Vol. 50, nr 1

135--146

EN

The presented work describes the method of measuring surface topography with application of BRDF (bidirectional reflectance distribution function), ellipsometry and spectrophotometry. This non-contact method enables measurement and analysis of large area surfaces, such as plasters and facades. A standard method of topography analysis does not describe sufficiently all of the interesting features. The visual aspect of the surface evaluation is very important from the functional and utilitarian point of view. The proposed methods of surface analysis enable not only the quantitative evaluation but also indirectly the qualitative properties (visual aspects).

2

Comparative studies of the optical absorption coefficient spectra in the implanted layers in silicon with the use of nondestructive spectroscopic techniques

Dorywalski Krzysztof, Chrobak Łukasz, Maliński Mirosław

Metrology and Measurement Systems

|

2020

|

Vol. 27, nr 2

323--337

EN

This work presents results of comparative studies of the optical absorption coefficient spectra of ion implanted layers in silicon. Three nondestructive and noncontact techniques were used for this purpose: spectroscopic ellipsometry (SE), modulated free carriers absorption (MFCA) and the photo thermal radiometry (PTR). Results obtained with the ellipsometric method are the proof of correctness of the results obtained with the MFCA and PTR techniques. These techniques are usually used for investigations of recombination parameters of semiconductors. They are not used for investigations of the optical parameters of semiconductors. Optical absorption coefficient spectra of Fe+ and Ge+ high energy and dose implanted layers in silicon, obtained with the three techniques, are presented and compared.

3

Studies of silver diffusion into soda-lime glass using analysis of plasmon evolution

Nocuń Marek, Środa Marcin, Jedliński Jerzy, Lipień Krzysztof

Materiały Ceramiczne

|

2019

|

T. 71, nr 3

220--227

EN

Silver diffused into microscope slides made of an AgNO3/NaNO3 alloy. Surface plasmon resonance of the Ag nanoparticle was analyzed by optical spectroscopy. The mechanism of silver crystal growth was analyzed by scanning electron microscopy (SEM) equipped with X-ray energy diffraction (EDS) technique. The evolution of local surface plasmon resonance was studied by UV-VIS spectroscopy. Samples were also analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ellipsometry.

PL

Srebro dyfundowało do szkiełek mikroskopowych ze stopu AgNO3/NaNO3. Powierzchniowy rezonans plazmonowy nanocząstki Ag analizowano za pomocą spektroskopii optycznej. Mechanizm wzrostu kryształów srebra analizowano za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) wyposażonej w technikę dyfrakcji energii rentgenowskiej (EDS). Ewolucję lokalnego rezonansu plazmonowego powierzchni badano za pomocą spektroskopii UV-VIS. Próbki analizowano również za pomocą rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronowej (XPS) i elipsometrii.

4

Characterization of the native oxide on CdTe surfaces

Sobola Dinara, Kaspar Pavel, Nebojsa Alois, Hemzal Dušan, Grmela Lubomír, Smith Steve

Materials Science Poland

|

2019

|

Vol. 37, No. 2

206--211

EN

This study focuses on the description of oxidation of CdTe monocrystal surfaces after selective chemical etching. Measurements of surface morphology of the oxides occurring in short time are valuable for deeper understanding of the material degradation and fabrication of reliable devices with enhanced performance. The samples with (1 1 1) orientation were selectively etched and cleaned of oxide. Exposure of the oxide-free surfaces of CdTe to air at normal atmospheric conditions over 24 hours leads to an appearance of characteristic surface features. The oxidized surfaces were investigated by scanning electron microscopy, scanning probe microscopy, Raman spectroscopy and ellipsometry. The results indicate clear differences in the oxidation of Cd-terminated and Te-terminated surfaces.

5

Etching and ellipsometry studies on CL-VPE grown GaN epilayer

Puviarasu P.

Materials Science Poland

|

2017

|

Vol. 35, No. 1

135--139

EN

The surface morphological characteristics of wet chemical etched GaN layers grown at different temperatures on (0 0 0 1) sapphire substrates by Chloride-Vapor Phase Epitaxy (Cl-VPE) have been studied using optical microscope. Significant surface morphology changes have been observed in correlation to the growth temperature and etching time. Also optical properties of the as grown and high-energy silicon (Si) ion irradiated gallium nitride (GaN) epilayers were studied using monochromatic ellipsometry. The effect of ion fluences on the refractive index of the GaN has been investigated and it has been found to decrease with an increase of ion fluence. This decrease is attributed to irradiation-induced defects and polycrystallization which plays an important role in determining the optical properties of silicon (Si) ion irradiated GaN layers.

6

Optical spectroscopic analysis of annealed Cd1−xZnxSe thin films deposited by close space sublimation technique

Ali I., Iqbal A., Mahmood A., Shah A., Zakria M., Ali A.

Materials Science Poland

|

2016

|

Vol. 34, No. 4

828--833

EN

Cd1−xZnxSe (x = 0, 0.40 and 1) thin films were deposited on a glass substrate at room temperature by closed space sublimation method. Optical investigation has been performed using spectrophotometry and ellipsometry. It has been found that for as deposited films the optical band gap increased and the optical constants decreased with increasing Zn content. To improve the optical properties of Cd1−xZnxSe thin films annealing effect at 400 °C was taken into consideration for various Zn contents. It was observed that the optical transmittance and band gap decreased while optical constants increased with increasing Zn content after annealing. The effects of composition and annealing on the optical dispersion parameters Eo and Ed were investigated using a single effective oscillator model. The calculated value of the average excitation energy Eo obeys the empirical relation (Eo = Eg/2) obtained from the single oscillator model.

7

Optical and Mechanical Characterization of Zirconium Based Sol-Gel Coatings on Glass

Sitarz M., Drajewicz M., Jadach R., Długoń E., Leśniak M., Reben M., Wajda A., Gawęda M., Burtan-Gwizdała B.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2016

|

Vol. 61, iss. 4

1747--1752

EN

The basic factor limiting the use of glasses is their unsatisfactory mechanical strength. The improvement of the mechanical strength of glasses is usually obtained by applying their respective thin surface layers. The object of the research was glass coated with zirconium oxide. For the application of zirconium oxide layer, dip-coating method was used. The resulting materials were subjected to detailed examination of the microstructure (SEM), and mechanical tests (Vickers hardness and modulus of elasticity). In order to evaluate the optical characteristics, the tests were performed by UV/VIS. The thickness of the overlying layers were determined using the method of ellipsometry. The study showed that the obtained sol-gel layer of zirconium oxide (IV) on glasses influence the improvement of the mechanical properties. It has been shown that the applied layers have high adhesion to the substrate.

8

Studies on Inx(As2Se3)1-x thin films using variable angle spectroscopic ellipsometry (VASE)

Amin G. A. M.

Materials Science Poland

|

2015

|

Vol. 33, No. 3

501--507

EN

The results of multi-angle ellipsometrical measurements of thermally evaporated In_x(AsSe₃)_1-x (x = 0, 0.01, 0.05) films are presented. Optical parameters n and Eg of thin In_x(AsSe₃)_1-x films show that indium atoms were incorporated into the host matrix of AsSe₃ forming distinct features depending on the indium concentration. Refractive index, n, was found to decrease with the addition of In to the binaryAsSe₃. The real and imaginary parts of the dielectric function, ε' and ε" were also calculated from the obtained data and correlated with In concentration. It was found that ε' decreases with the increaseof In content while ε" increases with the increase of In content. Absorption edge is shifted towards lower photon energy with the increase of In content. As a result, the optical energy gap decreases with increasing In content. This has been correlated with the chemical character of the additive as well as with the structural and bonding aspects of the amorphous composition. Nonlinear optical constants (Χ⁽³⁾ and n₂) were determined from linear optical parameters using semi-empirical relations in the long wavelength limit.

9

The Optimization Problem in Spectroscopic Ellipsometry Technique : Optical Spectra Determination for Pb5Ge3O11 Crystal

Dorywalski K., Krzyżyński T.

Machine Dynamics Research

|

2015

|

Vol. 39, No. 4

21-30

EN

Ellipsometric spectra Ψ(λ), ∆(λ) was measured for Pb₅Ge₃O₁₁ optical crystal in the spectral range 388-620 nm. Mathematical model was developed taking into account optical anisotropy and surface roughness of the measured specimen. Nonlinear regression method was applied in order to fit experimental and modeled data. Refractive index spectra no(λ) ne(λ) are determined for Pb₅Ge₃O₁₁ single crystal for ordinary and extraordinary light beams. Ellipsometric spectra Ψ(λ), ∆(λ) was measured for Pb₅Ge₃O₁₁ optical crystal in the spectral range 388-620 nm. Mathematical model was developed taking into account optical anisotropy and surface roughness of the measured specimen. Nonlinear regression method was applied in order to fit experimental and modeled data. Refractive index spectra no(λ) ne(λ) are determined for Pb₅Ge₃O₁₁ single crystal for ordinary and extraordinary light beams.

10

Technika elipsometrii spektroskopowej jako metoda monitorowania jakości powierzchni materiałów grupy SrxBa1-xNb2O6

Dorywalski K., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 9

22-25

PL

W artykule przedstawiono możliwość zastosowania techniki elipsometrii spektroskopowej do szybkiego i nieinwazyjnego monitorowania jakości powierzchni fotorefrakcyjnych kryształów SrxBa1-xNb2O6. Przedstawiono model optyczny materiału z chropowatą warstwą powierzchniową, który umożliwia precyzyjne wyznaczenie wielkości nierówności powierzchni w procesie dopasowania symulowanych krzywych teoretycznych oraz eksperymentalnych funkcji optycznych. Otrzymane wielkości stopnia chropowatości przy pomocy techniki elipsometrii zbliżone są do odpowiednich uzyskanych techniką mikroskopii sił atomowych.

EN

The article presents the capabilities of spectroscopic ellipsometry as a fast and nondestructive tool for monitoring of surface quality of photorefractive SrxBa1-xNb2O6 crystals. Optical model with surface roughness layer is shown which allows to determine precisly the values of surface roughness in the fitting procedure of modeled and experimental optical functions. The obtained surface roughness quantities by spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy are in good agreement.

11

Structural and optical properties of TiO2 thin films grown by sol-gel dip coating process

Bouachiba Y, Bouabellou A, Hanini F, Kermiche F, Taabouche A, Boukheddaden K

Materials Science Poland

|

2014

|

Vol. 32, No. 1

1--6

EN

The mono and bi-layer TiO2 thin films have been prepared by sol-gel method on glass. X-Ray diffraction, Raman spectroscopy, atomic force microscopy, spectroscopic ellipsometry and m-lines spectroscopy techniques have been used to characterize the TiO2 films. The mono-layer film is found to be amorphous, while the bi-layer film shows the presence of anatase phase. The bi-layer film exhibits more homogeneous surface with less roughness. The thickness effect on the refractive index, extinction ceofficient, packing density and optical band gap is analysed. The waveguiding measurements of the bi-layer film exhibit single-guided TE0 and TM0 polarized modes from which we can measure the refractive index and the film thickness.

12

Termooptyczne właściwości warstw a-C:N:H

Tkacz-Śmiech K., Jaglarz J., Pieczyńska E., Marszałek K.

Inżynieria Materiałowa

|

2014

|

Vol. 35, nr 5

423--426

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG = 0,8 do prawie ID/IG = 0,45. 0,8 do prawie ID/IG = 0,45. 0,8 do prawie ID/IG = 0,45.

EN

Amorphous a-C:N:H layers, deposited on monocrystalline silicon Si(001) by PACVD (13.56 MHz), were subjected to ellipsometric studies. The measurements were performed in a broad spectrum, 300÷1700 nm, at heating from the room temperature to 300°C and at the reheating after earlier cooling the sample. The layer model was fitted to the recorded dispersion dependencies of ellipsometric angles, Ψ(λ) and Δ(λ). Hence, the dispersion of refractive and extinction indices, optical gap and thicknesses of the layer at various temperatures were determined. The results show that all these parameters are essentially different for the unheated layer and the layer heated to 300°C, as well as for the same layer cooled down the room temperature. The re-heating hardly changes the layer parameters. All observed changes occur during first heating, at the temperatures 250÷270°C. Starting from the temperature 250°C the layer thickness decreases to 50% of the initial value. Simultaneously, the thermo-optical parameters, dn/dT i dk/dT, show abrupt changes from negative to positive values. On the basis of the obtained results a conclusion has been formulated that at the temperature 250÷300°C a partial graphitization of the structure of a-C:N:H layer takes place. The structure transformation is irreversible. It is demonstrated mainly by the changes of the optical gap, from 2.45 eV (for the unheated sample), characteristic for the layers with small fraction of C-sp2 phase (about 20%) to 0.7 eV (for the sample at 300°C and after cooling down), typical for the layers with prevailing C-sp2 phase (50÷70%). Such conclusion has been additionally confirmed by the changes in Raman spectrum, in which an increase of the intensity of G band, at about 1620 cm–1 with respect to the intensity of D band at 1360 cm–1, from ID/IG = 0.8 to ID/IG = 0.45 has been found.

13

Application of a biosensor based on SPR using spectroscopic ellipsometer

Bombarová K., Chlpík J., Cirák J.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2014

|

nr 3

65--67

EN

The work is focused on the possibility to use spectroscopic ellipsometer in biosensor application. Operation of the ellipsometer is enhanced by the feature of TIRE (Total Internal Reflection Ellipsometry). The principal goal is to detect analytes in aqueous solutions at low concentrations below 0.1 nmol/l.

PL

Praca koncentruje się na możliwości wykorzystania elipsometrii spektroskopowej w aplikacjach czujnika biologicznego. Działanie elipsometru potęguje cechy TIRE (ang. Total Internal Reflection Ellipsometry). Głównym celem jest wykrywanie składników czy substancji chemicznych w roztworze wodnym przy niskich stężeniach poniżej 0,1 nmol / l.

14

The influence of metal impurities to a-C:H films

Rutkuniene Z., Grigonis A., Vigricaite L.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 3b

288--290

EN

The carbon coatings on the silicon substrate by chemical vapour phase precipitation as the insertion of platinum and copper impurities were observed in this paper. It was obtained that growing films are more polymeric like. The refractive index of all films are similar and varies from 1,6 to 1,75 and does not depend on nature of metal. Analysis of Raman spectra showed that typical for amorphous carbon G peaks become dominant and move to the lower means (from 1682 cm-¹ to approximately 1553 cm-1) and then metal impurities were introduced to the film. Also a new peak at about 1800 cm-¹ was obtained there. Typical D peak in films with platinum impurities is less intensive and disappears when Cu impurities are involved in film.

PL

Analizowano powłokę węglową na podłożu krzemowym poprzez chemiczne rozpuszczanie domieszek platyny i miedzi. Stwierdzono że współczynnik odbicia warstw był podobny dla wszystkich warstw i wynosił 1,6 do 1,75 niezależnie od domieszek. Spektralna analiza Ramanowska wykazała dominujące i zmniejszała się do ok 1553 cm-¹ przy wprowadzaniu domieszek

15

Otrzymywanie i właściwości warstw a-Si:H do zastosowań w fotowoltaice

Pieczyńska E., Boszkowicz P., Jurzecka-Szymacha M.

Logistyka

|

2013

|

nr 4

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad otrzymywaniem, budową i właściwościami amorficznych, uwodornionych warstw krzemowych, a-Si:H. Wykonane badania dotyczą warstw otrzymanych z zastosowaniem metody chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmy (metoda PACVD). Badaniom poddano serię warstw osadzonych, w różnych temperaturach, na podłożu monokrystalicznego krzemu. W ocenie budowy i właściwości warstw wykorzystano metodę mikroskopii skaningowej (SEM) oraz techniki spektroskopowe: spektroskopię absorpcyjną w podczerwieni (FTIR), spektroskopię dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) i spektroskopię elipsometryczną. Uzyskane wyniki pokazują, że obserwowane zależności pomiędzy temperaturą procesu PACVD a mierzonymi właściwościami warstw nie są monotoniczne. Większość mierzonych parametrów pokazuje zmianę monotoniczności dla warstw otrzymanych w temperaturach z zakresu 150÷350 ºC. Za szczególnie ważny rezultat należy uznać, że wygrzewanie warstw w temperaturze 300 ºC nie zmienia ich parametrów optycznych.

EN

Amorphous silicon layers, containing hydrogen (a-Si:H), are important material for photovoltaics. The layers to be used in the production of highly effective solar cells must possess some relevant properties: density, chemical composition (H content), optical parameters and thickness. The most important optical parameters include: absorption coefficients, refractive index and optical gap. The studies on receiving a-Si:H layers with optimal parameters are conducted in many laboratories. The aim of the present studies is to complete a state of knowledge on a-Si:H layers by the results obtained for the layers deposited by Radio-Frequency Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition (RF PACVD). Technological parameters of the processing have been optimized, and structure and properties of the layers deposited at various temperatures have been investigated. The results show that the temperature is an important technological parameter, which does not affect the layer growth rate significantly, but influences the optical parameters. The observation that the optical parameters of the layers obtained in the RF PACVD do not change by annealing, is considered as a particularly important outcome of the research. The measurements of optical parameters were performed using spectroscopic ellipsometer JA Woollam Co., Inc.. M-2000 of the spectral range from 193 to 1690 nm.

16

Experimental study of the disjoining pressure in the cylinder oil films on marine diesel engine piston rings

Slobodianiuk D. I., Slobodianiuk I. M., Kolegaev M. A.

Journal of Polish CIMAC

|

2013

|

Vol. 8, no 1

81--88

EN

The paper includes the results of the experimental study of the disjoining pressure in the thin oil films with anisotropic properties on the grey cast iron piston rings. It is shown that the disjoining pressure in the thin film, in a mode of self-regulation, can automatically balance the normal load between a pair “ring – cylinder liner”. The received data is used to increase the reliability of marine diesel engines by preventing from sudden failures as the result of piston ring breakage.

17

Dyspersja przenikalności dielektrycznej kryształów SBN w zakresie spektralnym światła widzialnego i nadfioletu

Dorywalski K., Andriyevsky B., Patryn A.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2010

|

Nr 2

65--76

PL

Dyspersja przenikalności dielektrycznej (funkcje pseudo-dielektryczne) <ε>(E) = <ε1>(E) + i<ε2>(E) kryształów SrxBa1-xNb2O6 (SBN) została zmierzona w temperaturze pokojowej dla pięciu współczynników zawartości atomów Sr (x = 0,40; 0,55; 0,61; 0,65; 0,75) oraz Ba (1-x) przy pomocy spektroskopii elipsometrycznej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronowego w zakresie energii fotonów E = 1,3 – 10 eV. Uzyskane widma <ε2>(E) dla SBN są bardzo zbliżone do analogicznego widma kryształu LiNbO3, w którym oktaedryczne grupy NbO6 są odpowiedzialne za osobliwości zależności <ε>(E). Przeanalizowano zmiany charakterystyk dyspersyjnych SBN wraz ze zmianą współczynnika x. Ustalono, że zależność części urojonej przenikalności <ε2> SBN od współczynnika x jest o charakterze ekstremalnym, nieliniowym.

18

A polynomial approach for reflection, transmission, and ellipsometric parameters by isotropic stratified media

El-Agez T., Taya S., El Tayyan A.

Optica Applicata

|

2010

|

Vol. 40, nr 2

501--510

EN

A polynomial approach for the calculation of the reflectance, the transmittance, and the ellipsometric parameters of a stratified isotropic planar structure is presented. We show that these parameters can be written in a very simple and compact form using the so-called elementary symmetric functions that are extensively used in the mathematical theory of polynomials. This approach is applied to quarter-wave Bragg reflectors. The numerical results reveal an exact match with the well known matrix formalism.

19

Otrzymywanie powłok antyrefleksyjnych na szkle techniką zol-żel

Nocuń M., Kwaśny S., Skuba P.

Materiały Ceramiczne

|

2010

|

T. 62, nr 1

46-50

PL

Przedmiotem badań było otrzymywanie warstw antyrefleksyjnych wytwarzanych techniką zol-żel. W szczególności analizowano stabilność długoczasową zolu. Badano również wpływ starzenia na parametry antyrefleksyjne i porowatość powłok. Współczynnik załamania, porowatość i grubość warstw wyznaczono w oparciu o pomiary elipsometryczne. Stwierdzono, że z czasem starzenia współczynnik załamania powłoki maleje co pogarsza jej własności antyrefleksyjne. Porowatość wzrasta z ok. 26%, dla roztworu wyjściowego, do ok. 50% po czasie 185 dni. Badany zol wykazuje technologiczną stabilność w czasie ok. 30 dni.

EN

Preparation of antireflection coatings by a sol-gel method was the subject of this study. In particular, long-term stability was the main concern. The influence of aging on antireflection parameters and porosity was also studied. Refractive index, porosity and thickness of the layers were estimated on the base of ellipsometric measurements. It was found that the refractive index lowers with time of aging making worse antireflection properties of the coatings. Porosity increases from 26% for the freshly prepared sol up to about 50% after 185 days of aging. The sol of studied composition is technologically stabile within 30 days.

20

Elipsometria spektroskopowa kryształów ferroelektrycznych w nadfiolecie próżniowym

Andriyevsky B., Patryn A., Ciepluch-Trojanek W.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2009

|

Nr 1

75--86

PL

Badania kryształów ferroelektrycznych pozostają jednym z głównych kierunków współczesnej nauki o ciele stałym głównie dzięki zainteresowaniom mechanizmami mikroskopowymi przemian fazowych. Z tego względu ważne jest badanie struktury elektronowej pasmowej i osobliwości wiązań chemicznych międzyatomowych w kryształach ferroelektryków. Takie dane są niezbędne do wyjaśnienia osobliwości oddziaływania elektron-fononowego i ewentualnych mechanizmów strukturalnych przemian fazowych. Widma optyczne współczynnika odbicia R kryształów TGS w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych były badane w zakresie energii fotonów E od 4 do 22 eV, głównie w pracach [1, 2]. Jednak metodyka pomiarów współczynników odbicia R(E) w tych pracach nie gwarantowała obliczenie przy pomocy relacji KramersaKroniga widm części rzeczywistej i urojonej przenikalności elektrycznej e1(E) i e2(E) kryształów TGS o wystarczająco wysokiej dokładności. W niniejszej pracy są przedstawione wyniki badań właściwości optycznych w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych ferroelektrycznych kryształów siarczanu trójglicyny (TriGlycine Sulfate, TGS), (CH2NH2COOH)3×H2SO4, otrzymane metodą elipsometrii spektroskopowej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronu BESSY-II w Berlinie. Ta metodyka, w porównaniu do stosowanej w pracach [1, 2], jest generalnie o wiele dokładniejsza.